• 전자공학회논문지SC
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• 제39권6호
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• pp.1-8
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• 2002

본 논문에서는 시간지연이 존재하고 시스템의 영점이 단위원 밖에 있으며 시스템 파라미터가 변하는 비선형 시스템에 적응하는 신경회로망을 이용한 PID구조를 갖는 일반화 최소분산 자기동조제어기를 제안한다. 신경회로망은 제어기 파라미터를 추정하며 제어 출력은 추정된 제어기 파라미터로부터 얻어진다. 제어 알고리듬의 타당성을 확인하기 위해 시간 지연이 있고 일정한 시간이 경과한 후 시스템의 파라미터가 변하는 비선형 비최소위상 시스템에 대해 컴퓨터 시뮬레이션을 하였다. 그리고 신경회로망을 이용한 직접 적응 제어기와 비교하였다.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제42권5호
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• pp.157-164
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• 2005

기존 적응 표적 탐지 기법의 경우 클러터 특성이 변하는 비 균일 클러터 상황에서는 만족할 만한 탐지성능을 갖지 못한다. 이는 레이다 좌표 공간상으로 변하는 클러터 파라미터를 신호처리 과정에 효과적으로 적용시키지 못함으로 인해 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 클러터 환경에 따른 적용 알고리즘 선택 및 선택된 알고리즘의 파라미터 추출을 가능하게 하는 클러터 분류기 사용이 요구된다 본 논문은 이러한 목적으로 구현된 클러터 환경 분류기에 대하여 기술한다. Visual C++ 환경에서 구현된 본 환경 분류 소프트웨어에서는 적응신호처리에 필요한 파라미터 값 추출 및 알고리즘 선택이 가능하며, 또한 단계별 알고리즘의 수행 결과도 확인할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제12권5호
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• pp.1-5
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• 1975

접합형 트린지스터와 발광다이오드(LED) 및 광도전소자(CdS)로서 구성된 광결합 전류안정부저항회로를 진안하였다. 이는 일반적으로 광트랜지스터보다도 더 예민한 것을 이용하여, CdS와 LED를 밀착 시켜서 LED에 흐르는 전류와 CdS의 실효저항변화로써 결합된 광결합방식을 택하였다. 트랜지스터의 콜랙터-에미터간에 인위적인 누변저항을 삽입하는 방법을 도입함으로써 부저항치 및 최대입력단자전압치를 임의로 변화할 수 있게 하였으며, 제안한 회로를 분석하고 또 이를 실험적으로 확인하였다. 누변저항을 1KΩ에서 30KΩ까지 변화시켰을 때 최대입력단자전압은 1.65V에서 4.22V로 변하였고, 부저항치는 -1.0KΩ에서 -10.0KΩ까지 변하였다. 또 실험치에 대한 계산치에의 상대백분최대오차가 11%이었다. A current stable negative resistance circuit has been constucted with combination of coulplementary symmetrical transistors, a light emitting diode and a photoconductive cell. The negative resistance(Rn) and break-over voltage(VBo) can be set at a designed value according to adjustment of the artificial leakage resistance of p-n-p transistor. The RN and VBo calculated in this designed circuit are checked though the experiments, the errors are found less than 11%.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.87-93
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• 2002

기존의 공진산란이론에서는 하나의 모드에 대한 부분파 산란장이 주파수에 대하여 급격히 변하는 공진성분과 서서히 변하는 배경성분의 합으로 이루어졌다고 가정하고 적당한 배경성분을 제거하여 공진성분을 추출했다. 최근에 음향학 분야에서 산란 5-함수의 곱셈전개에 근거를 둔 새로운 공진 산란이론이 개발되어 왔다. 산란장이 공진성분과 배경성분 이외에 이들의 상호간섭성분으로 구성되어 있다고 제안한 이 이론은 공진성분의 크기뿐만 아니라 위상스펙트럼을 정확하게 얻게 해 주었다. 전자기파 분야에서는 유전체로 코팅된 도체 구 혹은 원통의 산란문제에 이 이론이 성공적으로 적용되었다. 본 논문에서는 유전체 실린더의 전자기파의 산란문제로 이 이론을 확장하고 수치계산으로 그 유효성을 검증했다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.178-178
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• 2008

