Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.13
no.6
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pp.1123-1127
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2009
This paper expands the scope of application of the thin film transistor (TFT) in which it is used as the switching element by making the amorphous silicon TFT with the non-volatile memory device,. It is the thing about the amorphous silicon non-volatile memory device which is suitable to an enlargement and in which this uses the additionally cheap substrate according to the amorphous silicon use. As to, the amorphous silicon TFT non-volatile memory device is comprised of the glass substrates and the gate, which evaporates on the glass substrates and in which it patterns the first insulation layer, in which it charges the gate the floating gate which evaporates on the first insulation layer and in which it patterns and the second insulation layer in which it charges the floating gate, and the active layer, in which it evaporates the amorphous silicon on the second insulation layer the source / drain layer which evaporates the n+ amorphous silicon on the active layer and in which it patterns and the source / drain layer electrode in which it evaporates on the source / drain layer.
In this study, the characteristics of HFIX insulated wire sheaths contaminated by pollutants were examined. KS C IEC 60811-1-3 standard was followed in performing the water-resistance wire tests. Pollutants were selected, and the specimens were exposed to the pollutants for a maximum duration of four weeks. The maximum tensile load and the elongation rate were measured each week. As the period of pollution exposure increased, the maximum tensile load of the specimens decreased by 6.22% and 6.52% at room temperature and high temperature, respectively, and 19.94% for specimens coated with a rust-proof lubricant. The elongation rate also decreased rapidly, such that the reductions in the properties of the sheath were significant. From the analysis of the surfaces using a scanning microscope, as the contamination period increased, structural changes such as perforation, split, and melting occurred, and the mechanical properties of the specimens decreased. Therefore, it is necessary to develop and follow an inspection cycle and periodically carry out repairs to prevent the deterioration of insulated wires.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.13
no.1
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pp.94-101
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1999
In this paper the problems associated with the switching surge of PWM inverter devices were analysed. As the application of ASD for efficient speed control of AC rmtors is increased, so is the rrntor and ASD-related failure increased. In the industrial rmtor awlications, the introduction of PWM drives can sometmes cause insulation breakdown between the phase windings due to high transient voltage peak. The motor cable length combined with the high switching frequency becomes more sensitive issue for proper drive operation. Effects of the cable length and high switching frequency influence both on rmtor and inverter. When the insulation level of rmtor winding is low, the failure probability caused by high peak voltage and fast voltage rise times(dv/dt) is high. Voltage refloctions are simulated far rmtor capacities, ASD and rise times and are presented graphically. The filtering techniques are discussed to reduce the rmtor terminal overvoltage and dv/dt in inverter fed AC rrntor drive systems. We confirmed that the lower motar capacity and rmtar insulation level, the shorter switching time and cable length and the higrer the probability of insulation breakdown .kdown .
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.21
no.2
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pp.20-27
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2007
[ $SF_6$ ] gas for compacted power facilities has a important role as an insulation gas. It is very blown well that $SF_6$ gas has the superior characteristics as an insulation gas. For reliable operation of SF6-gas-based high and medium voltage equipment it is very important to keep the insulation ability within a safe range. And the experimental and measuring system were implemented. The test chamber designed to endure up to 3 atmospheric pressure. The analysis results of the experimental data shows that positive partial discharge can be detected by discharge current and UHF signal. Additionally it is shown the possibility that $CO_2$ gas sensor of semiconductor type can be detect the variation of $SF_6$ gas condition. The UHF sensor shows good feature to detect the variation of $SF_6$ gas condition for partial discharge and breakdown discharge.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.22
no.12
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pp.79-86
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2008
This paper presents the experimental results of impulse breakdown characteristics in $SF_6/N_2$ gas mixtures under a highly non-uniform electric field with a change in temperature. The test temperature ranges from -25[$^{\circ}C$] to 25[$^{\circ}C$]. The processes of impulse preliminary breakdown developments were analyzed by the measurements of current pulse and luminous signals. As a result, the temperature dependance of breakdown voltage for the negative polarity was much stronger than that for the positive polarity. When increasing the temperature, The leader stepping time for the negative polarity was shown to be longer than that for the positive polarity. The results presented in this paper can be used as a useful information in designing the gas insulation lines with prominent ability for lightning surge.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.2
no.3
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pp.431-437
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1998
In this paper, we have investigated the electrical properties of ultra-thin nitrided oxide(NO) and re-oxidized nitrided oxide(ONO) films that are considered to be promising candidates for replacing conventional silicon dioxide film in ULSI level integration. Especially, we have studied a variation of I-V characteristics, gate voltage shift, and time-dependent dielectric breakdown(TDDB) of thin layer NO and ONO film depending on nitridation and reoxidation time, respectively, and measured a variation of leakage current and charge-to-breakdown(Q$\_bd$) of optimized NO and ONO film depending on ambient temperature, and then compared with the properties of conventional SIO$\_2$. From the results, we find that these NO and ONO thin films are strongly influenced by process time and the optimized ONO film shows superior dielectric characteristics, and (Q$\_bd$) performance over the NO film and SIO$\_2$, while maintaining a similar electric field dependence compared with NO layer.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.20
no.6
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pp.75-80
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2006
The disastrous accident happens and the economic loss comes into being at the power facilities that used a industry site, if the fault comes into being. This paper experiments the partial discharge in the GIS used a $SF_6$ insulation gas by the pressure change. We studied the influence of particles at the partial discharge in a $SF_6$ gas. We use UHF method and measure the partial discharge signal radiation electromagnetic waves and to be happened at the $SF_6$. And we analyzed the influence on the $SF_6$ gas to have the particles which the partial discharge analyzes a spectrum of the radiated electromagnetic waves and comes out. The paper results aided the prevention of breakdown accident that happened by particles when an inside pressure changes at the GIS & the power facilities used $SF_6$ gas.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.10
no.6
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pp.1088-1094
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2006
In this paper, we establish a mode oxidation process for formation of $Ta_2O_5$ insulator film. The voltage drop in the electrolyte is affected not in voltage change but in current change. If the voltage drop in the electrolyte is same with cathode oxidation voltage, the current changes logarithmically in proportion to the voltage drop in interface of Ta2O5/electrolyte. As a result of the measurement on the electrical property of $Ta_2O_5$ insulator film, when the thickness of the insulator film is $1500\AA$, the breakdown voltage is 350volts Ind dielectric constant is 29.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.22
no.5
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pp.111-116
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2022
The causes of motor burnout include overload, phase loss, restraint, interlayer short circuit, winding ground fault, instantaneous overvoltage, and the rotor contacting the stator, leading to insulation breakdown, leading to breakdown or electrical accidents. Therefore, equipment failure causes not only loss due to cost required for equipment maintenance/repair, but also huge economic loss due to productivity decrease due to process stop because the process itself including the motor is stopped. The current level of technology for diagnosing motor failures uses vibration, heat, and power analysis methods, but there is a limit to analyzing the problems only after a considerable amount of time has passed according to the failure. Therefore, in this paper, a device and algorithm for measuring insulation resistance using DC AMP signal was applied to an industrial motor to solve this problem. And by following the insulation resistance state value, we propose a diagnosis of deterioration and failure of the motor that cannot be solved by the existing method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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