• Title/Summary/Keyword: 직접접합

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참전복에있어 마이크로사테라이트좌와 연사한 열성 치사유전자의 검출

  • 박철지;키지마아끼히로
    • Proceedings of the Korean Society of Fisheries Technology Conference
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    • 2003.05a
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    • pp.233-234
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    • 2003
  • 근교약세의 요인으로는 열성유해유전자의 호모 접합체화에 의한 적응성의 저하가 생각되어진다. 그 중에서도 가장 유해성이 높은 유전자로는 열성치사유전자가 있다. 그러나, 이러한 열성 치사유전자을 보유한 개체는 죽어버리기 때문에 직접적인 검출은 불가능하다. 따라서, 동조염색체의 호모화가 되는 교배실험과 표식유전자에 의한 연사분석이 필요하다. 본 연구는 참전복의 열성치사유전자의 유무을 명확히 파악하기 위하여 형매교배와 비형매교배을 포함한 전체교배를 하였으며, 참전복을 대상으로 개발한 마이크로사데라이트(microsatellite)좌을 유전표식으로 이용하여 각 교배구의 유전자형의 분리를 조사했다. (중략)

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Applied Rock Mechanics - Safety and Control of the Environmental (제 1주제 암반공학, 환경안전과 제어)

  • van der Merwe, J. Nielen
    • Tunnel and Underground Space
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    • v.9 no.4
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    • pp.281-282
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    • 1999
  • 제 1주제에는 총 106편의 논문이 접수되었으며, 이 논문들의 내용, 성격, 해석방법 등을 정리하였다. 일반적으로 논문의 수준은 모두 우수했으며, 구두발표를 위한 논문을 선정하는데 어려움이 있었다. 해석적인 방법에 있어서는 수치해석 방법이, 계측에 있어서는 직접 계측방법이 가장 일반적으로 사용되었다. 논문 면 수에 제한이 있었기 때문에 대부분의 저자들은 자세한 해석내용을 생략하고 있었다. 특이한 점은 암석역학과 유체동력학과의 접합이라 할 수 있으며, 암반 안전성에 미치는 시간의 영향 등에 대한 연구가 계속적으로 이루어져야 한다.

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Direct Punching Shear Strength Model for Interior Slab-Column Connections and Column Footings with Shear Reinforcement (전단 보강 슬래브-기둥 내부 접합부 및 기초판에 대한 뚫림 전단강도 모델)

  • Choi, Kyoung-Kyu;Kim, Sug-Hwan;Kim, Dong-Hoon;Park, Hong-Gun
    • Journal of the Korea Concrete Institute
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    • v.23 no.2
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    • pp.159-168
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    • 2011
  • In the present study, an improved design method was developed for the punching shear strength of interior slabcolumn connections and column footings with and without shear reinforcement. In the evaluation of the punching shear strength, the possible failure mechanisms of the connections and column footings were considered. The considered failures modes were inclined tensile cracking of concrete, yielding of shear re-bars, and concrete crushing of compression zone/strut. The punching shear applied to the concrete critical section was assumed to be resisted mainly by the compression zone. The punching shear strength of the concrete compression zone was evaluated based on the material failure criteria of the concrete subjected to the compressive normal stress and shear stress. For verification of the proposed design method, its prediction was compared with the existing test results. The result showed that the proposed method predicted the strengths of the test specimens better than the current design methods of the KCI code for both the shear reinforced and unreinforced cases.

