• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
• /
• 2010.04a
• /
• pp.68-71
• /
• 2010

임베디드 리눅스의 부팅은 일반적인 경우 Boot Loader, Kernel, Script 로 구성된 초기화 과정, Application Program 의 순서로 이루어진다. 이 경우 부팅 시간은 Power On 에서 최종 Application Program 이 동작을 시작하는 시점까지이다. 따라서 부팅 시간을 줄이는 방법은 부팅 과정의 중간 과정 중 불필요한 과정을 없애거나, 최적화하여 최종 단계에 빠르게 도착하게 만드는 것이다. 이러한 과정들에는 파일시스템 내의 데이터들을 메인 메모리로 복사하는 과정이 포함된다. 임베디드 시스템 내의 파일시스템은 주로 플래시 메모리에 저장되며, 플래시 메모리는 상대적으로 느린 속도로 동작된다. 따라서 부팅 시간은 상당히 많은 부분을 플래시 메모리에서 데이터를 복사하는데 사용된다. 결과적으로 부팅 시간을 줄이는 여러 방법들 중 flash-to-memory copy 의 시간을 줄이는 것은 효율 좋은 방법일 수 있다. 본 논문에서는 임베디드 시스템에 탑재되어 있는 플래시 메모리에서 메모리에 복사시 readahead 를 이용하여 복사시간을 효율화하는 방법을 제안한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.44 no.3 s.357
• /
• pp.43-51
• /
• 2007

OneNAND flash combines the advantages of NAND and NOR flash, and has become an alternative to the former. But the advanced features of OneNAND flash are not utilized effectively in demand paging systems designed for NAND flash. We propose delayed dual buffering, a demand paging system which fully exploits the random-access I/O interface and dual page buffers of OneNAND flash demand paging system. It effectively reduces the time of page transfer from the OneNAND page buffer to the main memory. On average, it achieves and 28.5% reduction in execution time and 4.4% reduction in paging system energy consumption.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.126-126
• /
• 2011

삼차원 구조의 낸드 플래시 메모리 소자는 기존 이차원 구조의 메모리 소자를 비례 축소할 때 발생하는 단채널 효과와 간섭효과를 최소화 하면서 집적도를 높일 수 있는 장점 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나, 삼차원 구조의 낸드 플래시 메모리 소자는 공정 과정이 복잡하고 주변 회로 연결이 어려울 뿐만 아니라 금속 접촉에 필요한 면적이 넓은 단점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 Vertical-Stacked-Array-Transistor (VSAT) 구조를 갖는 플래시 메모리 소자가 제안되었으나, VSAT 구조 역시 드레인 전류량이 적고 program과 erase 동작 시게이트 양쪽의 전하 트랩층에 전자와 정공을 비효율적으로 포획해야 하는 문제점을 가진다. 본 연구에서는 기존의 VSAT 구조의 문제점을 개선하면서 집적도를 증가한 삼차원 구조의 고집적낸드 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 본 연구에서 제안한 플래시 메모리 소자의 구조는 기존 VSAT 구조에서 수직 방향의 두 string 사이에 존재하는 polysilicon을 제거하고 두 string 사이에 절연막을 증착하였다. 삼차원 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 이 소자의 동작특성을 시뮬레이션 하였다. 소스와 드레인 사이의 유효 채널 길이가 감소하였기 때문에 기존의 VSAT 구조를 갖는 메모리 소자에 비해 turn-on 상태의 드레인 전류가 증가하였다. 제안한 플래시 메모리 소자의 subthreshold swing (SS)가 기존의 VSAT 구조를 갖는 메모리 소자의 SS 에 비해 낮아, 소자의 스위칭 특성이 향상하였다. 프로그램 전후의 문턱전압의 변화량이 기존의 VSAT 구조를 갖는 메모리 소자에 비해 크기 때문에 멀티 레벨 동작이 가능하다는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.348-348
• /
• 2012

