• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.731-735
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• 2002

Electro-optical (EO) performances for the twisted-nematic (TN)-liquid crystal display (LCD) photoaligned with linearly polarized UV exposure on the poly［4- (fluorocinnamate) phenylmaleimide](PFCPMI) surfaces using a new photodimerization method were investigated. For a new UVLPH (UV linearly polarized during heating) photodimerization method, the photopolymer layers were exposed by linearly polarized UV dichroic polarizer without a specific UV filter during heating at $150^{\circ}C$. The Voltage-transmittance (V-T) curve without backflow bounce in the photoaligned TN-LCD with UV exposure on the PFCPMI surface for 10 min using the UVLPH photodimerization method was observed. For response time measurement, the transmittance characteristics of the photoaligned TN-LCD using the UVLPH photodimerization method on the photopolymer surface was better than that of the photoaligned TN-LCD using the UVLP photodimerization method under a room temperature.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1990년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.76-82
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• 1990

근년에 들어 우리 인류 사회는 우주 개발, 원자력 산업, 일렉트로닉스 산업 분야등에 걸친 눈부신 발전을 이루게 되며서 보다 극한적인 가혹한 환경 조건하에서도 뛰어난 내열성, 내식성, 기계적 강도, 전.자기적 특성등을 가지며 칫수의 정밀도가 좋은 재료를 필수로 하게 되었다. 이에따라 최근 새로이 등장하게 된것이 전기.전자 기능 등의 기능성을 지닌 기능 재료, 내열 구조 재료, 고강도 재료 등으로서 우수한 성능를 갖는 화인 세라믹스인데 이는 요즘 전세계적 으로 미래지향적 고부가가치의 전기.전자 부품, 기계 부품, 광학 부품 및 그 밖의 기타 첨단 산업 분야의 전반에 걸쳐 주목받고 있는 신소재이다. 즉, 종래의 전통적인 세라믹스로서 인식 되어 왔던 세라믹스 재료를 전혀 새로운 생각을 갖고 미래지향적 신소재로 만든 화인 세라믹스 재료가 등장하게 된것이다. 그러나 화인 세라믹스 부품의 제조에 있어서는 소결과정에서의 재료 수축을 피할 수 없는바, 단순 성형, 소결 과정으로만 끝나 실용화되는 제품을 제외한 정밀 기계, 구조용 부품등으로의 활용을 위해선 최종적인 재료의 정도를 내기 위한 기계 제거가공의 후가공 공정을 필수로한다.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.712-715
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• 2018

ZnO 시드 막 위에 수열합성법으로 나노로드를 성장시켰다. 고주파 스퍼터링으로 증착한 ZnO 박막을 $600^{\circ}C$에서 열처리한 후 시드 막으로 사용하였다. 성장된 ZnO 나노로드를 $400^{\circ}C$ 및 $800^{\circ}C$에서 열처리하였다. ZnO 나노로드의 열처리에 따른 구조적 및 광학적 특성을 고찰하였다. ZnO 나노로드를 $400^{\circ}C$에서 열처리함으로써 강도가 크고 반폭치가 좁은 자외선 피크를 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.113-114
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• 2005

We present the effect of substrate temperature on the structural and optical properties of ZnO films grown on sapphire substrate by pulsed laser deposition. Growing at higher substrate temperature results in an increase in the surface roughness. The optimum c-axis orientation of the ZnO films occurs at the substrate temperature of 700$^{\circ}C$ The decay time shows a rapid increase in the substrate temperature from 400$^{\circ}C$ to 500$^{\circ}C$ and falls down gradually as the substrate temperature is approached to 700$^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.139-142
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• 1996

X/40/60 PLZT thin films were prepared by sol-gel processing and annealed by rapid thermal annealing(RTA). X/40/60 PLZT thin films were crystallized at 75$0^{\circ}C$ for 5min by RTA. Hysteresis curves were narrowed and coercive field was decreased from 50kV/cm to 31.2 kV/cm and remnant polarization was also decreased from 14.3$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ to 6.72$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ as La mol% increased. Dielectric constanat and optical transmittance were increased with increasing La mol%.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권6호
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• pp.50-57
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• 1997

