• Journal of the Korean Institute of Navigation
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• v.25 no.4
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• pp.455-460
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• 2001

본 연구에서는 방향성 결합기의 특성과 PIN다이오드의 특성을 이용하여 가변 감쇠기를 구현하였다. 기존의 Even-Odd Mode해석법이 아닌 간단한 2-port 기법으로 감쇠기를 분석하였으며, 산란 파라미터는 결합포트의 종단 임피던스가 동일한 경우와 동일하지 않은 경우에 있어서의 감쇠기의 동작특성을 평가하였다. 방향성 결합기의 결합포트는 가변종단을 HP사의 전류제어 소자인 HSMP-3864 PIN다이오드를 사용하였다. 구현된 가변감쇠기는 PCS 송신주파수 1.9 GHz에서 감쇠 범위가 30 dB 이상, 삽입손실 5 dB 이하, 입·출력 반사계수 -25 dB 이하의 특성을 나타내었으며, 이는 PCS와 셀룰러 이동통신 기지국용 전력 증폭기를 온도 등과 같은 외부의 환경변화에 따라서 이득을 가변 시킬 수 있으며, 또한 증폭기의 선형성을 향상시킬 것으로 사료된다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.11 no.10
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• pp.773-777
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• 1998

This paper presents the results of measured permittivity of PCB sheet material in the frequency range of 0.1 ~ 2[㎓] and temperature range of 25~ 85[>$^{\circ}C$]. Microstrip lines with different physical length are implemented to measure the attenuation and phase shift of the signals through these lines. The loss factor of glass-epoxy and teflon could by calculated with the measured dielectric constant and the attenuation. From the experiment, the glass-epoxy was more influenced by temperature and frequency than teflon. The average dielectric constants of glass-epoxy and teflon within the measured frequency range are 4.48 and 2.18, respectively.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2003.06a
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• pp.87-90
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• 2003

B₂O₃침가에 따른 (Zn/sub 0.8.Mg/sub 0.2/)TiO₃계 세라믹스의 마이크로파 유전특성에 대하여 연구하였다. B₂O₃의 침가량에 비례하여 B₂O₃와 (Zn/sub 0.8.Mg/sub 0.2/)TiO₃와외 반응에 의한 TiO₂ 석출물의 양이 증가하며 공진주파수 온도계수가 증가하였다. 소결온도에 따라 액상의 양, 미세조직, TiO₂와 2차상의 석출거동이 상이하게 나타났다. 6.19mo1.％ B₂O₃물 첨가한 시편을 900℃에서 5시간 소결시 ε/sub r/ = 23.5, Q×f/sub o/ = 67,500 ㎓, T/sub f/ = -1.42 ppm/℃의 우수한 마이크로파 유전특성을 얻을 수 있었다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.6 no.5
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• pp.392-399
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• 1997

In this study, the effect of the sintering temperature on the dielectric and piezoelectric properties of 0.5 wt% $MnO_{2}$-doped $0.125Pb(Mg_{1/2}Nb_{2/3})O_{3}-0.435PbTiO_{3}-0.44PbZrO_{3}$ ceramics were investigated aiming at ultrasonic motor applications. From experimental result, it was found that the optimal sintering temperature condition was at $1270^{\circ}C$. The sample sintered at $1270^{\circ}C$ had density of $7.72\;g/cm^{3}$, dielectric constant of 570, dielectric loss of 0.82%, remanent polarization of $19.18{\mu}C/cm^{2}$, coercive field of 9.63 kV/cm, electromechanical coupling factor of radial mode of 55.1%, mechanical quality factor of 886. Temperature and frequency dependence of dielectric constant and dielectric loss of the sintered sample at $1270^{\circ}C$ was also investigated.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.5 no.1
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• pp.100-105
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• 1994

We have reduced the oscillating linewidth of the commercial single mode InGaAsP visible laser diodes which emits in the 657 nm region of the spectrum down to 10 MHz by making a extended cavity employing the Littrow-type grating. The wavelength tuning characteristics of the commercial visible laser diode (CQL820D, Philips Co.) for the grating angle, laser temperature, and injection currents were measured by using the wavemeter. The proportional coefficients of the laser were found to be 1 THzlmrad, 32.4 GHz/K, and 6.14 GHz/mA, respectively.tively.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.1
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• pp.81-86
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• 2001