Molecular Beam Epitaxy 증착온도에 따른 p-n 접합 GaAs 태양전지의 광전변환 효율과 결함상태 연구

  • Kim, Min-Tae;Park, Sang-U;Lee, Dong-Uk;Kim, Eun-Gyu;Choe, Won-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.451-451
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    • 2013
  • 현재 세계적으로 에너지 공급원의 다변화가 시급한 실정이며 그 후보로 태양에너지, 풍력 및 수력에너지와 같은 신재생 에너지에 대한 연구분야가 부각되고 있다. 전체 에너지 중 신재생 에너지의 비중은 빠르게 증가되고 있으며, 그 중에서도 태양광에너지의 분야가 가장 활발히 연구되고 있다. 특히, III-V족 화합물 반도체 태양전지는 직접 천이형 밴드갭을 가지고 있어 기존 실리콘 태양전지에 비해 광 흡수율이 높은 장점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 Molecular Beam Epitaxy (MBE)장치를 이용하여 성장온도에 따른 p-n접합 GaAs 태양전지 구조를 제작하여, 광전변환 효율과 결함구조 관련성을 조사하였다. 먼저 Si이 $1{\times}10^{18}cm^{-3}$으로 도핑된 n형 GaAs기판위에 성장온도 $480^{\circ}C$$590^{\circ}C$에서 Be을 $5{\times}10^{18}cm^{-3}$ 도핑한 p 형 GaAs를 200 nm 두께로 각각 성장하여, 2개의 p-n 접합 GaAs 태양전지 구조를 제작하였다. 시료의 전기적 특성과 결함상태는 Capacitance-Voltage (C-V) 와 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)를 사용하여 조사하였다. DLTS 측정을 위해 p-형의 GaAs박막 위에 Au(300 nm)/Pt(30 nm)/Ti(30 nm)를 e-beam evaporator로 증착한 후, 직경 $300{\mu}m$의 메사 에칭으로 p-n접합 다이오드 구조를 제작하였다. 본 연구를 통해 GaAs p-n접합구조 성장온도에 따른 광전변환 효율과 결함상태와의 물리적인 연관성을 논의할 것이다.

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Clinical Findings of Genotypes in Korean Patients with Glycogen Storage Disease Type Ia (한국인 당원병 제 Ia형에서 유전형의 임상 양상)

  • Ko, Jae Sung;Yang, Hye Ran;Kim, Jong Won;Seo, Jeong Kee
    • Clinical and Experimental Pediatrics
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    • v.48 no.8
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    • pp.877-880
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    • 2005
  • Purpose : Glycogen storage disease type Ia(GSD Ia) is an autosomal recessive disorder caused by the deficiency of glucose-6-phosphatase(G6Pase). The aim of the study was to investigate the spectrum of G6Pase gene mutations and relationship between genotype and clinical findings in Korean patients with GSD Ia. Methods : Genomic DNA was extracted from peripheral leukocytes of 20 patients with GSD Ia. The five exons of G6Pase gene were amplified and PCR products were directly sequenced. The frequency of short stature, hypoglycemia, hypercholesterolemia, hyperuricemia, hypercalciuria, nephrocalcinosis and hepatic adenoma was compared between 727G>T homozygotes and 727G>T compound heterozygotes. Results : A total of 5 different mutations were identified. The most common mutation was the 727G>T with an allele frequency of 80%. All patients were either homozygous(12/20) or heterozygous(8/20) for the 727G>T mutation. G122D was found in 3 patients, P178A in 1, G222R in 2, and S339R in 2. There was no difference in the frequency of short stature, hypoglycemia, hypercholesterolemia, hyperuricemia, nephrocalcinosis, and hepatic adenoma between 727G>T homozygotes and heterozygotes. Conclusion : Diagnosis of GSD Ia can be based on clinical and biochemical abnormalities combined with mutation analysis instead of enzymatic diagnosis that requires liver biopsy. Homozygosity for the 727G>T does not seem to alter the disease phenotype as compared with the heterozygous state.

