Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.38
no.2
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pp.9-9
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2001
Nano-scale의 게이트 길이를 가지는 MOSFET소자는 접합 깊이가 20∼30㎚정도로 매우 얕은 소스/드레인 확장 영역을 필요로 한다. 본 연구에서는 $As₂^ +$ 이온의 10keV이하의 낮은 에너지 이온 주입과 RTA(rapid thermal annealing)공정을 적용하여 20㎚이하의 얕은 접합 깊이와 1.O㏀/□ 이하의 낮은 면저항 값을 가지는 $n ^+$-p접합을 구현 하였다. 이렇게 형성된 $n^ +$-p 접합을 nano-scale MOSFET소자 제작에 적용 시켜서 70㎚의 게이트 길이를 가지는 NMOSFET을 제작하였다. 소스/드레인 확장 영역을 $As₂^ +$ 5keV의 이온 주입으로 형성한 100㎚의 게이트 길이를 가지는 NMOSFET의 경우, 60mV의 낮은 $V_ T$(문턱 전압감소) 와 87.2㎷의 DIBL (drain induced barrier lowering) 특성을 확인하였다. $10^20$$㎝^ -3$이상의 도핑 농도를 가진 abrupt한 20㎚급의 얕은 접합, 그리고 이러한 접합이 적용된 NMOSFET소자의 전기적 특성들은 As₂/sup +/의 낮은 에너지의 이온 주입 기술이 nano-scale NMOSFET소자 제작에 적용될 수 있다는 것을 제시한다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.02a
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pp.134-135
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2000
LCD의 전력소모중 약 70%를 차지하는 부분이 백라이트 유닛이다. 전세계적으로 저전력, 고화질, 대면적의 LCD 디스플레이를 개발하기 위한 연구가 활발히 진행중이다. 주로 백라이트 유닛을 구성하는 입사광학계와 도광체 및 프리즘 필름 등을 기존 제작공정 내에서 개선하는 것에 연구 개발의 초점이 맞추어져 있다. 본 연구는 기존의 개선 방법에서 벗어나 도광판의 형태와 산란입자의 크기에 따른 산란정도를 조절하여 기존의 도광판보다 더 나은 산란효율을 얻고자 한다. 이를 위해 투명도와 경도가 우수한 PMMA(polymethyl methacrylate)에 다양한 산란자를 투입하여 도광판을 제작한다. 도광판의 실제 제작 이전에 고효율 도광판속에서의 정확한 산란전산모사를 필수적으로 선행하여야 한다. 따라서 광산란 측정장치를 제작하여 산란자의 종류에 따른 원통형 도광체에서 측정한 산란강도와 산란전산모사에서의 결과를 비교 분석하여 저전력, 고화질, 대면적의 백라이트 유닛을 개발하기 위한 기초 자료로 사용하고자 한다. (중략)
Low Energy Electron Diffraction (LEED) apparatus was made to confirm the surface structure and to determine the direction of the structure for the Angle Resolved Ultraviolet Photoemission Spectroscopy(ARUPS) study. To determine the parameters needed for the design of the apparatus, computer simulation was used. Our LEED has 3 grids. The distance between sample and sccreen is 75 mm, and the viewing angle is $80^{\circ}$. The LEED apparatus was tested by investigating the Si(001) and $Al_2O_3$(0001) surface.