We have investigated surface photovoltage characteristics of InGaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method on semi-insulating GaAs. The splitted SPV signals from the substrate and epilayer were observed. The band gap energy of InGaAs was about 1.376 eV, The In composition(x) was determined by Pan's composition formula. The photovoltage gradually decreases with increasing frequency. This is because the transfer of charge from the surface states reduces. From the temperature dependent SPV measurement, we obtained Varshni and temperature coefficients. In spectrum of etched sample at 300 K, the 'A' peak below $E_o(GaAs)$ is related with residual impurity during sample growth.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.12
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• pp.4721-4726
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• 2010

The performance characteristics of water-chilling heat pump using CO2 for the control of inverter frequency was investigated experimentally. An experimental apparatus is consisted of a compressor, a gas cooler, an expansion valve, an evaporator and a liquid receiver. All heat exchangers used in the test rig are counter flow type heat exchangers with concentric dual tubes, which are made of copper. The gas cooler and the evaporator consist of 6 and 4 straight sections respectively arranged in parallel, each has 2.4m length. The experimental results summarize as the following: for constant inlet temperature of evaporator and gas cooler, as mass flow rate, compression ratio and discharge pressure increases with the inverter frequency. And heating capacity and compressor work increases, but coefficient of performance(COP) decreases with the inverter frequency of compressor. As inlet temperature of secondary fluid in the evaporator increases from $15^{\circ}C$ to $25^{\circ}C$, compression ratio and compressor work decreases, but mass flow rate, heating capacity and COP increases with the inverter frequency of compressor. The above tendency is similar with performance variation with respect to the variation of inverter frequency in the conventional vapor compression refrigeration cycle.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.7
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• pp.659-663
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• 1998

The effect of Bi-substitution in $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ ceramic was studied on the formation of crystal phases, microstructure, and microwave dielectric properties. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$, solid solution (0$\leq$x$\leq$0.2) were formed by Bi-substitution into the Nd site of $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ ceramics. Average grain size increased with Bi-substitution. Dielectric constant(${\varepsilon}_r$) increased from 84 to U8, and the temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_f$) decreased from 44 ppm/$^{\circ}C$ to -30 ppm/$^{\circ}C$ when Bi contents increased up to x=0.2 in $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ solid solutions. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ solid solutions with x=0.04~0.08 showed the most superior microwave dielectric properties, those are ${\varepsilon}_r$= 89-92, Q . f = 5855~6091 GHz, and (${\tau}_f$)= -7.5-7.5 ppm/$^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.44-44
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• 1999