ZnO 바리스터는 인가되는 전압에 따라 저항이 변하는 전압 의존형 저항체이며 각종 전기 전자 정보통신용 제품에 정전기(ESD) 대책용 소자로 폭 넓게 사용되는 전자 세라믹스 부품이다. 특별히 Bi-based ZnO 바리스터는 다양한 상(phase)으로 구성되어 있으며 그 입계의 전기적 특성은 소량 첨가되는 dopant의 종류에 따라 다양하게 변하는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 Bi-based ZnO 바리스터 (ZnO-$Bi_2O_3$, ZnO-$Bi_2O_3-Mn_3O_4$)에서 각종 유전함수$(Z^*,M^*,\varepsilon^*,Y^*,tan{\delta})$를 이용하여 입계의 주파수-온도에 대한 특성을 살펴 보았다. 일반적인 ZnO 바리스터 제조법으로 시편을 제작하여 78K~800K 온도 범위에서 각종 유전함수를 이용하여 복소 평면도(complex plane plot)와 주파수 응답도(frequency explicit plot)의 방법으로 defect level과 입계 특성(활성화 에너지, 정전용량, 저항, 입계 안정성 등)에 대하여 고찰하였다. ZnO-$Bi_2O_3$(ZB)계와 ZnO-$Bi_2O_3-Mn_3O_4$(ZBM)계 모두 상온 이하의 온도에서 $Zn_i$와 $V_o$의 결함이 나타났으며, 이들의 결함 준위는 각 유전함수에 따라 다소 차이가 났다. 입계 특성으로 ZB계는 이상구간(560~660K)을 전후로 1.15 eV $\rightarrow$ 1.49 eV의 활성화 에너지의 변화가 나타났지만, ZBM계는 이러한 현상이 나타나지 않았다. 또한 입계 전위 장벽의 온도 안정성에 대해서는 Cole-Cole model을 적용하여 분포 파라미터 (distribution parameter; $\alpha$)를 구하여 고찰하였다. ZB계의 입계 안정성은 온도에 따라 불안정해 졌지만, ZBM계는 안정하였다.

• 대한화학회지
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• 제32권6호
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• pp.581-587
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• 1988

EtOH-$H_2O, Acetone-H_2O$의 이성분 혼합용매계에서 치환 브롬화벤질류의 가용매분해반응을 $25^{\circ}C$ 와 $45^{\circ}C$에서 전기전도도법으로 연구하였다. 반응속도상수는 벤젠고리에 전자주게 치환기가 도입되거나, 물함량이 증가할수록 컸으며 전자받게 치환기로 바뀜에 따라 용매의 이온화능, Y에 대한 치환 브롬화벤젠류의 가용매분해반응의 감도, m은 연속적으로 감소하였고, 반면에 친핵도에 대한 감도는 증가하였다. 이 결과로 부터 전자주게에서 전자받게로 치환기가 변함에 따라 전이상태는 loose한 결합상태에서 tight한 상태로 변함을 알 수 있었다. 이 결과는 PES 모형과 양자역학적 해석 방법에 의한 전이상태 구조변화의 논의와도 일치하였다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제13권1호
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• pp.27-31
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• 2002

6MeV 전자선의 output 인자를 결정하기 위해 간편하게 output 인자를 예측하는 수단인 1D(Dimension) 방법을 이용하였으며 그리고 1D 방법으로 결정된 output 인자를 개별적 beam cutout 하에서 직접 측정한 output 인자와 비교하여 1D 방법의 정확성을 분석하였다. 1D 방법은 정방형 field의 한 변과 항상 동일한 한 변을 갖는 사각형 field의 output 인자로서 규정되며, 임의의 사각형 field (X,Y)의 output은 1D output 인자의 곱으로 주어진다. 6MeV 전자선의 대단히 큰 정방형 field의 output은 1D 방법을 사용하면 실제보다 높은 값을 나타내지만 교정인자 CF=C.[(X-10)(Y-10)/$\mid$(X-10)(Y-10)$\mid^{1/2}]$를 적용하면 개별적 cutout하에 직접 측정된 output 인자와 잘 일치하였으며 그 오차 범위는 1% 이내였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1431_1432
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• 2009

