• 제목/요약/키워드: 진공척

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실리콘 웨이퍼의 인피드그라인딩에 있어 연삭저항력 측정을 위한 진공척의 개발

  • 박준민;정석훈;정재우;정해도
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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    • pp.260-260
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    • 2004
  • 연삭 가공은 대직경 반도체 웨이퍼의 경면 가공, 산업용 정밀 부품, 광학 분야의 고정밀급 렌즈 등 여러 산업 분야의 각종 정밀 부품의 마무리 공정에 적총되어 제품의 질을 좌우하는 필수적인 공정이라 할 수 있다. 이러한 연삭 가공은 높은 치수 정밀도와 양호한 표면 거칠기 및 제품의 형상을 동시에 만족시킬 수 있는 가공 기술로서 , 대직경 웨이퍼 생산에 있어서, 고정밀ㆍ고품위의 웨이퍼를 양산하는데 적합한 기술로 인식되고 있다.(중략)

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진공 척을 이용한 마이크로 LED 대량 전사 공정 개발 (Micro-LED Mass Transfer using a Vacuum Chuck)

  • 김인주;김용화;조영학;김성동
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제29권2호
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    • pp.121-127
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    • 2022
  • 마이크로 LED는 크기가 100 ㎛ 이하인 LED 소자로 기존 LED에 비해 해상도, 밝기 등 여러 면에서 우수한 성능을 보일 뿐 아니라 유연 디스플레이, VR/AR 등 다양한 분야에 적용이 가능하다. 마이크로 LED 디스플레이를 제작하기 위해선 LED 웨이퍼로부터 최종기판으로 마이크로 LED를 옮기는 전사 공정이 필수적이며, 본 연구에서는 진공 척을 이용하여 마이크로 LED를 고속 대량 전사하는 방식을 제안하고 이를 검증하였다. MEMS 기술을 이용한 PDMS 마이크로 몰딩 공정을 통해 진공 척을 제작하였으며, PDMS 몰딩 공정을 제어하기 위해 댐 구조를 이용한 스핀 코팅 공정을 성공적으로 적용하였다. 솔더볼을 이용한 진공 척 구동 실험을 통해 진공 척을 이용한 마이크로 LED의 대량 전사 가능성을 확인하였다.

진공척 미세 가공기 개발 및 무산소동 절삭 특성 연구 (A Development of the Precision Machine with Vacuum Chuck and a Study on the Characteristics of Oxygen Free Couper)

  • 김건희;김윤중;국명호;이선규;홍권희
    • 한국기계가공학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.28-33
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    • 2007
  • This paper describes development of low cost precision machine that has a vacuum chuck. This study mainly aims to find out a cutting condition for maintaining optimum surface condition and to examine cutting characteristics of the precision machine that is equipped by diamond bites. The cutting materials is oxygen free copper. Several experiments were carried out to find out the main factors that affect the surface roughness such as principal axis RPM(rotation per minute), feeding speed, and cutting depth. As a result, we obtain The optimum cutting condition of the developed precision machine.

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MLCC 적층용 진공척의 자기연마와 ELID연삭을 이용한 미세버 제거 기술 (Deburring Technology of Vacuum Plate for MLCC Lamination Using Magnetic Abrasive Polishing and ELID Process)

  • 이용철;신건휘;곽태수
    • 한국기계가공학회지
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    • 제14권3호
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    • pp.149-154
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    • 2015
  • This study has focused on the deburring technology of a vacuum plate for MLCC lamination using electrolytic in-process dressing (ELID) grinding, and the magnetic-assisted polishing (MAP) process. The surface of the vacuum plate has many micro-holes for vacuum suction. They are easily blocked by the burrs created in the surface-flattening process, such as the conventional grinding process. In this study, the MAP process, the ELID grinding process, and an ultrasonic vibration table are examined to remove the micro-burrs that lead to the blockage of the holes. In the results of the experiments, the MAP process and ELID grinding technology showed significant improvements of surface roughness and deburring performance.

