• Electric Engineers Magazine
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• v.257 no.1
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• pp.33-40
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• 2004

나. 계기용 변성기 - (1) PT의 경우 - 그림1·59단자간 저항측정으로 단선이나 단란이 아닌 것이 확실하면 <그림1·59>와 같이 고압측 끼리 접속하고, 한쪽의 저압측에서 전압조정기를 통하여 전압을 가하고, 이 전압과 다른쪽의 저압측 전압을 비교한다. 대략 정격전압까지 더하여 양편의 전압계의 차가 1~2%이면 문제없다. (중략)

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.11 no.3 s.41
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• pp.57-70
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• 1996

본 고에서는 IEEE의 표준안테나 방법과 표준전장 방법의 두 가지 전계강도 측정방법을 고찰하였다. 표준 안테나 방법은 측정될 전계에 의해 표준 수신안테나에 형성된 수신전력 또는 개방전압을 측정하고 측정된 전압과 표준안테나의 치수 및 형태로부터 전계강도를 계산하는 방법이다. 표준 전장 방법은 측정될 전장 및 표준 전장에 의해 안테나에 나타나는 전압을 비교하는 방법이다. 표준전장의 크기는 전송안테나의 치수, 전류분포, 이격거리, 대지효과에 의해 계산된다. 범용적인 전계강도의 보정과 마이크로웨이브 주파수까지 확장된 전계강도 측정방법을 포함한 전계강도 측정절차에 관한 사항이 요약되었다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.52 no.5
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• pp.183-189
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• 2015

In this paper, we propose an efficient implementation method that current-voltage sourcing and measuring for LED using (+) single power. this method has the advantage of reducing the error of the circuit and calibration of system, and also improving the complexity of hardware than the method of using a (+)(-) current or voltage sourcing and measuring.

• Journal of the Korean Society for Railway
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• v.11 no.3
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• pp.248-256
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• 2008

The study aims at verifying no generation of electrical power induced noise voltage on telecommunications lineside cable by analyzing the practical findings of noise voltage produced at the telecommunication lines in the vicinity of electrified high-speed railways like KTX, while proposing to make the current standard measurement circuit along with its measuring conditions revised in compliance with international ITU-T recommendations by identifiably finding out the present problems in balance level measuring instruments as well as their errors in the measurement method now applicable by local telecommunications companies and the Radio Research Laboratory.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.9
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• pp.1771-1777
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• 2016

In this thesis, the breakdown voltage characteristics of silicon nanowire N-channel GAA MOSFETs were analyzed through experiments and 3-dimensional device simulation. GAA MOSFETs with the gate length of 250nm, the gate dielectrics thickness of 6nm and the channel width ranged from 400nm to 3.2um were used. The breakdown voltage was decreased with increasing gate voltage but it was increased at high gate voltage. The decrease of breakdown voltage with increasing channel width is believed due to the increased current gain of parasitic transistor, which was resulted from the increased potential in channel center through floating body effects. When the positive charge was trapped into the gate dielectrics after gate stress, the breakdown voltage was decreased due to the increased potential in channel center. When the negative charge was trapped into the gate dielectrics after gate stress, the breakdown voltage was increased due to the decreased potential in channel center. We confirmed that the measurement results were agreed with the device simulation results.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.449-449
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• 2008

전기 흡수 방법과 변조 광전류 분광학을 이용하는 방법으로 내장 전압을 측정할 수 있다. 이 논문에서는 변조 광전류 분광학을 사용하였다. 소자에 인가 전압이 영일 때 양극과 음극의 일 함수 차이 때문에 내장 전압이 존재하며, 그로 인해 내장 전기장이 생긴다. 유기 발광 소자의 광전도도는 엑시톤이 자유 전자와 정공으로 분리될 때 발생한다. 이 때 발생되는 광전류의 크기와 광전류의 위상 변화를 측정하여 내장 전압을 추정한다. 소자의 구조는 두 전극 사이에 단층으로 하여 만들었으며 모든 소자에서 발광층인 $Alq_3$ 두께는 150nm로 하였고, 양극으로는 ITO를 사용하였으며, 음극으로는 Al과 LiAl을 100nm 두께와 150nm두께로 하였다. ITO/$Alq_3$/Al 소자 구조에서 Al 100nm 와 150nm 로 두께 변화를 주었으나 내장 전압은 1.0eV로 변화가 없었다. ITO/$Alq_3$/LiAl 소자 구조에서 LiAl이 100nm 와 150nm 두께 변화에서도 내장 전압은 1. 8eV로 같은 크기를 보였다. 이로 부터 전극의 두께와는 상관없이 일정한 내장 전압이 측정됨을 알 수 있었다. LiAl을 사용한 소자의 경우 Al을 음극으로 사용한 소자에 비해 내장 전압이 0.8eV 증가되었다. 이는 LiAl의 일함수가 Al보다 낮은 값을 갖는 것과 일치하는 결과이다. 이런 결과가 나온 까닭은 LiAl을 음극으로 사용한 경우에는 자유로운 $Li^+$이 발생하여 유기물에 더 좋은 전자 주입이 되도록 하여 소자의 전자 장벽을 낮추었기 때문에 전자의 주입이 활발하여 광전류의 이동이 용이했음을 알 수 있다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.4
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• pp.293-299
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• 1998