본 연구에서는 전자빔에 의해 생성되는 저온 플라즈마의 특성을 시뮬레이션을 통해 알아보았다. 전자빔 소스에서 전자를 생성하여 가속 전압을 인가하여 챔버로 보내고, 챔버 속의 Argon 중성 기체와 전자가 충돌하여 2차 방전을 일으킴으로써 저온 플라즈마가 생성된다. 이 때 중성기체의 압력과 가속전압의 변화에 따라서 플라즈마 밀도와 온도가 변하는데, 어떠한 특성을 가지는지 알아보기 위해 Particle-In-Cell(PIC) 시뮬레이션을 이용하였다. 챔버 내부에서 전자빔과 중성기체에 의한 변화를 관측했고, 이 때 전자빔 소스에서 Negative Acceleration Voltage는 10V~40V, 챔버 내부의 Argon 중성 기체의 압력은 1mTorr~20mTorr 조건하에서 시뮬레이션을 수행하였다. Electron Energy Distribution function (EEDF)을 관찰한 결과, 가속전압이 높을수록 낮은 에너지를 가지는 전자의 수가 증가하여 전자 밀도는 증가하며, 가스 압력이 높을수록 EEDF의 기울기가 커지면서 전자온도는 감소함을 알 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.1607-1613
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• 2008

마이크로 칼럼 기술을 응용한 초소형 자유전자 레이저 모듈의 특성을 연구하였다. 초소형 자유전자 레이저는 전자 방출원과 방사광 발생 장치로 나뉜다. 방사광 발생 장치는 위글러(wiggler)라 불리는데 그리드(grid) 판으로 구성되어 있다. 전자가 위글러를 지나갈 때 규칙적으로 배열된 그리드에 인가된 전압에 의하여 전자의 궤적이 사인(sinusoidal) 함수 모양으로 주기적으로 변하여 방사광을 발생시킨다. 본 연구에서는 초소형 자유전자 레이저 위글러의 매개 변수에 따른 전자빔 궤적을 전산모사를 이용하여 분석하였다. 쌍을 이루는 위글러 간격, 그리드의 폭, 깊이, 주기, 그리고 그리드에 인가된 전압이 전자빔에 미치는 효과를 조사하였다.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• 제27권1호
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• pp.91-109
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• 1997

본 연구에서는 악골에 식립된 순수한 타이타늄 임프란트와 타이타늄 플라즈마 처리된 타이타 늄 임프란트 및 수산화인회석으로 피막처리된 타이타늄 임프란트의 주위 골조직을 광학현미경 과 주사전자현미경을 이용하여 비교 관찾히였다. 3 마리의 beagle dog 에서 상하악 소구치를 편측으로 발거한 후 12 주의 치유기를 거쳐 임프란트 를 식립하였으며, 임프란트 식립 후 4주, 8주 및 12주에 실험동물을 각각 희생시켜서 조직 표본을 제작하였다. 임프란트 주위의 골조직에서 염증이나 이물반응은 관찰되지 않았으며, 정상적인 악골에서와 유사한 골조직 소견이 관찰되었다 상악골 및 하악골에 식립된 모든 임프란트의 4주 표본에서, 골과 임프란트 변의 직접적인 접촉이 관찰되었다. 동일한 치유기에서는, 상악골에 식립된 임프란트의 면에 비하여 하악골에 식립된 동종의 임프란트의 변에서 더 많은 양의 골접촉이 관찰되었으며, 순수한 타이타늄 임프란트의 면에 비하여 피막처리된 타이따늄 임프란트의 변에서 더 많은 양의 골접촉이 관찰되었다.