• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.6
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• pp.491-497
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• 1993

현재 고도 산업사회에 있어서 전기, 전자공업에 부과된 역활은 매우 중요하다. 이들은 전기에너지의 고품질화, 고속전파성과 전자회로의 고밀도성에 영향을 받는 전기통신, 정보 제어부문과 이들 관련기기, 부품소자등을 구성하는 재료부문의 3분야로 구분된다. 유입변압기에 사용되고 있는 절연재료의 주된 성분은 일반적으로 광유계 절연유 및 절연지나 pressboard등의 cellulose계 재료가 있다. 본 보고에서는 pressboard를 중심으로 절연지의 특징, 응용현황 및 전망에 대하여 살펴보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.10a
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• pp.481-484
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• 1998

전자산업의 급속한 발전과 정보사회로 변화해 감에 따라 각종 전자장비의 사용이 증가하게 되었다. 그러나 전자장비에서 발생하는 전자파에 의한 기기 상호간의 장해현상과 인체에 대한 유해성 등이 새로운 문제로 대두되게 되었다. 이러한 전자파를 효과적으로 차폐하기 위한 하우징 재료를 만들기 위한 여러 가지 노력이 진행되고 있는데 가장 널리 쓰이는 방법은 기존의 재료에 코팅 또는 페인팅 등을 이용하여 전도성 막을 형성시키는 것이나 이는 부가공정에 의한 추가비용, 내구성 등의 문제가 있다. (중략)

• Korean Journal of Materials Research
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• v.34 no.2
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• pp.111-115
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• 2024

Silicon carbide (SiC) has emerged as a promising material for next-generation power semiconductor materials, due to its high thermal conductivity and high critical electric field (~3 MV/cm) with a wide bandgap of 3.3 eV. This permits SiC devices to operate at lower on-resistance and higher breakdown voltage. However, to improve device performance, advanced research is still needed to reduce point defects in the SiC epitaxial layer. This work investigated the electrical characteristics and defect properties using DLTS analysis. Four deep level defects generated by the implantation process and during epitaxial layer growth were detected. Trap parameters such as energy level, capture-cross section, trap density were obtained from an Arrhenius plot. To investigate the impact of defects on the device, a 2D TCAD simulation was conducted using the same device structure, and the extracted defect parameters were added to confirm electrical characteristics. The degradation of device performance such as an increase in on-resistance by adding trap parameters was confirmed.

• 전기의세계
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• v.26 no.5
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• pp.31-32
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• 1977

수출목표 100억불 달성에 매진하고 있는 현시점에서 본 전기학회는 조사사업의 일환으로 전기.전자기업체에서 사용하는 재료의 개발품, 수입품등을 조사하므로서 각기업체 상호간 또 학계와의 간에 편의를 도모코저 다음과 같은 설문을 작성하여 700여개 전기.전자기업체에 발송하여 70여 회사로부터 회신받은 겨로가를 정리하여 보고하는 바이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.11a
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• pp.282-285
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• 1999

The (1-x)MgTiO$_3$-xSrTiO$_3$(x=0,0.1) ceramics were prepared by the conventional mixed oxide method. The structural properties were investigated with sintering temperature and composition ratio by XRD, SEM and DT-TGA. Increasing the sintering temperature from 130$0^{\circ}C$ to 1$600^{\circ}C$, second phase was decreased and grain size was increased. In the case of 0.9 MgTiO$_3$-0.1SrTiO$_3$ ceramics sintered at 130$0^{\circ}C$, dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency were 22.61, 10,928(at 1GHz), +50.26ppm/$^{\circ}C$ , respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1990.10a
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• pp.86-87
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• 1990

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.3-3
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• 2004

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1997.04a
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• pp.206-208
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• 1997

광부품, 광섬유 상호접속을 위한 각 재료의 V-groove가공방법과 그 응용에 대하여 조사하고 직접 V-groove를 제작하였다 각 재료의 V-groove가공에는 장단점이 있다. 따라서 광부품 또는 광섬유 접속시 각 재료의 사용환경에 의하여 가공방법을 결정해야한다. 본 논문은 광부품 상호접속을 위한 현존하는 여러 재료에 따른 V-groove 가공 방법과 그 응용에 대하여 고찰하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.244-244
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• 2011

핵융합장치 내부의 플라즈마 대면재료는 고온의 플라즈마와 직접 대면하므로 수 십 MW/$m^2$에 이르는 큰 열부하에 따른 재료의 물성변화, 즉 고온환경에 따른 재료의 팽윤, 크리프(creep) 변형 그리고 금속이 가역성이나 연성을 잃는 취화현상 등이 중요한 연구주제이다. 고열부하의 인가를 통한 핵융합대면재료의 물성실험은 현재 국내에서는 탄소히터, 열플라즈마 등을 이용하여 이루어지고 있으며 국외에서는 짧은 시간에 큰 열부하를 인가할 수 있는 고출력 전자빔장치가 주요한 열부하실험장치로 활용되고 있다. 본 연구에서는 기초적인 실험이 가능한 고열부하용 전자빔조사장치를 제작하여 대표적인 플라즈마 대면재료인 텅스텐에 60 keV, 30 mA의 전자빔을 조사한 후 고열부하에 따른 텅스텐의 물성변화를 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.266-266
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• 2007

전자재료 산업에서 전극재료용으로 많이 사용되어지는 은 분말은 주로 액상환원법을 이용하여 만들어지고 있으며, 그 적용 분야에 따라 요구되는 분체 특성(모양, 크기, 밀도, 비표면적 등)은 매우 다양하다. 각각의 특성에 부합되는 은 분말은 주로 제조공정 및 공정변수(농도, pH, 교반방법, 반응첨가제 등)등의 인자에 영향을 받으며, 이런 변수들의 조절을 통하여 합성이 가능하다. 본 실험에서는 다양한 변수들에 따라 제조된 은 분말의 분체 특성을 확인하고, 대표적 전극재료 분야에 적용하여 그 특성을 평가하고자 한다.