진공에너지를 고려한 순수 N2 플라즈마의 모니터링 (Monitoring of pure N2 plasma considering vacuum energy)

  • 정진수;김병환
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.229-229
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    • 2014
  • 발생된 플라즈마에 공존하는 진공에너지가 배제된 순수 플라즈마를 모니터링하였다. 이미징 기구를 이용하여 진공과 플라즈마 공간을 척의 온도를 변화시키며 촬상하였고, 획득한 이미지에서 입자정보를 추출하여 종래의 센서와 비교평가하였다. 추출된 입자정보는 OES와 langmuir probe와 유사한 경향성을 보였으며, 이는 추출한 정보가 플라즈마 입자의 분포를 구분할 수 있음을 의미한다.

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$CH_4$$N_2$ 가스 혼합비에 따른 a-C:H:N 박막의 물성 연구

  • 유영조;김효근;오재석
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.94-94
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    • 1998
  • 최근 a-CH:N (hydrogenated amorphous carbon nitride)가 a-CH 보다 팡학적, 기계객성 질이 우수하므로 이에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 실험에선 원료 가스의 유량 은 5 sccm으로 고정시킨 채 원료가스내의 질소 대 메탄 혼합비 (N2ICHa)훌 O 에서 4 까지 변 화시 키 띤서 DC saddle-field PECVD (plasma enhanced chemical vapour d야Xlsition)훌 이 용하여 a-CH:N 박막융 제작하여, 가스 혼합비가 박막의 미세구조와 광학척 성질에 미치는 영향올 연구하였다. 박막 성장시 진공조 내의 압력온 throttle valve롤 사용하여 90 mTorr로 일정하게 유지하였으며 양극 전압과 기판전업은 각각 500 V, 200 V로 고청하고 상온에서 중 착하였다. a a -step으로 측정 한 a-C:H:N 박막의 두께는 혼합가스내의 질소의 양이 증가할수륙 4800 A에서 2000 A로 두께가 감소하였지만 표면 rot핑비less는 혼합가스내의 질소의 양이 중가할 수록 중가함을 AFM (atomic force mi$\alpha$'0 scopy) 으로 관찰하였다. 박막내의 C와 N의 정량 분석은 RES (Rutherford back scattering s야ctroscopy) 핵공명법을 이용하여 분석하였다. X XPS (X -ray photoelectron spec$\sigma$oscopy) 와 FT-IR (Fo삐er transform-infrared s spectrometry)로 미세구조률 측정한 결과 혼합가스내의 질소의 양이 충가할수록 C-H기는 감 소하였지 만 C르N, N-H기 는 늘어 났다. 또한 PL (photoluminescence) 측정 결과 웬료가스 내 메탄과 질소의 비율이 1:1일 때 최대의 발광올 보였고 UVS (비없 vi이et spec$\sigma$orne$\sigma$y)으 로 측정한 광학쩍 에너지 캡은 혼합비내의 질소의 양이 증가할수록 2.53 eV에서 2.3 eV로 감 소하였다. 이를 결과로부터 원료가스내의 N2ICHa의 중가에 따른 박막의 미세구조 변화와 광학척 생 질의 상관 관계가 고찰될 것이다.

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레이저홀로그램과 플라즈마 이온 플럭스간의 개선된 상관 관계 (Improved Correlation between Laser Hologram and Plasma Ion Flux)

  • 정진수;서준현;김병환
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.186-186
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    • 2015
  • 레이저 홀로그램에서 추출한 입자 데이터와 Langmuir probe로 측정한 이온 플럭스간의 개선된 상관관계를 보고한다. 레이저 홀로그램 센서 시스템을 이용하여 척 온도 변화에 따른 플라즈마 공간에서의 입자에너지 분포를 이미징하였다. 진공에너지분포를 뺀 에너지분포에 나타나는 두 종류의 분포에 관여하는 전체 입자수 분포는 이온플럭스 데이터와 전체 온도 범위에서 매우 유사한 경향성을 보였다.

