• 전기의세계
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• v.53 no.8
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• pp.20-23
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• 2004

현재 사용되고 있는 전자디바이스 소자의 기능은 급속도로 변화하고 있는 정보화 사회로의 진입이라는 시대적 요구와 함께 필요한 기능과 수요를 확보하기 위하여 지속적으로 발전하고 있다. 현재까지 연구개발 결과로 몰리브덴과 실리콘으로부터 전계에 의한 전자 방출을 응용한 Flat pannel display (FPD)의 실현 가능성은 확보하였으나, 전극의 첨예화를 기하는 기술이 아직 까지 개발 도상 단계에 있으며, 소자의 경량화와 저전압 구동의 실현을 위하여 해결하여야 할 많은 과제를 안고 있다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.146-147
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• 2002

대용량의 정보를 고속으로 처리하는데 있어서 기존의 전자소자 성능은 제한이 있기 때문에 광소자의 개발과 그 응용에 대한 관심이 증가하고 있다. 광쌍안정 소자는 파장 변환기, 광클럭 발생기, 광신호 재생기, 광논리소자, 광메모리 등의 광 기능소자에 이용될 수 있다. 광쌍안정 소자는 매질의 비선형 특성과 궤환 구조를 필요로 하며, 주요 메커니즘에 따라 흡수형 광쌍안정 소자와 분산형 광쌍안정 소자로 구별된다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.05b
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• pp.294-297
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• 2000

본 연구에서는 압전형 음향변환기를 제작하기 위한 금속과 세라믹스로 적층된 원형의 압전음향소자와 음향변환기 케이스를 설계하였다. 먼저 음향소자인 복합원형평판의 진동운동 방정식을 세우고 그 진동모드를 알아보았다. 음향소자의 세라믹스는 두께 1 mm, 지름 10 mm의 PZT(IV)를 사용하였고, 금속판의 지름과 두께를 다양하게 변화시키면서 음향소자의 공진주파수를 계산하고, 각각의 금속판에 따른 감도지수의 변화를 계산하였다. 설계하고자 하는 음향소자의 공진주파수를 200 KHz로 청하고, 위의 계산을 통하여 음향변환소자에 가장 적합한 금속진동판을 찾아보았다. 음향변환기의 복합원형평판으로 이루어진 음향소자의 물리적 변화에 따른 공진주파수와 감도지수를 구하고 음향변환기 케이스의 공진주파수를 계산하여 압전형 음향변환기에 알맞은 금속진동판과 음향변환기 케이스를 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.184-184
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• 2010

ITO의 전극 패턴에 따른 유기 광기전력 소자의 전기적 특성에 대해서 연구하였다. 소자의 구조는 ITO/PEDOT:PSS(90nm)/CuPc(20nm)/$C_{60}$(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)이고, PEDOT:PSS는 스핀 코팅한 후 $120^{\circ}C$에서 20분간 건조시켰으며, 유기물은 열증착을 하여 제작하였다. ITO 전극의 패턴을 corss-bar type과 island type으로 하여 소자의 특성을 비교하였다. 광원은 500W xenon lamp를 사용하였고, optical density filter로 광원의 세기를 조절하였으며, AM 1.5G의 스펙트럼을 조사하였다. PEDOT:PSS 층을 사용함으로서 유기 광기전력 소자의 효율, 단락 전류, 그리고 개방 전압의 향상을 얻을 수 있었다. ITO 전극 패턴에 따른 광기전력 소자의 특성은 cross-bar type에 비하여 island type의 구조에서 유기 광기전력 소자의 효율이 34% 감소하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.7 no.1 s.12
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• pp.1-8
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• 2003

In this study, the high performance BCD device structure which satisfies the high voltage and fast switching speed characteristics is devised. Through the process and device simulation, optimal process spec. & device spec. are designed. We adapt double buried layer structure, trench isolation process, n-/p-drift region formation and shallow junction technology to optimize an electrical property as mentioned above. This I.C consists of 20V level high voltage bipolar npn/pnp device, 60V level LDMOS device, a few Ampere level VDMOS, 20V level CMOS device and 5V level logic CMOS.

• Composites Research
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• v.32 no.6
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• pp.301-306
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• 2019

Triboelectric nanogenerator (TENG) is one of the energy harvesting methods in spotlight that can convert mechanical energy into electricity. As TENGs produce high electrical output, previous studies have shown TENGs that can power small electronics independently. However, recent studies have reported limitations of TENG due to air breakdown and field emission. In this study, we developed a triboelectric nanogenerator that utilizes the metal-to-metal surface contact to induce ion-enhanced field emission and electron avalanche for electrons to flow directly between two electrodes. The average peak open-circuit voltage of this TENG was measured as 340 V, and average peak closed-circuit current was measured as 10 mA. The electrical output of this TENG has shown different value depending on the surface charge of surface charge generation layer. The TENG developed in this study have produced RMS power of 0.9 mW, which is 2.4 times higher compared to conventional TENGs. The TENG developed in this study can be utilized in charging batteries and capacitors to power portable electronics and sensors independently.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.405-405
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• 2012

InSb는 높은 전자이동도와 낮은 밴드갭을 가지고 있어 저전력 고효율의 고주파소자 및 비선형 광소자에 적합한 물질이다. 특히 InSb 기반 소자들은 전자-포논효과의 영향을 덜 받는 저온에서 고감도 소자로도 사용되고 있는데, 소자의 최적합 설계와 제작시의 실시간 성장제어를 위해서는 넓은 온도범위에서의 InSb의 광물성이 필요하다. 분광타원편광분석법(ellipsometry)은 물질의 광특성인 유전율 함수를 정확하게 측정 할 수 있은 기술로써, InSb 에 대한 유전율 함수는 많은 연구를 통해 잘 알려져 있다. 그러나, 온도변화에 대한 연구로는 100-700 K, 1.2-5.6 eV의 제한된 온도와 분광영역에서만 이루어졌다. 본 연구에서는 보다 확장된 온도범위(25-686 K), 광역 에너지 범위 (0.74-6.5 eV)에서 분광타원편광분석 연구를 수행하였다. 그 결과 저온에서의 전자-포논 효과의 감소로 인한 청색천이와 보다 명확한 전자전이점들의 값을 얻었다. 특히, 100 K 까지의 이전 연구에서는 구분할 수 없었던 $E_2'$ 전이점을 본 연구의 25 K 의 유전율 함수에서 명확히 구분할 수 있었고, 고에너지 영역의 $E_1'+{\Delta}_1+{\Delta}_1'$ 전이점의 온도의존성을 처음으로 연구하였다. 본 연구의 결과는 InSb 를 기반으로 한 광전자 소자의 개발 및 적용분야와 밴드갭 엔지니어링 분야에 많은 도움이 될 것으로 예상한다.

• ETRI Journal
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• v.9 no.4
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• pp.173-183
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• 1987

전자교환기의 가입자 인터페이스 회로를 과전압, 과전류로부터 보호하기 위한 보호소자의 특성비교와 전자교환기에서 필요한 요구조건을 만족하는 최적의 보호회로를 제시하였다.

• Journal of the KSME
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• v.49 no.8
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• pp.26-30
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• 2009

이 글에서는 전자소자 인쇄를 잉크 등의 재료와 언와인더(unwinder), 인피더(infeeder), 프린팅(printing), 아웃피팅(outfeeding), 리와인딩(rewinging) 등의 롤투롤 공정에 대해 살펴본다. 또한 잉크, 소재, 공정 등의 서로 다른 분야의 기술간에 필요한 매칭기술에 대해 알아본다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.10 no.6
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• pp.589-607
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• 1997