• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제3회(2014년)
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• pp.485-487
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• 2014

Nitrogen이 도핑된 graphene에서의 hydrogen evolution에 대한 촉매효과에 대해서 연구를 진행하였다. Reaction free energy를 계산하기 위해서 많은 N-doped graphene 모델을 계산하였으며 pH 조건, silicon cathode의 영향 그리고 zero point energy의 효과를 고려하였다. Volcano plot에 의하면 "pyrol" like model과 N-doped armchair graphene model (aGNR-N1)이 좋은 촉매효과를 가짐을 밝혔다. 또한 free energy diagram을 통하여 "pyrol"과 "aGNR-N1"이 좋은 active site가 될 수 있음을 확인하였고 pH가 증가함에 따라 $H^+$의 에너지가 증가함에 따라 촉매 효과가 줄어듬을 확인하였다.

• 한국에너지공학회:학술대회논문집
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• 한국에너지공학회 1998년도 춘계 학술발표회 논문집
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• pp.21-25
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• 1998

탈황설비 배관내 연소가스의 삼차원 유동장에 대한 전산해석을 수행하였다. 복잡한 형상으로 주어진 배관내의 유동장 특성을 관찰하고 압력손실을 계산하였다. 특히 안개깃의 설치유무에 따른 유동장 특성 변화 및 압력손실 감소효과를 집중적으로 고찰하였다. 안내깃의 설치에 따라 유량배분이 적절하게 되고 압력손실이 현저하게 줄어듬을 알 수 있었다. 배관에서의 압력손실을 계산하여 배관설계 및 송풍기 용량 산정의 적절성을 확인할 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.196-196
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• 2014

플라즈마 건식 식각 기술은 반도체 식각공정에서 효과적으로 이용되고 있으며, 반도체 소자의 크기가 줄어듬에 따라 미세하고 정확하게 식각 깊이를 제어할 수 있는 원자층 식각 기술이 개발되었다. 3-5족 반도체 소자의 Interface Passivation Layer 로 이용되는 $Al_2O_3$ 와 BeO 의 원자층 식각을 하였으며, 각각의 원자층 식각 조건과 식각 후의 표면 거칠기 변화에 대한 영향을 확인 할 수 있었다.

• 전자통신동향분석
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• 제5권2호
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• pp.14-38
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• 1990

이 연구는 '80년대 이후 많은 변화를 보이고 있는 정보통신 산업분야의 추세를 거시적으로 분석하기 위하여 '80년 이후 발표된 산업연관표(1980년, 1983년, 1985년)를 이용해 정보통신 산업이 국민경제에서 차지하는 역할과 타산업에 미치는 효과를 실증적으로 검증하였다. 분석결과 우리나라의 산업구조는 매년 고도화 되고 있으며, 특히 1차산업이 줄어듬과 동시에 3차산업과 정보통신산업의 비중이 증가하는 선진국형의 산업구조로 변화되고 있다. 1985년 현재 정보통신산업이 차지하는 비중은 4.54%로서 산출액은 8조6,468억을 기록하고 있지만, 성장율로 보면 정보통신서비스업은 1983년 대비 34.83%, 정보기기산업은 40.43%로 전체성장율을 훨씬 앞지르는 성장을 보였다. 그리고 국내 생산활동에 의하여 창출된 부가가치도 대폭 증가하였는데 부가가치비율은 1985년 전산업 평균이 41.35%이지만 정보통신서비스업은 60.71%로서 다른 어느 산업보다도 고부가가치산업임을 보여주고 있으며, 우리나라의 산업구조개선과 정보화 사회로 옮겨가는데 커다란 견인차 역할을 하고 있음을 나타내 주고 있다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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• pp.241-241
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• 2015

플라즈마 건식 식각 기술은 반도체 식각공정에서 효과적으로 이용되고 있으며, 반도체 소자의 크기가 줄어듬에 따라 미세하고 정확하게 식각 깊이를 제어 할 수 있는 원자층 식각기술 많은 관심을 받고 있다. 실리콘을 대체 할 수 있는 우수한 전기적 특성을 가진 III-V 화합물 반도체 재료인 InGaAs에 대한 원자층 식각을 통하여, 흡착가스에 대한 표면흡착 및 탈착가스에 대한 표면탈착 메커니즘을 고찰하였다. 또한, 성분 및 표면분석 장치를 이용하여 InGaAs 원자층 식각 특성에 대해 연구하였다.

• 디지털융복합연구
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• 제20권4호
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• pp.419-431
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• 2022

본 연구는 신규간호사를 대상으로 감성지능 향상프로그램을 적용 후 감성지능 및 직무스트레스에 미치는 효과를 파악하고자 시도 되었다. 혼합연구설계이며 연구대상자는 신규간호사 29명(실험군 15명, 대조군 14명)을 대상으로 감성지능 향상프로그램을 주 1회 총 8주(20시간) 실시하였다. 양적연구는 SPSS/WIN 18.0을 이용하여 Chi-square, Fisher's exact test, t-test, repeated measure ANOVA로 분석하였고 질적연구는 내용분석을 하였다. 실험군의 감성지능과 직무스트레스가 대조군에 비해 통계적으로 유의한 효과가 없었다. 질적내용 분석결과 감성지능이 향상됨 임파워링 됨, 스트레스가 줄어듬, 나에서 우리로 변함, 미래의 나를 꿈꾸게 됨으로 나타났다. 다양한 시기의 간호사를 대상으로 감성지능 향상프로그램을 적용하고 그 효과를 검증하는 연구를 제언한다.

