This paper describes the fabrication and basic characteristics of a Si Hall device fabricated on a SOI(Si-on-insulator) structure. In which SOI structure was formed by SOB(Si-wafer direct bonding) technology and the insulator of the SOI structure was used as the dielectrical isolation layer of a Hall device. The Hall voltage and sensitivity of the implemented SDB SOI Hall devices showed good linearity with respectivity to the applied magnetic flux density and supple iud current. The product sensitivity of the SDB SOI Hall device was average 670 V/A$.$T and its value has been increased up to 3 times compared to that of bulk Si with buried layer of 10$\mu\textrm{m}$. Moreover, this device can be used at high-temperature, high-radiation and in corrosive environments.
용접 능률과 품질에 영향을 미치는 여러가지 요인들 중에서 용접기의 성능은 가장 중요한 요소의 하나이다. 이러한 점에서 숙련도에 주로 의존하던 종래의 용접성 에 대한 관념이 바뀌어야 하며, 품질 표준화 작업의 일환으로 용접기 제어 성능의 향상도 절실하다고 하겠다. 용접품질의 제어성능에 직접 영향을 주는 요소가 무엇인지 를 생각해 볼때, 그것은 바로 용접부에 공급되는 에너지의 제어, 용접 물리현상의 이해와 관찰을 기초로 적절한 함수의 설정과 함께 이들의 관리가 필요함을 알게된다. system화된 용접기는 이들 용접의 물리적 현상과 그 해석 결과를 어떤 방식으로든 이용하고 제어하여야 할 것이므로, 용접기 전력제어의 중요성과 함께 제어 소자의 성능은 물론 제어 algorithm의 최적화가 필수 요소임을 실감하게 된다. 따라서, 여기 에서는 제조 공정에서 가장 중요한 용접 공정의 하나인 아크 용접(GMAW, GTAW) system 의 개요와 특성 및 향후 기술개발의 과제에 대하여 기술하고자 한다.
X선응력측정법은 결정의 각자간 거리를 표점으로 하는 각자변형도를 X선회절현상을 이용하여 직접규정하여 응력을 구하는 것이다. 따라서 비교재의 교정곡선으로 부터 간접적으로 응력을 측 정하는 자기법이나 초음파법 등의 비파괴측정법에 비하여 X 선응력측정법은 잔류응력과 같은 내부응력의 비파괴측정법에 알맞고 지금까지 많은 연구자에 의하여 용접부에 적용시키기 위한 시도가 행해졌었다. 앞서 말한 국제회의에서도 X선응력측정법을 취급한 논문이 6편이고 그 가운 데서 3편이 용접구조물 또는 이음부에 이 방법을 적용한 것이다. 그래서 본고에서는 먼저 용접 잔류응력의 발생기구와 계산법, 측정법에 대하여 기술하겠다. 똔 잔류응력이 용접이음부의 파괴 강도 및 용접균열에 미치는 영향, 용접잔류응력의 대책과 이용법에 대하여 일본에서의 연구를 중심으로 소개하겠다.
많은 공사 현장에는 개구부, 작업발판, 가설계단의 통로 등에서의 추락사고를 방지하기 위해 설치하는 가시설물 중 안전난간이 있다. 안전난간은 작업장에서 현장인부들의 생명과 직결되므로 반드시 적절한 기준에 맞춰 설계를 하는 것이 필요하다. 이러한 안전난간은 표준안전난간으로서 추락재해방지 표준안전작업지침[1]에 의해 설계 기준이 명확하게 명시되어 있으며 난간대와 기둥각 부분 접합부는 쉽게 변형, 변위를 일으키지 않는 구조를 가져야 한다. 본 연구에서는 지침에 지시된 표준안전난간을 실제 설계기준에 맞게 직접 구조물을 모델링하고 EDISON용 구조해석 프로그램인 CASADsovler를 통해 유한 요소 해석을 수행하여 안전난간에 가해지는 응력 및 변위 결과들을 통해 구조의 안정성을 시험해 보았다. 더하여 다구찌 기법과 최적설계에 기반하여 안전난간 무게의 경량 최적화를 위한 연구를 진행하였다.
용접공정 해석을 위한 접근방법중에서 우선적으로 결정해야할 사항으로는 비선형적인 요소와 복잡한 물리현상들을 실제적으로 해석하기위한 측정변수의 선정과 이러한 변수를 사용하여 물리적인 현상을 적절히 표현할 수 있는 알고리즘의 개발 등 을 들 수 있다. 최근까지의 연구결과를 바탕으로 해서 측정변수들의 예를 들면 용접 전류(welding current), 아크전압(arc voltage), 음향신호(acoustic signal), 아크 광(arc light) 그리고 온도(temperature)등이 있다. 용접공정을 분석하기 위한 알고 리즘으로는 확률론적 접근(statistical approach), 다양한 실험치를 이용한 인공지능 적 접근(artificial intelligence approach) 그리고 경험치를 바탕으로 인덱스(index) 을 선정하여 이를 직접 사용하는 방법 및 인공지능과 결합된 형태를 이용하는 방법등 이 있다. 또한 용접공정의 특성을 분석하기 위해서는 크게 금속이행모드(metal transfer mode), 아크의 안정성(arc stability) 그리고 용접품질(weld quality) 등을 판별할 수 있는 알고리즘의 개발이 필수적이라 할 수 있다. 본 논문에서는 용접공정 분석과 관련된 최근까지의 연구동향 및 용접신호의 특성을 좀더 심도있게 분석하기 위해 구축해야 할 필수 요건 등을 소개하고자 하며 이를 사용자가 손쉽게 이용할 수 있는 사용자 인터페이스 프로그램을 개괄적으로 설명하고자 한다.
