• Applied Chemistry for Engineering
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• v.27 no.5
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• pp.495-501
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• 2016

Mineral oil has been widely used as an insulating oil for electrical transformers for a long time, but the necessity of employing new insulation oil such as vegetable oil has been increased due to urgent needs for the biodegradability when it leaks and also for the thermal stability at a higher operation temperature. Although specific periods are required between the production and consumption, there are still short of the data to prove the insulation oils' storage stability depending upon various circumstances and their resources. Thus, this paper demonstrates the insulation oils' oxidation characteristics of both mineral and vegetable oils when each was exposed to different environments for 12 weeks. From this test, some properties including total acid number, water content and dielectric breakdown were changed under specific conditions and resources. Vegetable oils showed higher hydrophilicity and water saturation than those of mineral oils due to their molecular compositions. Under sunlight exposure condition, all insulation oils oxidized and changed their properties when exposing to the direct light, regardless of the resource used.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1996.02a
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• pp.97-98
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• 1996

• Electrical & Electronic Materials
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• v.24 no.12
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• pp.35-42
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• 2011

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1999.10a
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• pp.116-117
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• 1999

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.35 no.6
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• pp.583-589
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• 2011

The dielectric breakdown of bone-like materials subject to purely electric fields is investigated. In general, these materials consist of some layers with stronger dielectric strength and others with weaker dielectric strength in a parallel staggered pattern. The growth of the conductive channel is impeded during penetration of the weaker layer in the bone-like material because the electric-field concentration is relieved. The electric-field distribution around the head of the tubular channel is obtained from finite element analysis. The dielectric strength of the bone-like material is evaluated using the J integral, and some parameters affecting the dielectric strength are determined. It is shown that the J-integral values are reduced with an increase in the breakdown area in the weaker layer. It is also found that the ratio of the permittivity of the weaker layer to that of the stronger layer can strongly affect the dielectric breakdown.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.12 no.4 s.37
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• pp.359-363
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• 2005

The organic insulation devices with MIM (metal-insulator-metal) structures as PVP gate insulation films were prepared for the application of organic thin film transistors (OTFT). The co-polymer organic insulation films were synthesized by using PVP(poly-4-vinylphenol) as solute and PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) as solvent. The cross-linked PVP insulation films were also prepared by addition of poly (melamine-co-formaldehyde) as thermal hardener. The leakage current of the cross-linked PVP films was found to be about 300 pA with low current noise. and showed better property in electrical properties as compared with the co-polymer PVP insulation films. In addition, cross-linked PVP insulation films showed better surface morphology (roughness), showing about 0.11${\~}$0.18 nF in capacitance for all PVP film samples.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.25 no.3
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• pp.388-394
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• 2008

본 논문에서는 용액 공정을 이용한 고분자 절연층을 갖는 top-gate 구조의 펜타센 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)의 특성을 연구하였다. Top-gate 구조의 펜타센 TFT 제작에 앞서 유기 반도체인 펜타센의 결정성 성장을 돕기 위해서 가교된 PVP (cross-linked poly(4-vinylphenol))를 유리 기판 상에 스핀 코팅을 이용하여 형성한 후, 노광 공정을 통해 니켈/은 구조를 갖는 채널 길이 $10{\mu}m$의 소오스, 드레인 전극을 형성하였다. 그리고 열 증착을 이용하여 60 nm 두께의 펜타센 층을 성막하였고, 고분자 절연체로서 PVA(polyvinyl alchol) 또는 가교된 PVA를 용액공정인 스핀 코팅을 이용하여 형성한 후 열 증착으로 알루미늄 게이트 전극을 성막하였다. 이로써 제작된 소자들의 전기적 특성을 확인한 결과 가교된 PVA를 사용한 펜타센 TFT 보다 PVA를 게이트 절연체로 사용한 소자가 전기적 특성이 우수한 것으로 관찰되었다. 이는 PVA의 가교 공정에 의한 펜타센 박막의 성능 퇴화에 기인한 것으로 사료된다. 실험 결과 $0.9{\mu}m$ 두께의 PVA 게이트 절연막을 사용한 top-gate 구조의 펜타센 TFT의 전계 효과 이동도와 문턱전압, 그리고 전류 점멸비는 각각, 약 $3.9{\times}10^{-3}\;cm^2/Vs$, -11.5 V, $3{\times}10^5$으로써 본 연구에서 제안된 소자가 용액 공정형 top-gate 유기 TFT 소자로서 우수한 성능을 나타냄을 알 수 있었다.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.37 no.2
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• pp.184.2-184.2
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• 2012