청색과 녹색 GaN계 LED 및 LD소자를 이용한 자발 발광 시 효율 감소 현상에 대한 연구

  • Jeong, Gyu-Jae;Lee, Jae-Hwan;Han, Sang-Hyeon;Lee, Seong-Nam
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.311-311
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    • 2014
  • III-N계 물질로 이루어진 GaN 기반의 광 반도체는 직접 천이형 넓은 밴드갭 구조를 갖고 있기 때문에 적외선부터 가시광선 및 자외선까지를 포함한 폭 넓은 발광파장 조절이 가능하여 조명 및 디스플레이 관련 차세대 광원으로 많은 관심을 받고 있다. 하지만, GaN기반의 발광 다이오드는 많은 연구기관들의 오랜 연구에도 불구하고 고출력을 내는데 있어 여전히 많은 문제들이 존재한다. 그 중, 주입전류 증가에 따른 효율감소 현상은 출력을 저해하는 대표적인 요소로 알려져 있는데, 이전의 연구 결과에서 알려진 효율감소 현상의 원인으로 결정결함에 의한 누설전류, Auger 재결합, 이송자 넘침 현상 그리고 p-n접합부의 온도 상승 등의 현상이 알려져 있다 [1-2]. 하지만 여전히 주입 전류 증가에 따른 효율 감소 현상의 원인에 대해 명확한 해답은 없으며 아직도 많은 논의가 이루어 지고 있다. 따라서, 본 연구에서는 GaN기반의 청색 및 녹색 LD와 LED소자를 이용하여 주입전류 밀도의 변화에 따른 자발 발광 영역에서의 효율감소 현상의 원인을 규명하고 한다. 유기금속화학증착법(MOCVD)를 이용하여 c면 사파이어 위에 서로 다른 발광파장을 가지는 InGaN/GaN 다중양자우물구조의 질화물계 LED와 LD 박막을 제작하였으며 성장 구조에 의한 특성으로 인해 발생하는 효율 저하 현상을 방지하고자 InGaN/GaN으로 이루어진 다중양자우물층의 조성만 제어하여 청색과 녹색으로 발광하도록 하였다. 청색 및 녹색 LD 웨이퍼들을 이용하여 주입전류 증가에 따른 발광특성을 조사하기 위해 LD와 LED는 표준 팹 공정에 의해 제작되었다. 전계 발광 측정을 위해 상온에서 직류 전류를 주입하여 GaN계 청색 및 녹색 LED와 LD에 각 5 mA/cm2에서 50 mA/cm2까지 전류밀도를 증가시킴에 따라 LD 및 LED칩 형태에 상관없이 청색 LD와 LED의 파장은 약 465nm에서 약 458nm로 감소하였고 녹색 LD와 LED의 파장은 약 521nm에서 약 511~513 nm까지 단파장화가 발생했다. 이는 동일한 웨이퍼에 동일한 전류 밀도를 주입하였기 때문에 발생하는 것으로 판단된다. 그러나, 청색 LED의 효율은 50 mA/cm2에서 약 70%정도로 감소하고 반면 녹색 LED의 경우 동일한 전류밀도 하에 약 52%정도로 감소하였지만, 청색과 녹색 LD의 경우 동일한 전류 밀도의 범위 내에서 더욱 낮은 효율저하 현상을 나타내었다. 또한, 접합 온도를 측정한 바 청색소자가 녹색 소자에 비하여 낮은 접합 온도를 나타낼 뿐아니라, 청색 및 녹색 LD의 경우 LED 보다 낮은 접합 온도를 나타내고 있었다. 이는 InGaN 활성층의 In 조성이 증가할수록 비발광 센터에 의한 접합온도 상승 뿐 아니라, LD ridge 구조에서 더 많은 열이 방출되어 접합 온도가 감소될 수 있는 것으로 판단된다. 우리는 동일한 웨이퍼에 LED와 LD를 제작하였고, 동일한 전류 주입밀도를 인가하였기 때문에 LD와 LED의 효율 감소 현상의 차이는 이송자 넘침 현상, 결정 결함, 오제 재결합 등이 원인보다 활성층의 접합 온도 상승이 가장 큰 영향이 될 수 있을 것으로 판단된다.

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A Study on the Effects of Temperature and Flow Rate for DMFC Performance (DMFC에서 온도 및 유량이 성능에 미치는 영향에 관한 연구)

  • Kim, Hong-Gun;Kwac, Lee-Ku;Kang, Young-Woo;Kim, Tae-Jin;Kwak, Sang-Hee;An, Kay-Hyeok;Park, Gyung-Se
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.06a
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    • pp.656-659
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    • 2009
  • 직접메탄올형 연료전지(Direct Methanol Fuel Cell)는 휴대용으로 사용할 수 있는 소형 전원용으로 주로 개발되고 있으며, 다양한 용도로 사용이 가능하다. 하지만 직접메탄올연료전지에서 전해질로 많이 쓰이는 Nafion막은 이를 통한 메탄올 크로스오버(Crossover) 때문에 연료전지의 성능을 제한시키고 있다. 본 연구에서는 Nafion 117를 사용하여 전극 면적 100cm2 의 DFMC용 MEA를 제작하고, 공기 유량을 3ml/mim으로 고정하고, 메탄올 유량을 2,3 ml/min로 각각 공기극와 연료극에 공급하여 온도변화(50, 60, 70, $80^{\circ}C$)에 따른 성능을 확인하였다. DMFC의 적당 반응 온도는 $70^{\circ}C$로 생각되고, 유량은 메탄올 2ml/min, 공기 3ml/min유량 공급시가 성능이 높게 나오는 결과를 얻으나 일정시간 지나면 성능이 메탄올 3ml/min, 공기 3ml/min유량 공급시 보다 성능이 떨어지는 현상이 일어나기 때문에 $70^{\circ}C$ 반응온도에 메탄올 3ml/min, 공기 3ml/min의 유량 공급이 본 논문에서 최적화된 성능을 내는 조건으로 사료된다.