TiO$_{2}$ tin films have been grown by MOCVD and their cahracteristics of crystallization and microstructures ahve been invetigated. Envelope mehtods are applied to the analysis of the transmission spectra to obtain the optical constants such as refractive indices and extinction coefficients for the TiO$_{2}$ thin films. The envelope methods are proved to be accurate by simulatin gthe transmission spectra. TiO$_{2}$ thin films start to crystallize at 350.deg.C and then crystallize fully into anatase phase at 400.deg.C or higher temperatures. Activation energies are obtained by plotting the deposition rate with varying the substrate temperature. It is 17.8 kcal/mol for the reaction limited regions. The refractive index and the extinction coefficient of the TiO$_{2}$ thin film at .gamma.=632.8 nm increases from 2.19 to 2.32 and decreases from 0.021 to 0.007, respectively, as the substrate temperature increases from 400 to 600.deg. C.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.530-531
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• 2008

본 논문에서는 우수한 광학 특성으로 활발히 연구되고 있는 광자결정(PCs)과 이를 변형시킨 광자준결정(PQCs) 구조를 설계하고 특성을 평가, 비교하였다. 특성 평가는 cubic 및 hexagonal 기본격자의 PCs와 8-fold PQC 구조를 비교하였으며 각각 동일한 충진률 동일한 굴절률 차이의 조건을 갖도록 설계하여 구조에 따른 PBGs 변화를 살펴보았다. 계산 방법은 Maxwell 방정식을 이용한 finite difference time domain (FDTD) 전산모사법을 사용하였다. 본 연구의 결과로부터 잘 설계된 2차원 PQCs는 낮은 굴절률차이(${\Delta}n$)의 물질 구조에서도 완전한 광자밴드갭(photonic bandgaps: PBGs)를 가질 수 있다는 것을 확인하였다. 본 연구진은 다중회전 홀로그래피 방법 (multi-rotational holographic method)을 이용하여 설계된 PQCs를 완벽하게 재현하려는 공정을 진행 중에 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.784-789
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• 1998

In this work, the optical properties of freestanding GaN single crystalline substrate grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) were investigated. The low temperature PL spectrum in freestanding GaN consists of free and bound exciton emissions, and a deep DAP recombination around at 1.8eV. The optically-pumped stimulated emission in freestanding GaN substrate was observed at room temperature. At the maximum power density of 2MW/$\textrm{cm}^2$, the peak energy and FEHM of stimulated emission were 3.318 eV and 8meV, respectively. The excitation power dependence on the integrated emission intensity indicates the threshold pumping power density of 0.4 MW/$\textrm{cm}^2$.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권4호
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• pp.338-343
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• 1991

활성화된 반응성 증발법을 이용하여 비저항 .rho.=1*$10^{-3}$.OMEGA..cm, 이동도 .mu.=4*$10^{3}$$cm^{2}$/V.sec이고 두께가 약 400.angs.인 In$_{2}$O$_{3}$ 박막을 실온에서 유리기판에 생성시켰다. 광투과율은 파장 400-800nm범위에서 80% 이상으로 나타났고 구조는 무정형인 것으로 나타났다. 낮은 저항의 In$_{2}$O$_{3}$ 박막은 Ar과 $O_{2}$의 압력을 적적히 조절함으로서 얻을 수 있을 것으로 분석되었고 약 350.deg.C의 온도로 30분간 열처리로서 정형화할 수 있는 것으로 판단되었다. 또한 증발율, 이동도 및 저항과 캐리어 농도와의 상관관계도 고찰하여 보았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.693-699
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• 1998

In this work $Cd_4GeS_6:Co^{2+}$(0.5mole%) single crystals were grown by the chemical transporting reactiov(CTR) method using high purity(6N) elements. The grown single crystals crystallized in a monoclinic structure(space group Cc). The direct optical energy gap of this single crystals was found to be 2.445eV at 300K and the temperature dependence of optical energy gap was fitted well to Varshni equation. But at temperatures lower than 70K an anomalous temperature dependence of the optical energy gap was obtained. This anomalous temperature dependence accored well with the anomalous temperature dependence of the unit cell volume. Also, the entropy, enthalpy and heat capacity were deduced from the temperature dependence of optical energy gaps.