• 대한기계학회논문집
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• 제16권6호
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• pp.1075-1088
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• 1992

본 연구에서는 두개의 팔을 가지는 실험용 로보트를 모델링 하기위해 사용된 기법들을 제시한다. 로보트는 수직 평면상에서 움직이므로 중력의 영향을 받는다. 그리고 두팔은 모두 탄성을 가진다. 이 로보트는 탄성 멤버들을 가지는 로보트의 여 러 제어기법들을 연구하기위해 만들어졌다. 시스템의 특성들은 아주 유연한 멤버들 을 가지게끔 정해진다.이것은 제어를 위해 쓰이는 전자부품들에 요구되는 밴드폭을 제안하고, 탄성이 크고 빠른 로보트에서 관찰 되어지는 유연한 운동들을 흉내낸다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.2376-2385
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• 1994

디지털 TV 신호를 수신함에 있어서 복호화 지연과 채널변경 지연은 응용측면에서 매우 중요한 요소들이다. B-화면이 없는 MPEG-2의 SIMPLE PROFILE에서 intra-slice 부호화방식은 영상 복호화과정에서 지연시간을 짧게 하는 근원적인 방식들 중의 하나이다. 그 방식에는 복호화 지연시간은 짧은 장점이 있으나 채널변경 지연시간은 길어지는 단점이 있다. 본 논문에서는, SNR 성능의 손실은 무시할 수 있을 만큼 적게 하며 채널변경 지연을 줄이는 방법을 제안한다. 이를 위해서 슬라이스들의 여러 영역으로 화면들을 구분하고 화면간 부호화를 위한 이동벡터 추정에서 약간의 제한을 부가하며, 이로 인해 임의접근 위치가 효과적으로 증가되고, 채널변경 지연시간이 줄어듬을 확인한다.

• 전산구조공학
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• 제10권4호
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• pp.117-130
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• 1997

본 논문에서는 등방성판의 인장이나 전단변형은 물론 굽힘문제에도 적용할 수 있는 3차원 고체요소들 중에서 최소의 자유도를 갖는 수정 10절점 상당요소를 제안하였다. 제안된 수정 10절점 상당요소는 Q11요소나 20절점요소로부터 자유도가 줄어듬에 기인한 과대한 굽힘강성을 나타낸다. 이러한 상대적 강성과잉 현상을 수정하기 위한 효과적인 방법으로 가우스 적분점 수정 방법을 제안하였다. 수정량은 포아송 비의 함수이다. 수정 10절점 상당요소의 효과를 여러 가지 예에 적용하여 검증하였다. 제안된 수정 10절점 상당요소에 의한 등방성판의 정적해석과 자유진동 해석의 결과들은 20절점요소를 사용한 결과들과 잘 일치하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.273-273
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• 2011

현재 사용되고 있는 플로팅 게이트를 이용한 플래시 메모리 소자는 비례축소에 의해 발생하는 단 채널 효과, 펀치스루 효과 및 소자간 커플링 현상과 같은 문제로 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 silicon nitride와 같은 절연체를 전자의 트랩층으로 사용하는 charge trap flash (CTF) 메모리 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. CTF 메모리 소자의 전기적 특성에 대한 연구는 활발히 진행 되었지만, 수치 해석 모델을 사용하여 메모리 소자의 전하수송 메커니즘을 분석한 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 수치 해석 모델을 적용하여 개발한 시뮬레이터를 사용하여 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 시 전하수송 메커니즘에 대한 연구를 하였다. 시뮬레이터에 사용된 모델은 연속방정식, 포아송 방정식과 Shockley-Read-Hall 재결합 모델을 수치해석적 방법으로 계산하였다. 또한 CTF 소자 프로그램 동작 시 트랩 층으로 주입되는 전자의 양은 Wentzel-Kramers-Brillouin 근사 법을 이용하여 계산하였다. 트랩 층에 트랩 되었던 전자의 방출 모델은 이온화 과정을 사용하였다. 게이트와 트랩 층 사이의 터널링은 Fowler-Nordheim (FN) tunneling 모델, Direct tunneling 모델, Modified FN tunneling 모델을 적용하였다. FN tunneling 만을 적용했을때 보다 세가지 모델을 적용했을 때가 더 실험치와의 오차가 적었다. 그 이유는 시뮬레이션 결과를 통해 인가된 전계에 의해 Bottom Oxide 층의 에너지 밴드 구조가 변화하여 세가지 tunneling 모델의 구역이 발생하는 것을 확인 할 수 있었다. 계산된 결과의 전류-전압 곡선을 통해 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성을 관찰하였다. 트랩 층의 전도대역과 트랩 층 내부에 분포하는 전자의 양을 시간에 따라 계산하여 트랩 밀도가 시간이 지남에 따라 일정 값에 수렴하고 많은 전하가 트랩 될 수록 전하 주입이 줄어듬을 관찰 하였다. 이와 같은 시뮬레이션 결과를 통해 CTF 메모리의 트랩층에서 전하의 이동에 대해 더 많이 이해하여 CTF 소자가 가진 문제점 해결에 도움을 줄 것이다.