• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.270-270
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• 2010

4족 반도체 원소 양자점들은 원소가 가지고 있는 반도체적 성질과, 양자점에서 나타나는 quantum confinements 적인 특성 때문에 전자재료나 광학적 분야, 특히 태양전지 분야에서 그 쓰임이 대두되고 있다. 이러한 4족 반도체 원소의 양자점들을 만들기 위한 여러 방법들이 시도되고 있는데, 그 중에서 특히 절연체 박막에 4족 반도체 원소의 양자점들을 만드는 방법에는 이온주입, PVD, 그리고 CVD 를 통한 multi-layer 증착후 열처리 과정을 반드시 포함하는 Stranski- krastanov 방법이 주로 사용되고 있다. 본 실험에서는 고체원소 이온주입이라는 방법을 통해 절연체 박막의 증착과 이온주입이 한 진공용기 내에서 연속공정으로 이루어 지면서, 별도의 열처리 과정 없이 결정화된 게르마늄 양자점을 만들어 보았다. 이는 (X-ray diffraction) XRD와 Raman spectroscopy로 결정화된 게르마늄을 확인할 수 있었으며, (X-ray photoelectron spectroscopy)XPS 데이터로도 순수한 게르마늄이 표면에서 깊이 방향으로 약 $1,000\;{\AA}$ 만큼 게르마늄 양자점들이 만들어 짐을 알 수 있었다. 마지막으로 (High resolution transmittance electron microscopy) HRTEM으로 그 양자점의 크기와 분포도 그리고 결정성을 알아 보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.395-398
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• 2005

본 논문에서는 인체모형을 이용하여 고압감전실험을 하였다. 케이블을 인체모형이 감싸쥐고 있는 경우와 절연체를 통한 접촉을 임펄스와 변압기를 이용하였다. 이때 인가전압은 22,900[V]이다. 고전압에 의해 절연체가 파괴되어 감전의 위험이 있는 것을 알 수 있었으며, 실험을 통해 분석하고자 하였다. 고전압에서의 직 간접적인 감전형태를 알 수 있었으며 고전압 감전사고를 예방하는 중요한 자료로 사용될 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.1
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• pp.985-989
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• 2005

본 논문에서는 비정질 반도체 및 절연체의 etching을 RIE를 사용하여 etching 조건을 결정하는 요인(chamber pressure, gas flow rate, rf power, 온도 등)들을 변화시켜 실험하였고, gas는 비정질 실리콘 박막의 reactive ion etching에 주로 사용되는 $CF_4,\; CF_4+O_2,\;CCl_2F_2,\;CHF_3\;gas$ 등을 사용하였다. 여기서 실리콘 박막의 식각은 $CF_4,\;CCl_2F_2,\;gas$를 그리고 insulator 막인 SiNx 박막의 식각은 $CF_4+O_2,\;CHF_3\;gas$를 사용하였다. 특히 $CCl_2F_2$ gas는 insulator 막인 SiNx 박막과의 식각 selectivity가 6:1로서 우수하기 때문이다. 정확한 control에 의해 높은 수율 (Yield) 을 얻을 수 있어 cost를 절감할 수 있다.

• Proceedings of the Korea Society of Information Technology Applications Conference
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• 2001.11a
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• pp.149-150
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• 2001

• 전기의세계
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• v.46 no.8
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• pp.9-13
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• 1997

본고에서는 방전 및 고전압 분야에서 최근 활발히 진행되고 있는 부분방전 측정결과 해석기법에 대해 그 현상과 배경이론에 대해 검토해 보고 특히 최근에 제안된 유전알고리즘의 적용 가능성을 중심으로 절연체 열화진단을 위한 부분방전 측정결과 해석사례를 소개한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.08a
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• pp.298-298
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• 2008

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.05a
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• pp.117-117
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• 1994

• Polymer Science and Technology
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• v.26 no.3
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• pp.232-237
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• 2015

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.464-464
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• 2013

그래핀 옥사이드(Graphene Oxide)는 그래핀과 마찬가지로 많은 분야로의 응용 가능성을 보이는 소자중 하나로 각광받고 있다. 그래핀 옥사이드가 가지는 유전체 특징은 전하 트랩층(charge trap layer)으로 사용을 가능하게 하고 또한 물에 녹는 수용성 특징은 스핀코터(spin coator)를 이용한 간단한 도포과정을 통하여 저비용으로 간단하게 소자를 제작 가능하게 한다. 이 연구에서 우리는 금속-절연체-반도체 구조를 가지는 메모리 소자를 제작하여 0.4 mg/ml의 농도로 DI에 용해된 그래핀 옥사이드가 플로팅게이트(floating gate)로써 사용되었을 때의 특성을 알아보기 위해 Boonton 720를 사용하여 C-V (hysteresis) 커브와 C-T(Capacitance-Time)를 측정하여 그래핀 옥사이드의 유무에 따른 메모리 윈도우 폭의 증가 및 저장된 정보가 손실되지 않고 얼마나 길게 유지 되는지를 살펴봄으로 플로팅게이트로써 그래핀 옥사이드의 특성을 살펴보았다. 먼저 터널링층으로 쓰이는 SiO2가 5 nm 증착된 P타입 Si기판위에 플로팅게이트로 쓰이는 그래핀 옥사이드층을 쉽게 쌓기 위하여 APTES 자기조립 단분자막 코팅을 한 후 그래핀 옥사이드를 3,000 rpm으로 40초간 스핀코팅을 하였다. 그 후 블로킹층으로 쓰이는 400 nm 두께의 폴리비닐페놀(PVP)를 3,000 rpm으로 40초간 스핀코팅을 하고 $130^{\circ}C$에서 열처리를 하였으며 $10^{-5}$ Torr의 압력에서 진공 열증착으로 알루미늄 게이트 전극을 증착했다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.2
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• pp.190-195
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• 2009

This paper introduces experimental investigates of an electrical accident of the distributing cable termination with simulated a shoddy construction. We prepared two termination kites, one is built-in type, the other is heat contraction type. Also, we manufactured cable termination that have simulated defect by badness construction and investigated their insulation characteristics such as ac (35[kV], 1[min]) and impulse (95[kV], $1.2{\times}50[{\mu}s]$) withstand test. The influence of defects such as thickness decrease, the gap between stress-con of housing and semiconductor and heating time on insulating properties of the termination have been studied. The thickness decrease of an insulator decreases ac breakdown strength suddenly and the breakdown traces of the insulator that is damaged by knife displayed elliptic shape. The gap of between stress-con and semiconductor deteriorates dielectric strength of insulator seriously. In heat contraction type, the ac breakdown voltage became low when the heating time is short.