$SiO_2$ 위에 MBE(Moleculat Beam Epitaxy)로 증착한 비정질 ${Si_{1-x}}{Ge_x)$ 박막의 결정화거동
(Crytallization Behavior of Amorphous ${Si_{1-x}}{Ge_x)$ Films Deposited on $SiO_2$ by Molecular Beam Epitaxy(MBE))
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- 한국재료학회지
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- 제4권8호
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- pp.895-905
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- 1994