저진공(1 kPa~ 100 kPa)은 대기압 측정, 비행고도, 기체의 온도 측정, 질량의 부력 보정, 레이저의 굴절률 측정등에 사용되는 영역으로 과학적 중요성을 갖고 있다. 또한 대기압 이상의 압력 측정과 고진공 측정의 경계적 역할도 수행하고 있어 압력 표준기의 국제 비교에 필수적으로 권장되는 역역이다. 이 영역에 주로 사용되는 압력 표준기는 수은 압력계(Mercury manometer)와 분동식 압력계(Deadweight piston gauge or Pressure)가 있다. 이들은 이동이 불편하거나 불가능하므로 표준기의 국제 비교에 사용되는 전달 표준기로는 보다 이동이 간편한 탄성 압력계인 CDG(Capacitance diaphragm Gauge)가 있다. 이 게이지는 반도체 산업의 공정 제어용으로도 많이 사용되고 있다. 그러나 게이지와 함께 사용되는 컨트롤러의 부피가 크고 무거우며 영점 이동이 커서 측정때 마다 재조정하여야 하는 단점이 있다. 본 논문에서는 이 같은 단점을 극복하기 위해 수정빔 진동형 진공 센서를 잔달 표준기로 사용하는 것에 대한 연구를 수행하였다. 수정빔 진동형 압력 센서는 수정빔으 공진주파수가 스트레인에 비례하는 것을 이용하여 제작된 센서로 주로 대기압 이상의 고압 측정에 많이 사용되고 있다. 먼저 수정빔의 압력과 주파수간의 관계를 측정하고 또한 내장된 수정 온도센서의 공진 주파수를 측정하여 온도 보상을 위한 자료로 사용하였다. 규격에 나와 있는 수정빔의 기하학적 형상으로부터 거동에 관한 이론 모델식을 구하고 압력교정 자료로부터 얻어진 데이터를 이 식과 비교 분석하여 적합한 특성식과 인자를 구하였으며 게이지의 불확도를 추정하였다.모델은 길이가 유한한 0-차원 실린더 모델로 가정하였고, 이에 대한 기하학적 성질 및 열역학적 성질은 유효계수를 고려하여 산출하였다. 진공용기 이중 벽 내부로 흐르는 질소가스의 유량과 온도의 계산은 진공용기 내벽과 외벽을 각각 독립적인 열전달 요소로 가정하여 구성한 모델을 이용하였다. 전체 해석에서 각 열전달 요소의 비열 값은 온도에 따라 변화하는 비열의 특성을 반영하였으며. 진공용기와 플라즈마 대향 부품의 방사율(emissivity)은 앞서 가정했던 각 온도 상승 곡선에 대해서 각각 0.1, 0.2, 1.3의 경우를 가정하여 계산하였다. 직선적으로 증가하는 온도 상승 곡선중 2$0^{\circ}C$/hr의 온도상승율을 갖는 경우가 다른 베이킹 시나리오 모델에 비해 효과적이라 생각되며 초대 필요 공급열량은 200kW 정도로 산출되었다. 실질적인 수치를 얻기 위해 보다 고차원 모델로의 해석이 필요하리라 생각된다. 끝으로 장기적인 관점에서 KSTAR 장치의 베이킹 계획도 살펴본다.습파라미터와 더불어, 본 연구에서 새롭게 제시된 주기분할층의 파라미터들이 모형의 학습성과를 높이기 위해 함께 고려된다. 한편, 이러한 학습과정에서 추가적으로 고려해야 할 파라미터 갯수가 증가함에 따라서, 본 모델의 학습성과가 local minimum에 빠지는 문제점이 발생될 수 있다. 즉, 웨이블릿분석과 인공신경망모형을 모두 전역적으로 최적화시켜야 하는 문제가 발생한다. 본 연구에서는 이 문제를 해결하기 위해서, 최근 local minimum의 가능성을 최소화하여 전역적인 학습성과를 높여 주는 인공지능기법으로서 유전자알고리즘기법을 본 연구이 통합모델에 반영하였다. 이에 대한 실

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07b
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• pp.611-614
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• 2004

[ $Ba(Zn_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ ] (BZN) 세라믹스의 소결 온도는 약 $1350^{\circ}C$ 이다. 그러나 $B_2O_3$가 첨가된 경우, BZN 세라믹스는 $900^{\circ}C$에서 소결되었다. $BaB_4O_7$, $BaB_2O_4$ 그리고 $BaNb_2O_6$ 이차상이 $B_2O_3$가 첨가된 BZN 세라믹스에서 관찰되었다. $BaB_4O_7$과 $BaB_2O_4$ 이차상은 약 $900^{\circ}C$에서 공정 온도를 가지기 때문에 $B_2O_3$를 첨가한 BZN 세라믹스론 $900^{\circ}C$에서 소결하는 동안 액상으로 존재할 것으로 여겨지며, 그것이 BZN 세라믹스의 소결온도를 낮출 것으로 생각된다. 소결 온도의 증가에 따라 유전 상수 ($\varepsilon_r$)와 품질 계수 ($Q{\times}f$)의 값은 증가하였는데, 이는 밀도의 증가에 기인한다. 그러나 $B_2O_3$의 첨가량이 많은 경우 Q 값은 감소하는데, 이는 이차상의 존재가 품질계수의 저하를 초래한다고 생각된다. 2.0 mol% $B_2O_3$가 첨가된 BZN 세라믹스를 $950^{\circ}C$에서 2시간 동안 소결하는 경우, $Q{\times}f$=13.600 GHz, $\varepsilon_r$=37.6 그리고 공진 주파수 온도계수 ($\tau_f$) = 19 ppm/$^{\circ}C$의 유전특성을 얻을 수 있었다.