휴대용 저장매체에서부터 solid state disk와 같은 고속 시스템 저장 매체 까지 플래시 메모리의 활용도가 급속도로 커지고 있다. 이에 플래시 메모리에 대한 연구 또한 활발히 진행 되고 있다. 현재 다결정 실리콘을 전하 주입 층으로 사용하는 기존의 플래시 메모리는 20 nm 급 까지 비례 축소되어 활용되고 있다. 하지만 20 nm 이하 크기의 소자에서는 과도한 누설전류와 구동전압의 불안정, 큰 간섭현상으로 인한 성능저하와 같은 많은 문제점에 봉착해 있다. 이를 해결하기 위해 FinFET, Vertical 3-dimensional memory, MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), PRAM(Phase-change Memory)과 같은 차세대 메모리 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 차세대 메모리 구조로 주목 받고 있는 FinFET 구조를 가진 플래시 메모리에서 fin 의 채널영역의 도핑 농도 변화에 의한 20 nm 이하의 게이트 크기를 가지는 소자의 전기적 특성과 프로그램 특성을 3차원 시뮬레이션을 통해 계산하였다. 본 연구에서는 FinFET 구조를 가진 플래시 메모리의 채널이 형성되는 fin의 윗부분도핑농도의 변화에 의한 전기적 특성과 프로그램 특성을 계산하였다. 본 계산에 사용된 구조는 게이트의 크기, 핀의 두께와 높이는 18, 15 그리고 28 nm이다. 기판은 Boron으로 $1{\times}10^{18}cm^{-3}$ 농도로 도핑 하였으며, 소스와 드레인, 다결정 실리콘 게이트는 $1{\times}10^{20}cm^{-3}$ 농도로 Phosphorus로 도핑 하였다. 채널이 형성되는 fin의 윗부분의 도핑농도를 $1{\times}10^{18}cm^{-3}$ 에서 $1{\times}5^{19}cm^{-3}$ 까지 변화 시키면서 각 농도에 대한 프로그램 특성과 전기적 특성을 계산하였다. 전류-전압 곡선과 전자주입 층에 주입되는 전하의 양을 통해 특성을 확인하였고 각 구조에서의 채널과 전자 주입 층의 전자의 농도, 전기장, 전기적 위치 에너지와 공핍 영역의 분포를 통해 분석하였다. 채널의 도핑농도 변화로 인한 fin 영역의 공핍 영역의 분포 변화로 인해 전기적 특성과 프로그램 특성이 변화함을 확인하였다.

• The Magazine of the IEIE
• /
• v.24 no.6
• /
• pp.50-56
• /
• 1997

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.36 no.5
• /
• pp.454-462
• /
• 2023

Flash lamp annealing (FLA) of metal nanoparticle (NP) ink has provided powerful strategies to fabricate high-performance electrodes on a flexible substrate because of its rapid processing capability (in milliseconds), low-temperature process, and compatibility with to roll-to-roll process. However, metal NPs [e.g., gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), etc.] have limitations such as difficulty in synthesizing fine metal NPs (diameter less than 10 nm), high price, and degradation during ink storage and FLA processing. In this regard, organometallic ink has been proposed as a material that can replace metal NPs due to their low-cost (usually 1/100 times cheaper than metal nano inks), low-temperature processability, and high material stability. Despite these advantages, the fabrication of flexible electrodes through FLA treatment of organometallic compounds has not been extensively researched. In this paper, we experimentally guide how to determine the optimal conditions for forming electrodes on flexible substrates by considering material parameters, and flashlight processing parameters (energy density, pulse duration, etc) to minimize the difficulties that may arise during the FLA of organometallic ink.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
• /
• v.17 no.4
• /
• pp.143-148
• /
• 2017

Flash Memory which is light and strong external shock as storage of small electronics like smartphone, digital camera, car black box has been widely used. Since the operation speed of the read operation and the write operation are different from each other, and the flash memory has the feature that it is not possible to overwrite, the delete operation is added to solve these problems. Wear-leveling must also be considered, since the number of erase times of the flash memory is limited. Many studies have been conducted on the substitutional algorithms of flash memory based on these characteristics of recent flash memories. So, to solve the problem that has existing buffer replacement algorithm this thesis divide page into 6 groups and when proposed algorithm select victim page, it consider reference page frequency and page recency.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
• /
• 2007.06c
• /
• pp.92-97
• /
• 2007

차세대 저장매체로 떠오르고 있는 플래시 메모리는 가벼운 무게, 작은 부피 그리고 온도 및및 충격에 강한 내구성, 적은 전력소모, 빠른 자료 접근성 등의 특징을 가지고 있어 MP3 플레이어, 디지털 카메라, PDA, 핸드폰등과 같은 휴대용 전자기기에 저장장치로 사용되고 있다. 하지만 플래시 메모리가 가지는 하드웨어적 특성 때문에 디스크 기반의 저장장치와는 다른 접근 기법이 필요하다. 특히 B+트리가 구축될 때 레코드의 삽입, 삭제연산 및 노드 분할 연산은 많은 중첩쓰기 연산을 발생하기 때문에 플래시 메모리의 성능을 심각하게 저하시킨다. 본 논문에서는 B+트리의 연산이 수행되는 과정에서 플래시 메모리로 예약버퍼의 색인단위를 반출해야 할 때, 이를 효과적으로 처리 할 수 있는 방법을 제안한다.

• Journal of Korean Electronics
• /
• v.23 no.12
• /
• pp.47-54
• /
• 2003

• Journal of Korean Electronics
• /
• v.24 no.10
• /
• pp.58-59
• /
• 2004