An objective of this study is to develop a voltage measuring device that uses a gas-filled switch (GS) on 22.9 kV-y extra-high voltage distribution lines. The voltage measuring device proposed in this paper is a kind of capacitive divider which consists of a detecting electrode attached outside of the bushing of GS, an impedance matching circuit, and a voltage buffer. It can be easily installed in an established GS without changing the structure. For the calibration and application investigations, the voltage measuring device was set up in the 25.8 kV 400 A GS, and a step pulse generator having 5 ns rise time is used. As a result, it was found that the frequency bandwidth of the voltage measuring device ranges from 1.35 Hz to about 13 MHz. The error of voltage dividing ratio which is evaluated by the commercial frequency voltage of 60 Hz was less than 0.2%. In addition, voltage dividing ratio in the commercial frequency voltage and in a non-oscillating impulse voltage were compared, and their deviation were less than 0.7%.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.155.2-155.2
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• 2015

OLED 소자 제작 과정에서는 증착 과정이 필요하다. 따라서 증착 과정에서의 변화도가 소자의 성능 및 수명에 큰 영향을 미친다. 이와 관련하여 소자 증착시 조건을 다르게 하여 OLED의 특성이 변함을 관찰하였다. OLED는 전자수송층, 정공수송층, 발광층과 이들을 중심으로 이들의 역할을 도와주는 보조층들로 이루어져 있다. 각각의 유기층들이 증착조건의 변화에 따라 어떤 변화가 있는지 캐패시턴스 측정을 통해 분석해 보았다. OLED에 전압을 걸고 측정한 캐피시턴스에 따라 구동 전압, 해당 전압에서의 변화 등을 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.187-189
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• 2002

일반적으로 상용주파수에서의 대지는 입력전류의 크기에 따라 일정한 저항체로 다루어 질 수 있으며, 접지도체 임피던스도 무시할 수 있고 접지도체 전체가 등전위로 볼 수 있다. 그러나 써어지 전류 유입시에는 주파수가 수백 MHz 이므로 접지도체 임피던스에 의한 전압강하가 크게 될 뿐 아니라 써어지 전류 유입점의 도체전위가 매우 많이 상승하게 된다. 따라서, 본 논문에서는 운전중인 변전소 안전측면에서 접지임피던스와 보폭 및 접촉전압 등의 위험전압측정을 통한 안전성을 검토하였다.

• 전기의세계
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• v.46 no.8
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• pp.41-46
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• 1997

최근 가스절연변전소와 같은 컴팩트화된 전력설비의 사용으로 과도전압 및 충격전류의 측정시 오차를 유발시키고 장해를 가져오는 요인 중에서 가장 현저한 것은 전자계 현상이며, 이에 대한 대책과 장해의 제거방법이 검토되어야만 한다. 또한 전력기기의 사용 중에 발생되는 과도전압과 충격전류는 진행파로서 작용하여 발생지점과 측정위치에 따라 달라지므로 종래의 저항분압기, 용량성분압기로는 정확한 측정이 불가능하기 때문에 전기적 신호의 과도적 현상을 직접 감지할 수 있는 측정장치가 필요하다. 다음의 3가지 고전압 측정기술은 피측정대상에 따라 가장 적합하게 제안된 것으로 측정응답을 개선하고 전자계의 영향을 최소화함으로써 정확한 측정이 가능하다.