위성의 전장품은 전기적 접속을 위해서 1:1 연결을 하는 Point-to-Point 버스 방식과 여러개의 Slave (Remote Terminal)을 갖고, 일반적으로 1개의 Master (Controller)에 의해서 연결하게 되는 버스 구조를 갖는 접속 채널을 통해서 연결이 된다. 가장 많이 사용되는 방식인 MIL-STD-1553B는 데이터 전송속도가 1Mbps이고, Transformer에 의해서 완전하게 버스와 각 전장품이 완전하게 절연이 되는 구조로, 전기적 고장이 전달되는 것을 방지할 수가 있지만, 설계의 난이도가 높다. 고속 버스는 SpaceWire를 사용하고, 100Mbps이상의 속도를 지원할 수가 있지만, LVDS등의 고속 채널 설계 및 노이즈에 민감한 특성 때문에, 저속의 통신채널에서는 사용하기 어렵다. 저속의 데이터 채널을 위해서는 UART 방식이 사용된다. UART 방식은 RS-422 방식과 RS-485 방식이 사용되지만, 1553B 또는 SpaceWire 등과 같이 프로토콜이 정해지지 않아서, 사용자가 직접 프로토콜을 지정해야하는 문제가 있다. 또한 RS-422은 1:1 방식의 Point-to-Point UART를 위해서 사용되고, RS-485는 버스 방식의 연결을 지원할 수가 있지만, 동시에 여러개의 TX가 enable되는 경우에는 TX사이에 고장을 일으킬 수 있어서, 1번에 TX가 1개만 사용되도록 제어할 필요가 있다. 또한 RS-485방식의 버스를 구현할 경우에는 1553B처럼 와전하게 절연이 불가능하므로, 전기적이나 기능적으로 485버스에 문제가 발생할 경우에 절연과 같은 기능이 지원되도록 구현이 되어야 한다. 본 논문에서는 안정적인 485 UART버스 구현을 위한 기술에 대해서 평가하고 분석하도록 하겠다.

• 전기의세계
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• v.41 no.4
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• pp.35-41
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• 1992

GIS구조상 내부에 금속 PAERICLE이 존재하면 절연 내력의 저하가 발생하므로 금속 PARTICLE이 내부에 흔입되지 않게 제조, 운송, 설치시에 방진관리를 하는 것이 최선책이나, 최종단계에서 금속성 PAERICLE이 내부에 잔존하지 않음을 확인하기 위해서는 현장 내전압 시험이 필요하다. 현장 내전압 시험은 현장의 여건에 따라 가능한 경우도 있고 불가능한 경우도 있는 여러가지 요소가 있으므로 시험 방법의 선택은 현지 여건, 경제성, 전원설비, 시험기의 크기등을 고려하여 GIS의 제조회사와 구매자간의 사전 협의를 하여 진행시켜야 하겠다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.230-231
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• 2003

SOI (Silicon On insulator)는 SiO$_2$와 같은 절연체 위에 실리콘 (Si) 박막층이 놓여있는 구조로서 전자나 광소자들이 실리콘 박막층 위에 만들어진다. SOI의 기본적인 생각은 기생 정전용량 (parasitic capacitance)을 감소시킴으로서 소자의 스위칭 속도를 더 빠르게 하는 것이다. 최근에 초고속 광소자와 단위 광소자들의 집적을 위해 실리콘 이외의 GaAs, InP, SiC 등의 반도체 박막을 절연층 위에 만드는 연구가 많이 진행되고있다. (중략)