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진공척 흡착패드 형태에 따른 대면적 임프린팅 균일 접촉 향상 연구 (Study on the Enhancement of the Uniform Contact Technology for Large Scale Imprinting with the Design of Vacuum Gripping Pad)

  • 장시열
    • Tribology and Lubricants
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    • 제24권6호
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    • pp.326-331
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    • 2008
  • The contact surfaces between mold and target should be in parallel for a proper imprinting process. However, large size of contacting area makes it difficult for both mating surfaces (mold and target planes) to be in all uniform contact with the expected precision level in terms of thickness and position. This is caused by the waviness of mold and target although it is very small relative to the area scale. The gripping force for both mold and target by the vacuum chuck is other major effect to interrupt the uniform contact, which must be avoided in imprinting mechanism. In this study, the cause of non-conformal contact mechanism between mold and target is investigated with the consideration of deformation due to the vacuum gripping for the size $470{\times}370\;mm^2$ LCD panel.

펄스 직류 전원 플라즈마를 이용한 갈륨비소와 갈륨알루미늄비소 화합물 반도체의 선택적 식각 연구

  • 송효섭;;송한정;이제원
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.295-295
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    • 2012
  • 염소와 불소 혼합가스와 펄스 직류 전원 플라즈마를 이용하여 GaAs/$Al_{0.2}Ga_{0.8}As$의 선택적 식각을 연구하였다. 식각 주요 공정 변수는 혼합 플라즈마에서 불소 가스의 유량(0~50%) 이었다. 다른 공정 조건은 공정 압력, 펄스 파워, 펄스 주파수, 리버스 시간이 이 있다. 저진공(~100 mTorr) 플라즈마에 대한 연구로 한정하여 기계적 펌프만을 사용하여 공정을 진행하였다. 오실로스코프(Oscilloscope) 데이터에 의하면 가스의 조성 변화에도 척에 걸리는 입력 전압과 전류가 거의 변화가 없었다. $BCl_3/SF_6$플라즈마에서 $SF_6$가스가 10%의 조성에서 GaAs와 $Al_{0.2}Ga_{0.8}As$의 식각 선택비가 약 50:1로 우수한 결과를 나타내었다. 혼합 플라즈마에서 $SF_6$가스의 증가는 GaAs의 식각율과 선택도를 감소시켰다. 그리고 불소 성분 가스의 조성비가 일정량 이상일 경우에는 GaAs와 $Al_{0.2}Ga_{0.8}As$가 거의 식각되지 않았다. 위의 결과들을 종합적으로 보면 펄스 직류 전원 $BCl_3/SF_6$플라즈마에서 불소의 조성비는 GaAs의 선택적 식각에서 중요한 역할을 함을 알 수 있었다.

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임피던스 트랜스포머에 의한 펄스 직류 전원 플라즈마의 전기 특성 변화 및 GaAs 식각에 대한 영향 연구

  • ;신주용;송효섭;김성익;손근용;이제원
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.296-296
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    • 2012
  • 펄스 직류 플라즈마 전원 공급시 임피던스 트랜스포머의 유무에 따른 전기적 특성 변화를 연구하였다. 실험 변수는 펄스 직류 전압(350~550 V), 펄스 직류 주파수(100~250 kHz), 리버스 시간(0.4~1.2 ${\mu}sec$.)이었다. 전기적 특성은 주로 오실로스코프를 이용하여 분석하였다. 펄스 직류 전원의 경우 임피던스 트랜스포머의 여부에 상관없이 주파수가 커지거나 리버스 시간이 커지면 peak-to-peak 전압이 증가한다는 사실을 이해하였다. 본 실험은 저진공에서 실시하였다. 임피던스 트랜스포머를 부착하지 않은 경우, GaAs의 식각 속도는 10 sccm BCl3를 사용한 경우 최대 $0.4{\mu}m$까지 얻을 수 있었다. 감광제에 대한 최대 식각 선택비는 약 2.5:1이었다. 또한 식각된 GaAs의 표면은 깨끗하였으며, 염소와 관련된 잔류 물질은 거의 발견되지 않았다. 임피던스 트랜스포머를 설치하면 GaAs의 식각 속도는 증가하였으나 샘플 척에 열 부하가 많았다. 펄스 직류 플라즈마를 이용한 처리장치 개발시 전기적 특성 변화 및 공정 속도 조절에 있어 임피던스 트랜스포머의 역할 및 그 특성에 대한 많은 연구가 필요하다는 본 기초 연구를 통해 얻을 수 있었다.

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