새로운 방식의 일체형 flexible sensor module을 제작하였다. MEMS공정을 이용하여 제작된이 센서 모듈은 배선기판은 물론 strain sensor 역시 임의의 곡면에 실장을 위해 자유로운 굽힘이 가능하도록 제작되었다. 실리콘웨이퍼에 구현된 piezoresistor 스트레인 센서는 release-etch 방법을 통해 웨이퍼로부터 분리되어, 폴리이미드를 기판으로 하는 Flexible Sensor Array Module로 완성되었다. 소자와 기판을 따로 제작한 후 조립하는 기존의 방식에 비해, 웨이퍼 위에서 flexible 기판을 형성하여 수율이 높고 사진공정의 정밀도를 그대로 보전한 기판과 센서 어레이의 패키징이 가능하였으며, 칩을 기판에 실장하기 위한 정밀한 조립공정도 불필요하였다. 폴리이미드 기판은 전기도금을 통해 회로를 구성하여 1단계 패키징 (die to chip carrier)과 2단계 패키징 (chip to substrate)을 웨이퍼 레벨에서 완성하였다. 마지막으로 불산 용액을 통해 희생층을 제거함으로서 웨이퍼로 부터 센서어레이 모듈을 분리 하였다.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2004.05a
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pp.161-161
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2004
AC 이중전기영동(AC electrophoresis)의 원리를 이용하여 탄소나노튜브 팁 제작용 탄소나노튜브 시편의 기초 실험을 수행하였다. 본 연구에서 사용한 방법은, 끝이 뽀족한 다수의 팁(tip)에 탄소나노튜브를 비교적 균일하게 부착시킬 수 있는 공정의 기반이 된다. 이것은 탄소나노튜브를 이용한 나노팁(nano-tip)이나 탄소나노튜브 나노그리퍼(nanogripper) 제작 공정에 균일성을 확보할 수 있는 중요한 방법으로 활용될 수 있다. 탄소나노튜브 시편의 제작을 위해, 끝단이 곡률반경이 50nm 정도인 텅스텐 팁과 직경 1.5mm, 깊이 1.5mm의 실린더형 금속전극을 사용했다.(중략)
고온 초전도 YBCO 박막을 Nd:YAG 레이저를 이용하여 MgO 기판에 증착시켰다. 박막을 마이크로스트립형 통신소자로 제작하기 위해 포토리스그래피 방법으로 습식 에칭을 시켰다. 제작된 박막에 접지면을 입히기 위해 스퍼터링 방식으로 Ti 충을 30 nm 증착하고, 열 증발기로 Ag를 $2{\mu}m$ 정도로 증착을 시켰다. 소자의 주파수 응답을 측정하기 위해 캐비티를 제작하여 측정하였다. 제작된 필터의 중심 주파수는 14 GHz이다. 박막을 냉각시켜며 그 중심 주파수를 측정하여 임계 온도를 측정할 수 있었다. 필터는 두 가지 디자인을 이용하였으며, 임계 온도에서의 중심주파수가 일정하게 이동함을 관찰할 수 있었다.
본 논문에서는 순수 압전세라믹에 비해 동등이상의 압전특성을 가지면서도 음향임 피던스가 월등히 낮은 1-3형 압전복합체를 이용한 탐촉자의 개발에 관해 연구하였다. 압전 복합재료 탐촉자는 그 자체만으로 측정대상체와의 음향임피던스 차를 최소화하여 별도의 정 합층을 필요로 하지 않는 특징을 가진다. 이를 위하여 본 연구에서는 복합재료에 사용되는 고분자 재료의 물성값 설계와, 압전세라믹과의 적절한 배합구조와 형상의 결정에 설계의 주 안점을 두었다. 그 결과를 바탕으로 압전복합체 초음파 트랜스듀서 시작품을 제작하고 그 성능을 분석하였으며, 이론적인 시뮬레이션 결과와의 비교를 통해 설계이론의 타당성을 검 증하였다. 본 연구에서는 수립되어진 압전복합체 트랜스듀서의 설계 및 제작기법은 향후, 측 정대상체와의 정합을 위해 정합층에 대해 복잡한 설계 및 제작공정을 거쳐야하는 다양한 탐 촉자 개발에 유용하게 활용될 수 있을 것이다.
The transmission spectra, the wavelength tunability. and the polarization characteristics of mechanically induced long-period fiber gratings (LPFG's) are investigated experimentally and analyzed theoretically. The transmission and mode coupling characteristics of the fabricated LPFG's agree well with the theoretical results. The resonant wavelengths at which the mode coupling occurs can be tuned over 180 nm and the peak wavelengths for of oethogonally polarized lights are split by -9 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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