• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.97-97
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• 1994

Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.

• Proceedings of the Korean Aquaculture Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.30-30
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• 2003

자성발생(gynogenesis)은 대상 어류의 성 결정기작이 암컷 동형접합성(female homogamety)인 경우 전 암컷 단성집단을 생산할 수 있으며, 단기간 내에 우수한 품종의 순계 획득과 유전적으로 동일한 clone 집단을 만들 수 있다(Thorgaard, 1986; 정 등 1996). 이에 제 1 난할 억제에 의한 메기 S. asotus에서의 체세포분열 억제성(mitotic) 자성발생 2배체가 유도된 바 있다(임 등, 2002), 염색체공학 기법 중 웅성발생 2배체(androgentic diploid)는 난자 핵을 불활성 시킨 후 정자 핵에 의해 제 1 난할억제에 의한 유전자 배가로 유도 될 수 있다. 본 연구는 염색체공학에 의한 메기 4배체 생산, 메기체세포분열 억제성 자성발생성 2배체의 효과적인 유도 조건 검정 및 메기 웅성발생성 2배체 생산을 위한 연구의 일환으로, 메기에서의 핵분열(korykinesis)에 관하여 조사하였다. 메기에서의 핵분열 수온 25$\pm$0.5$^{\circ}C$ 조건에서 수정 후 31분에 가장 현저하였다. 본 연구 결과를 Park and Im (2001)의 수온 24$^{\circ}C$에서의 제 1 난할 후기가 50분이며 mitotic interval이 18.5$\pm$1.2분인 결과와 비교시, 본 연구 결과의 수온 24$\pm$0.5$^{\circ}C$ 조건에서 핵분열이 수정 후 31분인 것은 핵분열과 세포질분열(cytokinesis)이라는 관점에서 정확히 일치한다. 염색체 수의 배가시, 핵분열 억제는 세포질 분열 억제에 비해 더욱 효과적으로서(Cherfas et al., 1993; Nam et al., 1999), 본 연구 결과의 핵분열 시간(수온 24$^{\circ}C$ 조건에서의 수정후 31분)을 기반으로 하여 차후, 4배체 메기와 체세포분열 억제성 자성발생 2배체 메기 및 웅성발생성 2배체 메기 유도 및 그의 생산성 향상에 관한 연구가 기대된다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.14 no.7
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• pp.3502-3507
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• 2013

If a sky-bridge is rigidly connected to adjacent buildings, the irregularity of the connected structures is increased resulting in providing a worse seismic behavior. Therefore, a friction pendulum system (FPS) or lead rubber bearing (LRB) is frequently used for the connection system between a sky-bridge and building structures. These connection systems should be carefully designed to prevent a skyfall of a sky-bridge subjected to severe seismic loads. In this paper, the inevitable structural design procedures for a sky-bridge connection system using a friction pendulum system without uplift resistance capacity have been investigated. To this end, Nuri Dream Square building structure is used as a example structure. The structural design process of a friction pendulum system for fail safe of a sky-bridge has been proposed in this paper by evaluating structural responses of the sky-bridge and building structures subjected to earthquake loads.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.194-195
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• 2012

박막 실리콘 태양전지에 입사한 빛 중 흡수층인 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si)에 흡수된 빛은 출력으로 변환되나, 기타의 층에서 흡수된 빛은 손실 성분이 된다. 이 중 흡수 손실이 큰 층은 도핑 층(p-a-SiC 및 n-a-Si)들인데, 이 들의 흡수 손실을 측정된 광학함수를 이용해 계산해 보면 Fig. 1과 같이 나타난다. p-a-SiC은 광 입사부에 위치하여 단파장 영역의 흡수 손실을 일으키고, n-a-Si 은 태양전지의 후면에 위치하여 장파장 영역의 흡수손실을 일으킨다. 이러한 도핑층에서의 흡수 손실을 제거 또는 개선하기 위해 도핑층의 재료를 기존 재료보다 광학적 밴드갭이 큰 재료로 대체하여 개선하는 방안에 대해 논하고자 한다. 금속 산화물의 밴드갭은 실리콘 화합물에 비하여 대체로 큰 값을 가지기 때문에 이를 기존의 실리콘 화합물 대신으로 사용한다면 광학적 흡수 손실을 효과적으로 줄일 수 있다. 단, 이때 태양전지의 광 전압을 결정하는 인자가 p층과 n층 사이의 일함수 차이에 해당하므로, p층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 큰(＞5 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하며, n층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 작은(＜ 4.2 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하다. Table 1에서 p층과 n층 대체용 금속산화물의 후보들을 정리하였다. 먼저 도핑층에서의 광 흡수가 광손실이 될 수 밖에 없는 물리적 근거에 대해서 논하고, 그 실험적인 증명을 제시한다. 이러한 개념을 바탕으로 도핑층의 내부 전기장의 방향을 제어하여 전자-정공쌍을 분리 수집하는 방법을 실험적으로 구현하였다. 이어서 금속 산화물을 부분적으로 대체하여 흡수 손실을 개선하는 방안을 제시한다. WOx, NiOx, N doped ZnO 등을 적용하여 그 효과를 비교 검토하였다. 끝으로 금속산화믈 대체 또는 쇼트키 접합을 적용하여 도핑층의 광 흡수를 줄이고 효율을 향상하는 방안을 제시한다. 그 사례로서 WOx, MoOx, LiF/Al의 적용결과를 살펴보고 추가 개선방안에 대해 토의할 것이다. 결론적으로 광학적 밴드갭이 큰 재료를 도핑층 대신 사용하여 흡수 손실을 줄이는 것이 가능하다는 것을 알 수 있고, 이 때 일함수 조건이 만족이 되면 광 전압의 손실도 최소화할 수 있다는 점을 확인할 수 있었다. 현재까지 연구의 한계와 문제점을 정리하고, 추가 연구에 의한 개선 가능성 및 실용화 개발과의 연관관계 등을 제시할 것이다.

