• 공업화학
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• 제8권5호
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• pp.742-748
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• 1997

초경공구(WC-Co)의 성능 향상을 목적으로 고경도, 높은 열전도도의 특성 등을 가진 다이아몬드 막을 코팅하고 있으나 WC-Co 기판표면의 특성상 문제점으로 인하여 코팅의 어려움이 있다. 이 문제의 해결을 위하여 WC-Co기판위에 중간층을 도입한 후 다이아몬드 막을 증착시키는 새로운 방법을 고려하였으며 중간층의 제조에 무전해 Ni-P도금법을 사용하였다. 무전해도금을 위한 WC-Co기판의 전처리, 무전해도금 및 열처리, 다이아몬드 막 증착의 공정에 대하여 조사하였다. 형성되는 계면의 구조와 성분, 계면간의 밀착력 등을 Scratch Tester, Roughness Tester, SEM/EDS, XRD, Raman Spectroscopy를 사용하여 분석하였다. 무전해도금의 전처리로서 산에 의한 방법과 다이아몬드 분말에 의한 방법을 사용하였으며 두 경우에 모두 WC-Co기판의 표면조도의 감소, 표면 Co성분의 감소, 그리고 밀착력 저하가 관찰되었다. 무전해도금층의 열처리시 영향을 조사하였으며 온도 증가에 따라 Ni 결정이 형성되며 이로 인하여 도금의 밀착력이 증가되며 Ni 결정이 성장함을 관찰하였다. 또한 열처리된 Ni-P도금 위에서 다이아몬드막 증착 실험을 실시하였으며 증착온도를 증가시킴에 따라 다이아몬드 형성이 증가되어 $800^{\circ}C$일때 양호한 다이아몬드 막을 얻을 수 있었다. 본 연구의 방법 및 실험조건은 WC-Co를 비롯하여 다이아몬드 막 형성이 어려운 소재들의 코팅에 효과적으로 이용될 수 있다.

• 한국재료학회지
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• 제8권12호
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• pp.1170-1175
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• 1998

하부전극 없이 MgO 중간층을 갖는 고농도로 도핑된 Si(100) 기판(MgO/Si)위에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 as-deposited PZT 박막을 증착한후 $650^{\circ}C$ 온도에서 RTA 후속열처리를 실시하였다. 제작된 PZT 박막시료에 대해 MgO 중간층의 두께 및 후속열처리에 따른 결정학적, 전기적특성을 조사하였다. XRD 분석결과 MgO층이 전혀 증착되지 않은 bare Si 기판위에 증착된 PZT 시료는 pyrochlore 결정상만이 나타났으나 50 두께의 M gO층 위에 증착된 PZT/MgO/Si 박막시료는 전형적인 perovskite 결정구조를 나타내었다. SEM 및 AES 분석결과 PZT 박막두게는 약 7000 이었으며 비교적 매끄러운 계면형상을 보여 주었다. PZT 박막내의 각 성분원소가 깊이에 따라 비교적 균일한 분포를 나타내었다. $650^{\circ}C$의 온도로 후속열처리된 PZT/MgO/Si 박막의 1KHz 주파수에서 유전상수 ($\varepsilon_{r}$ )와 잔류분극 (2Pr)은 약 300 및 $14\mu$C/$\textrm{cm}^2$의 값을 각각 나타내었으며 누설전류의 크기는 약 $3.2\mu$A/$\textrm{cm}^2$이었다.

• 한국재료학회지
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• 제10권5호
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• pp.360-363
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• 2000

다양한 Zr/Ti 비율을 갖고 있는 강유전체 PZT박막을 졸-겔 법으로 증착하였고 상부 백금전극의 제조방법과 열처리온도의 변화에 따라 강유전체 특성을 측정하여 이력곡선의 변형 원인을 조사하였다. Pt/PZT/Pt 캐패시터는 상부 백금전극을 반응성 이온 식각(RIE) 하는 과정에서 생성된 dc plasma 전압에 의하여 양의 방향으로 분극되었고 도메인 계면에 포획된 전하에 의해 내부전장이 발생되었다. PZT 박막은 sputtering으로 상부전극을 증착하는 과정에서 이력곡선의 중간에 잘룩하게 되는 시효현상이 관찰되었다. 상부전극을 제작한 후 열처리는 포획된 전하흫 제거시켜 양호한 이력곡선 특성을 되찾게 하였다. Zr/Ti 비율이 감소함에 따라 내부전장이 증가하였으며 내부전장이 없어지는 열처리온도가 증가하였다.