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SOl Pressure Sensors (SOI 압력(壓力)센서)

  • Chung, Gwiy-Sang;Ishida, Makoto;Nakamura, Tetsuro
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.3 no.1
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    • pp.5-11
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    • 1994
  • This paper describes the characteristics of a piezoresistive pressure sensor fabricated on a SOI (Si-on-insulator) structure, in which the SOI structures of Si/$SiO_{2}$/Si and Si/$Al_{2}O_{3}$/Si were formed by SDB (Si-wafer direct bonding) technology and hetero-epitaxial growth, respectively. The SOI pressure sensors using the insulator of a SOI structure as the dielectrical isolation layer of piezoresistors, were operated at higher temperatures up to $300^{\circ}C$. In the case of pressure sensors using the insulator of a SOI structure as an etch-stop layer during the formation of thin Si diaphragms, the pressure sensitivity variation of the SOI pressure sensors was controlled to within a standard deviation of ${\pm}2.3%$ over 200 devices. Moreover, the pressure sensors fabricated on the double SOI ($Si/Al_{2}O_{3}/Si/SiO_{2}/Si$) structures formed by combining SDB technology with epitaxial growth also showed very excellent characteristics with high-temperature operation and high-resolution.

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Multi-Junction Space Solar Cell Health Checking Method using Electroluminescence Phenomena (전계발광현상을 이용한 우주용 다접합 태양전지의 건전성 평가기법)

  • Park, Je-Hong;Chang, Young-Keun
    • Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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    • v.37 no.10
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    • pp.1017-1026
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    • 2009
  • The solar cell system operates by facing the sun-light. Minor cracks, static discharge, and thermal shock that can happen during production/testing phase can lead to degradation in performance during operation, since solar cells are exposed to extreme thermal/mechanical environment in space. In order to detect small cracks and internal damages in the solar cells due to thermal shocks, which are the core units of a solar cell system, expensive equipment, complicated test process, and much time are required. Therefore, a qualitative method for easily and quickly testing the 'health' of solar cell functionality is required. This dissertation describes a theoretical and technical grounds for quickly and easily evaluating the health of solar cells using electroluminescence effect of Gallium-Arsenide solar cells that are most widely used by spacecrafts in recent years. Also described in the dissertation is the technical issues and constraining factors for applying the proposed method to actual space-rated solar cell systems.

Wet Etching Characteristics of Cu Surface for Cu-Cu Pattern Direct Bonds (Cu-Cu 패턴 직접접합을 위한 습식 용액에 따른 Cu 표면 식각 특성 평가)

  • Park, Jong-Myeong;Kim, Yeong-Rae;Kim, Sung-Dong;Kim, Jae-Won;Park, Young-Bae
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.19 no.1
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    • pp.39-45
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    • 2012
  • Three-dimensional integrated circuit(3D IC) technology has become increasingly important due to the demand for high system performance and functionality. In this work, BOE and HF wet etching of Cu line surfaces after CMP were conducted for Cu-Cu pattern direct bonding. Step height of Cu and $SiO_2$ as well as Cu dishing after Cu CMP were analyzed by the 3D-Profiler. Step height increased and Cu dishing decreased with increasing BOE and HF wet etching times. XPS analysis of Cu surface revealed that Cu surface oxide layer was partially removed by BOE and HF wet etching treatment. BOE treatment showed not only the effective $SiO_2$ etching but also reduced dishing and Cu surface oxide rather than HF treatment, which can be used as an meaningful process data for reliable Cu-Cu pattern bonding characteristics.