오늘 날 인공위성을 이용하는 통신, 방송, 기상, 환경모니터링 및 원격탐사 등이 각광을 받고 있는 때에 위성에 설치되는 수많은 전자제품 및 부품들의 우주방사선에 대한 내구성이 매우 중요한 문제로 제기되고 있다. 이러한 관점에서 국내에서는 아직 확보할 수 없는 우주방사선차폐 전자공학기술에 관한 정보자료를 조사 수집하여 기술적으로 직접 활용해야할 필요성이 시급하게 대두되고 있다. 따라서 선진국에서 개발된 우주방사선차폐를 위한 첨단전자공학기술에 관한 기술정보 자료를 체계적으로 서술한다.
SOI(silicon oninsulator) was fabricated through the direct bonding of a hydrophilized single crystal Si wafer and a thermally oxidized SiO2 thin film to investigate the stacking faults in silicon at the Si/SiO2 in-terface. At first the oxidation kinetics of SiO2 thin film and the stacking fault distribution at the oxidation interface were investigated. The stacking faults could be divided into two groups by their size and the small-er ones were incorporated into the larger ones as the oxidation time and temperature increased. The den-sity of the smaller ones based critically lower eventually. The SOI wafers directly bonded at the room temperature were annealed at 120$0^{\circ}C$ for 1 hour. The stacking faults at the bonding and oxidation interface were examined and there were anomalies in the distributions of the stacking faults of the bonded region to arrange in ordered ring-like fashion.
접촉하는 두 물체 사이의 접합부에서는 국북적인 응력집중현상이 발생하여 기계 구조물의 마멸이나 파손의 직접적인 원인이 된다. 기존의 방법들은 복잡한 수식 처리와 반복 계산 때문에 접촉특성에 따라서 해석하기에 어려움이 많았다. 본 논문에서는 마찰이 있는 접촉문제를 반복계산 없이 효과적으로 해석하기 위해서 선형상보성 접촉조건과 가상일의 원리로부터 접촉요소를 개발하여 이를 사용한 유한요소 해석발법을 제안하였다. 연구결과로 평면 및 곡면 접촉문제나 다물체 접촉문제를 기존의 해석방법에 비해 훨씬 편리하고 정확하게 접촉현상을 규명할 수 있었다.
SOI(silicon on insulafor) was fabricated through the direct bonding using (100) Si wafer and 4$^{\circ}$off (100) Si wafer to investigate the stacking faults in silicon at the Si/SiO2 oxidized and bonded interface. The treatment time of wafer surface using MSC-1 solution was varied in order to observe the effect of cleaning on bonding characteristics. As the MSC-1 treating time increased surface hydrophilicity was saturated and surface microroughness increased. A comparison of surface hydrophilicity and microroughness with MSC-1 treating time indicates that optimum surface modified condition for time was immersed in MSC-1 for 2 min. The SOI structure directly bonded using (100) Si wafer and 4$^{\circ}$off (100) Si wafer at the room temperature were annealed at 110$0^{\circ}C$ for 30 min. Then the stacking faults at the bonding and oxidation interface were examined after the debonding. The results show that there were anomalies in the gettering of the stacking faults at the bonded region.
피복아아크 용접봉(이하 용접봉이라 함)의 피복제는 염기도에 따라 산성, 중성, 염기성으로 대별할 수 있다. 용접에서의 화학야금반응은 제강의 화학야금반응과 원리는 비슷하나 양자간 크게 다른 점은 용접시의 반응시간이 극히 짧다는 점이다. 이와같이 반응시간이 짧다는 점 이외에도 작업자가 직접 용융반응을 지켜 보면서 반응후에 나타나는 제반 문제점에 대비하여야 하는 어려운 점이 있다. 제강반응은 전문가만의 독특한 기술인 반면 용접은 용접봉 제조자 뿐만 아니라, 용접작업자 고유의 기술이므로 용접야금반응을 상식화 하고자 하는데 본 고는 의의를 두고 있다. 피복제 중에서의 염기도의 변화, 즉 염기도에 영향을 크게 미치는 탄산칼슘의 양을 임의로 변화시키므로서 다음과 같은 현상을 기대할 수 있다. (1)용접 작업성의 변화 (2)용착 금속의 화학성분 변화 (3)용착금속의 조직 변화 (4) 용착금속내의 수소 함유량 변화 (5)용착금속의 기계적 성질변화 등이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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