• 자연과학논문집
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• 제8권1호
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• pp.47-51
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• 1995

알루미나와 Hydroxyapatite(HAp)의 결합을 연구하기 위하여 9 가지의 중간 유리상을 연구하였다. 그 중간상의 화학 조성은 $CaO-Al_2O_3$에서 정하였으며 CaO/$Al_2O_3$의 몰 비율은 0.5에서 3 까지 변화 시켰다. 가장 낮은 용융은 CaO/$Al_2O_3$의 몰 비율이 2이고 $1355^{\circ}C$때 나타났다. $Al_2O_3$의 양을 증가시킴에 따라 용융점은 점점 높아 졌고 많은 기공들이 발견 되었다. 단면 조직 조사에 따르면 높은 CaO양 시편에서 양호한 흡수접착을 발견할 수 있었고, 이것은 CaO/$Al_2O_3$ 비가 2보다 큰것에서 더좋은 흡수접착을 얻을 수 있음을 의미한다. 열처리후 상변태는 발견되었으나, HAp의 중요한 피크는 그대로 남아 있음을 알 수 있다.

• 공업화학
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• 제26권5호
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• pp.598-603
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• 2015

본 연구에서는 전기이중층 커패시터의 비정전용량 향상시키기 위하여 활성탄소섬유의 열처리 온도가 전기화학적 특성에 미치는 영향을 알아보았다. 용융방사한 피치 섬유를 안정화를 거쳐 $800^{\circ}C$에서 4 M KOH로 활성화하였고, 활성화 섬유를 각각 1050, $1450^{\circ}C$의 온도조건에서 열처리하여 서로 다른 특성을 갖는 활성탄소섬유를 제조하였다. 제조된 활성탄소섬유는 열처리 온도가 증가함에 따라 비표면적이 $828m^2/g$에서 $987m^2/g$으로 증가하였으며 미세공 및 중간세공의 부피 또한 증가하였다. 이는 열처리 공정이 활성탄소섬유 내부의 산소 및 수소 원소 성분을 탈리시키면서 세공이 생성되고, 활 성탄소섬유를 수축하게 하여 상대적으로 세공의 크기를 증가시켰기 때문이다. 이러한 세공 변화로 인하여 제조된 전극은 1 M 황산수용액을 전해질로 하여 5 mV/s의 전위주사속도로 측정하였을 때, 비정전용량이 73 F/g에서 119 F/g으로 향상되었음을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.189-194
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• 1998

SIMS를 사용하여 Co/metal 이중층 구조의 실리사이드화 열처리시 발생하는 기판내 도펀트의 재분포 거동에 대하여 조사하였다. Co실리사이드화 반응의 중간층으로는 Ti, Nb, 또는 Hf를 사용하였고, 여러 도펀트들 중 실리사이드 내에서의 확산속도가 특히 빠른 B에 대하여 조사하였다. Co/Ti과 co/Nb의 경우 열처리후 B피크의 높이는 1 order 정도 낮아지지만 표면으로부터의 주피크의 상대적인 위치는 열처리전과 동일하였다. B의 분포양상은 Ti 및 Nb의 그것과 일치하는데, 이것은 B와 Ti 및 Nb간의 친화력이 크기 때문이다. Co/Hf의 경우에도 B의 피크는 Hf과 거의 같았으나, Ti나 Nb에 비해서 약간 차이가 나는 것으로 보다 B-Hf간의 친화력은 다소 떨어지는 것으로 보인다. 전체적으로 열처리후 Co/metal 이중층 실리사이드에서의 B의 재분포는 Si계면에서 고갈되는 반면, Co-metal/Co 실리사이드 계면에서 pile-up되는 양상을 보였다.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제49권3호
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• pp.222-229
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• 2022

사과는 국내 과수산업에서 가장 많이 재배되고 있는 과종이다. 하지만 apple mosaic virus (ApMV), apple stem grooving capillovirus (ASGV), apple stem pitting virus (ASPV), apple chlorotic leaf spot virus (ACLSV), apple scar skin viroid (ASSVd)와 같은 바이러스 및 바이로이드에 감염되면 과실의 수확량 감소 및 품질 저하를 야기시킨다. 본 연구에서는 국내 사과 농가에서 가장 많이 감염되어 있는 ASGV 바이러스를 제거하기 위한 효율적인 무병화 시스템을 확립하고자 하였다. ASGV에 감염된 폿트묘를 36℃, 38℃, 40℃가 유지되는 항온·항습장치에서 4주간 열처리를 수행하였으며, 신초 생장율과 바이러스 제거율을 조사하였다. 신초 생장률은 36℃ 처리구에서 가장 높았으며 신초의 중간부와 상단부는 바이러스가 제거되었으나 하단부는 바이러스가 제거되지 않았다. 38℃, 40℃ 처리구는 신초의 모든 구간에서 바이러스가 제거되지 않았으며, 40℃ 처리구는 신초의 생장 없이 열처리 3주 후 고사되었다. 36℃ 온도에서 열처리된 폿트묘의 경정을 절취하여 기외에서 접목하였으며 94%의 생존율과 20%의 바이러스 제거율을 보였다. 따라서 열처리 및 경정접목을 통해 무병묘 생산이 가능할 것으로 판단되었다.

