The performance of insulate materials gets worse with stress time in power system and because this causes lowering of function and accidents in equipment, development and performance improvement of excellent insulate materials are needed to make stable system. In this paper, to study the influence of degradation in XLPE, inner semiconducting layer and outer semiconducting layer, we studied dielectric characteristics at temperature 25~10$0^{\circ}C$ and frequency 20~1[MHz].
The performance of insulate materials gets worse with stress time in power system and because this causes lowering of function and accidents in equipment,development and performance improvement of excellent insulate materials are needed to make stable system. In this paper, to study the influence of degradation in XLPE, inner semiconducting layer and outer semiconducting layer, we studied dielectric characteristics at temperature 25∼100[$^{\circ}C$] and frequency 20∼ 1 [MHz]
고압용 가교 Polyethylene 절연 케이블의 도체와 절연체 사이, 절연체와 외부 차폐층 사이에는 계면에서의 부분방전을 방지하고 전기적 스트레스를 완화할 목적으로 반도전층이 설계되어 있다. 이 반도전층의 성질은 케이블의 품질과 신뢰성에 매우 중요한 관련이 있다. 일반적으로 반도전층은 압출 성형하는데 Base Polymer에 다량의 카본블랙을 혼합하여 도전화 한다. 절연층과 반도전층간 계면의 평활도는 전력 케이블의 수명과 깊은 관계가 있는데 만약 평활도가 좋지 않으면 전기적 Stress 가 증가하여 전선 수명이 짧아진다. 계면 평활도를 나쁘게 하는 주 요인은 계면의 Void, 반도전층의 돌기와 이물, 탄화물 등이다. 반도전 Compound 제조에 있어서 Carbon Black의 선택과 분산성은 전선수명을 결정하는 중요한 요소이다.
본 논문에서는 항공기용 차폐 케이블의 구조에 따른 간접낙뢰의 영향성을 분석하고, 차폐력 향상을 위한 차폐 케이블 구조를 분석하였다. 항공기에서 케이블은 부품 중에 가장 많은 비중을 차지하고 있고, 항공기 프레임과 전자기기들이 연결되어 있어 영향을 많이 줄 수 있다. 특히, 간접낙뢰 노이즈는 항공 전자기기 오동작 및 손상을 발생시킬 수 있어, 차폐 케이블을 활용하여 간접낙뢰 노이즈로 인한 피해를 줄일 수 있다. 항공기용 차폐 케이블의 차폐층 유무, 내심, 절연체 등의 케이블 구조에 따른 간접낙뢰 영향성 분석을 진행하였다. 또한, 간접낙뢰 공인 규격인 RTCA DO-160G Sec. 22를 적용하여 시뮬레이션 및 실험하여 검증하였다.
Charge trap flash (CTF) 메모리 소자는 기존의 플로팅 게이트를 사용한 플래시 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 소비 전력이 적으며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견뎌내는 장점을 가지고 있다. 그러나 CTF 메모리 소자에서도 메모리 셀의 크기가 작아짐에 따라 셀 사이의 간섭 효과를 무시할 수 없다. 인접 셀 간의 간섭현상은 측정 셀의 문턱전압을 예측할 수 없게 변화시켜 소자 동작의 신뢰성을 낮추고 성능을 저하시킨다. 본 논문에서는 셀 사이의 간섭을 줄이고 소자의 성능을 향상시키기 위해 charge trap 층에 금속 공간층을 삽입한 CTF메모리 소자의 전기적인 특성에 대해 연구하였다. 금속 공간층을 갖는 CTF 메모리 소자는 기존 CTF 메모리 소자의 트랩층 양 측면에 절연막과 금속 공간층을 증착시켜 게이트가 트랩층을 감싸는 구조를 갖는다. 인접 셀 사이에 발생하는 간섭 현상과 전계 분포를 분석하였다. 프로그램 동작 시CTF 메모리 소자 내에 형성되는 전계의 분포와 크기를 계산함으로 금속 공간층이 인접한 셀에서 형성된 전계를 차폐시켜 셀 간 간섭 현상을 최소화하는 것을 확인하였다. 이러한 결과는 인접 셀 간의 간섭현상을 최소화하면서 소자 동작의 신뢰성이 향상된 대용량 메모리 소자를 제작하는데 도움을 줄 수 있다.
EMI 차폐막의 높이가 회로에 어떤 영향을 끼치는지를 S파라미터를 통해 분석하였다. S파라미터 중에서 회로의 기능에 끼치는 영향을 판단할 수 있는 요소로서 S11, S21, S22, S31이 있다. 시뮬레이션은 그래파이트와 페라이트로 이루어진 차폐막을 이용하였고, 주파수는 100 MHz ~ 1 GHz에서 진행하였다. 차폐막의 높이가 증가함에 따라 S21값이 0 dB에 점점 가까워지는 모습을 보였다. 또한 SE(Shielding Effectiveness)값은 특정한 주파수 대역에서만 절연층의 두께에 따른 차폐성능의 향상을 확인할 수 있었다. 이산화규소(Silicon dioxide)의 두께가 가장 두꺼운 800 um 경우를 기준으로 FG(Ferrite-Graphite) 구조는 100 MHz ~ 300 MHz의 좁은 주파수 대역에서 평균 -1 dB를 보이며 -2 dB의 평균을 보이는 GF(Graphite-Ferrite)보다 뛰어난 효율을 보인다. GF 구조는 높은 효율을 보이지는 못하지만 넓은 범위에서 흔들리는 FG 구조보다 100 MHz ~ 1 GHz의 주파수 대역에서 -3 dB의 평균적인 성능을 보인다. 즉, FG 구조와 GF 구조는 트레이드-오프(trade-off)의 구조를 갖는다. 따라서 용도에 따라 적절한 구조를 선택해야 한다.
고전기장을 이용하여 제조한 도전성 탄소섬유/폴리에틸렌 복합필름에 있어서 고분자 점착하층의 두께가 제조된 필름의 체적비저항과 인장강도에 미치는 효과에 대하여 연구하였다. 탄소섬유(CF) 함량과 CF 층밀도에 따라 제조된 필름의 체적비저항과 인장강도의 점착하층에 대한 의존성의 양상은 복잡하게 나타났다. 이는 점착하층의 증가에 따라서 필름 하층면에 중심부나 위쪽에 비하여 CF 농도가 낮은 절연성 고분자층의 두에가 증가하고 필름 상층면 근처에서는 CF의 함침에 필요한 고분자 매트릭스의 양이 적어져 매트릭스 함침이 불충분하여 기공이 포함된 구조를 형성시키는 효과와 증가된 매트릭스의 유동성을 바탕으로 CF 분산성이 향상되고 동시에 보다 치밀한 구조가 형성되는 두 가지 상반되는 효과의 상대적 기여 정도의 차이를 통하여 설명할 수 있었다. 이들 결과는 전자파 차폐용 고도전성 고분자 차폐필름의 제조에 있어서 전기적 성질과 기계적 성질의 최적화하는데 중요하다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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