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.23 no.4
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• pp.395-401
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• 2010

The vertical members of structures are shortened as time goes on. Because structures have been high-rising and atypical there should be different axial loads among vertical members and it causes differential column shortenings. The differential column shortening add stresses to connections, make slab tilt, and damage to non-structural components. To reduce these influences compensation is need. The rational compensation means the exact expectation of amounts of column shortenings and the reasonable corrections. The expectation of column shortenings are more exact as researched, however, there is little research about the compensation. This paper presents the average correction method and the constraints for differential column shortenings considering errors due to the construction precision. The relations between constraints and the number of correction groups give an objective criterion for decision of constraints.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.22 no.4
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• pp.71-76
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• 2015

Recently, light emitting diodes (LEDs) have been studied to improve their efficiencies for the uses in various fields. Particularly in the aspect of chip structure, via hole type vertical LED chip is developed for improvement of light output power, and heat dissipations. However, current vertical type LEDs have still drawback, which is current concentration around the n-contact holes. In this research, to solve this phenomenon, we introduced isolation layer under n-contact electrodes. With this sub-electrode, even though the active area was decreased by about 2.7% compared with conventional via-hole type vertical LED, we could decrease the forward voltage by 0.2 V and wall-plug efficiency was improved approximately 4.2%. This is owing to uniform current flow through the area of n-contact.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.17 no.4
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• pp.41-48
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• 2010

To improve the pot life of one-part in-house anisotropic conductive paste (ACP) formulations, 2-methyl imidazole curing accelerator powders were encapsulated with five agents. Through measuring the melting point of the five agents using DSC, it was confirmed that a encapsulation process with liquid-state agents is possible. Viscosity of ACP formulations containing the encapsulated imidazole powders was measured as a function of storage time from viscosity measurements. As a result, pot life of the formulations containing imidazole powders encapsulated with stearic acid and carnauba wax was improved, and these formulations indicated similar curing behaviors to a basic formulation containing rare imidazole. However, the bondlines made of these formulations exhibited low average shear strength values of about 37% level in comparison with the basic formulation.

• Journal of Korean Society of Forest Science
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• v.85 no.3
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• pp.409-415
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• 1996

Isozyme variations in 4 enzyme systems in Pinus densiflora for. multicaulis in 31 individual trees collected throughout the country were studied by starch gel electrophoresis using haploid megagametophyte tissue to compare with those of Pinus densiflora. A minimum of 7 loci were found to code for isozymes of the enzyme systems. No variation was found at locus GOT-A; at the remaining 6 variable loci(GDH-A, GOT-B, GOT-C, IDH-A, LAP-,A, LAP-B) and 2 to 4 alleles were identified. We could not find any marker alleles to distinguish Pinus densiflora for. multicaulis from Pinus densiflora at the isozymes studied here. Allele frequency distributions at each loci were almost all the same as those of P. densiflora. The percentage of polymorphic loci(99% level), the number of alleles per locus, the observed and expected heterozygosities were 85.7, 2.3, 0.165 and 0.186%, respectively. The level of genetic diversity in Pinus densiflora for. multicaulis seemed to be less than that of P. densiflora.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.44 no.1
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• pp.10-16
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• 2000

In general, acid rain is unbuffered solution with low ionic strength and high resistance. Therefore during the pH measurement of acid rain, error can be occurred due to the liquid junction potential difference between the sample and the standard solution. Actually the average conductivity of rain in Taeduk Science Town during 1998 is 12.8 ${\mu}S/cm$, while that of pH standmd solutions is about 5,980 ${\mu}S/cm$. There is a large difference in ionic strength. To compensate the bias due to residual liquid junction potentials, a quality control standard(QCS) of dilute sulfuric acid, which has the conductivity and pH values simikw to rain, was prepared. The pH of QCS solution was determined using the hydrogen electrode system without liquid junction, and compensation has been made for the bias terms by performing the pH measurements with glass electrode. On the basis of this compensation method, the pH vaiues of rain in Taeduk Science Town during 1998 were measured.

• Journal of Korean Society of Forest Science
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• v.87 no.1
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• pp.74-81
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• 1998

The estimates of genetic diversity based on 7 polymorphic loci coding for 6 isozymes were compared between the tolerant and the sensitive trees in an air polluted Prunus sargentii stand located on Ulsan industrial area. Although we could not observe statistically significant differences in allele and genotype frequencies between the two groups except the gene locus Got-2, the unique alleles and genotypes were observed in the tolerant group. All the genetic parameters such as genetic multiplicity, genetic diversity, and heterozygosity revealed that a greater amount of genetic variations existed in the tolerant group.