• 한국재료학회지
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• 제5권5호
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• pp.575-582
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• 1995

Al 8090합금의 퇴화처리시에 나타나는 금속간화합물 변화과정과 PFZ 생성 및 입계석출물의 거동을 TEM을 사용하여 조사하였다. 기지에서는 $\delta$상, T$_{1}$ 상과 S'상이 모든 시편에서 관찰되었고, 입계어슨 PFZ이 형성되었다. 본 연구에 사용된 Al합금의 초기PFZ의 생성 기구는 입계의 임계공공 농도에 의한 것으로 나타났다. 2단계 열처리시 시간이 2분 이상이면 입계에 석축물이 형성되었다. 입계에는 중간단계로 5회전대칭축을 가지는 준안전상의 icosahedral상의 생성되었다. 평형 입계석출물은 사방정의 $Al_{13}$Fe$_{4}$였다.

• 공업화학
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• 제26권3호
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• pp.251-258
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• 2015

본 연구에서는 L-lactide를 이용하여 수평균분자량(Mn)과 중량평균분자량($M_w$)이 각각 12,000, 14,000 g/mol인 PLLA (Poly L-lactic acid) 수지를 합성하였으며, 이 PLLA를 이용하여 PLLA-Br 중간체를 합성하였다. PLLA-Br 중간체를 이용하여 수평균분자량($M_n$)과 중량평균분자량($M_w$)이 각각 84,000, 126,000 g/mol인 PLLA-block-PMMA (Poly L-lactic acid-block-Polymethyl methacrylate) 공중합체를 최종적으로 합성하였으며 PLLA-block-PMMA 공중합체의 유리전이온도($T_g$)는 $95.5^{\circ}C$, 열분해 개시온도는 $289^{\circ}C$이었다. PLA에 PLLA-block-PMMA를 9 phr 혼용하고 $95^{\circ}C$에서 3배 이축연신한 다음 $120^{\circ}C$에서 2 min 동안 저온열처리하여 두께가 $50{\pm}3{\mu}m$인 PLA 필름을 제조하였다. 550 nm 파장에서 측정한 PLA 필름의 빛투과율은 88.5%, 인장강도는 44.5 MPa이었으며 PLA 필름의 인장강도를 현 수준보다 개선하기 위해서는 이축연신후 $120^{\circ}C$의 온도조건에서 2 min보다 긴 저온열처리시간이 필요하였다.

• 한국재료학회지
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• 제6권8호
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• pp.779-785
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• 1996

Co/Nb 이중층 구조의 RTA처리에 따른 층역전 현상을 이용하여 ${CoSi}_{2}$를 형성하였다. 중간에 삽입된 Nb층은 산화성향이 매우 커서 Si와 Co의 균일한 반응을 방해하는 Si 기판 표면의 산화막을 충분히 제거해 줄 수 있을 뿐만아니라 Co 의 실리사이드화 반응시에 Co와 결합하여 안정한 화합물을 형성해서 기판 Si의 과잉 소모를 막아 줌으로써 실리사이드화 반응을 제어하는 역할을 하는 것으로 나타났다. Co/Nb이중층 구조를 $800^{\circ}C$에서 열처리하여 얻은 최종 구조는 ${NB}_{2}{O}_{5}$/${Co}_{2}$Si.CoSi/${NbCo}_{x}$/Nb(O,C)/${CoSi}_{2}$/Si으로 이층들간의 역전과 안정한 ${CoSi}_{2}$상의 형성은 비교적 고온인 약 $700^{\circ}C$부터 시작되었으며, 전 열처리 온도구간에서 Nb의 실리사이드가 발견되지 않았는데, 이러한 점들은 모두 Nb 산화물이나 Co-Nb합금층과 같은 매우 안정한 중간 구조상들이 Co와 Si의 원활한 이동을 제한하기 때문으로 보인다.