본 연구에서는 dipyridinium dithioacetate 분자를 Au(111) 표면에 자기조립하여 STM 탐침-유기 단분자막-Au(111)기판의 수직구조로 STM 측정시스템을 이용하여, 전기적 특성을 관찰하였다. 먼저 Au(111)기판을 Piranha용액$(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$으로 Au 표면을 전처리 하였다. 전처리한 Au(111) 기판을 dipyridinium dithioacetate 1mol/ml 농도로 자기조립 하였으며, 자기조립막의 표면 구조를 STM으로 관찰하였다. dipyridinium dithioacetate의 전기적 특성은 STM 탐침-유기단분자막-Au(111) 기판의 수직구조로 STS를 이용하여 조사하였다. 전압과 전류 측정에서 전압이 증가함에 따라 전류가 감소하는 부성 미분저항(NDR)의 특성이 관찰 되었다. NDR 수치가 $-545\;[m\Omega/cm^2]$였고, PVCR은 1.64:1 이었다.
본 논문에서는 이동통신 장치에 사용되는 다이오드 검파기와 로그 칩형 검파기를 설계하고 이를 서로 비교하여 그들의 용도를 명확히 제시하였다. 다이오드 검파기는 입력 신호의 세기 $-40dBm{\sim}-10dBm$의 변화에 대하여 $0{\sim}0.7V$의 검출 전압이 측정되었으며, 이것은 미세한 신호변화를 검출하기에 적합한 특성을 갖는다. 그리고 로그 칩형 검파기는 입력전력 $-65dBm{\sim}0dBm$의 변화에 대하여 $1.5V{\sim}4.5V$의 출력 전압을 얻었으며, 대체로 넓은 동작범위를 나타내고 있다. 따라서 로그 칩형 검파기는 넓은 입력 신호전력에 대하여 좁은 검출 전압이 측정되어, 그것의 감도가 둔감하게 나타나므로 피크전력 측정에 적합함을 알 수 있다.
이온빔 소스는 반도체 및 디스플레이 공정에 있어, 표면 에칭 및 증착 등 여러 응용 분야에 활발히 이용되고 있다. 본 연구에 사용된 원형 이온빔 소스는 선형 이온빔 소스의 가장자리에서의 특성 분석을 위해 제작되었으며, 높은 직류전압과 자기장 공간에서 플라즈마를 방전시키고 발생된 이온들을 가속시켜 높은 에너지의 이온빔을 발생시킨다. 이온빔 특성 분석을 위해 전위지연 탐침과 패러데이 탐침을 개발하였다. 전위지연 탐침은 격자판에 전압을 인가하여 선택적으로 이온을 수집하고, 이온의 에너지분포함수를 측정한다. 패러데이 탐침은 이온 수집기와 가드링으로 구성되어 수집기 표면에 일정한 플라즈마 쉬스를 형성하여 정확한 이온전류밀도를 측정한다. 본 연구에서는, 아르곤 기체를 이용하여 기체유량(8~12 sccm) 및 방전전압(1~2 kV)에 따라 방전전류 16~54 mA, 소모전력 16~108 mW의 특성을 보였다. 운전압력은 0.4~0.54 mTorr이며, 이온소스로부터 18 cm 거리에서 이온전류밀도와 이온에너지분포를 측정하였다. 또한, 중공음극선을 이용하여 인위적으로 전자를 이온 소스에서 발생된 플라즈마에 공급하고 이온빔 및 플라즈마의 특성 변화를 위 시스템에서 분석하였다.
본 논문에서는 수동형 RFID 시스템을 이용한 무선 전력 전송을 위해 910MHz 대역에서 동작하는 정류회로를 두 종류의 쇼트키 다이오드 HSMS_2822와 HSMS_2852를 사용하여 설계한 후 입력 전력, 부하 저항에 따른 출력 전압을 측정하여 RF-DC 변환 효율을 비교 분석하였다. 입력 전력이 -20~17dBm에서 HSMS_2822를 사용했을 때보다 HSMS_2852를 사용한 경우 변환 효율이 더 높게 나타났다. 제작된 정류회로와 다이폴 안테나를 이용하여 RFID 리더기가 동작할 때 거리에 따른 수선되는 전압과 전류를 측정하였으며, 50cm 떨어진 거리에서 2.5V의 전압과 5.75mA의 전류가 측정되었다.
정현파 자속밀도 조건에서 연자성 재료의 교류자기손실을 측정하기 위한 새로운 방법을 제시하였다. 본 방법은 입력전압파형을 결정짓기 위해 통상 이용하는 $H_i(B_i)$곡선대신 $V_{in}$(B)곡선을 이용함으로서 자기장, 자속밀도 그리고 입력전압간의 위상차를 고려할 필요가 없이 직접 입력전압파형을 얻을 수 있어 프로그램이 간편하게 되는 장점을 가지고 있었다. 개발된 측정방법의 유효성을 1 kHz, 10 kHz 주파수에서 페라이트 코어로 확인할 수 있었다.
유기물을 이용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자는 저전압 구동, 간단한 공정과 플렉서블 모바일에 응용 가능성 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 나노복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성에 대한 연구가 많이 진행되었으나 고분자를 저장매체로 사용한 메모리 소자의 전기적 특성에 대한 연구는 미흡하다. 본 연구에서 poly (methylmethacrylate) (PMMA)와 poly (3-hexylthiophene) (P3HT) 혼합한 용액을 이용하여 제작한 메모리 소자의 전기적 특성을 연구하였다. P3HT와 PMMA를 같이 클로로벤젠에 용해한 후 초음파 교반기를 사용하여 두 물질을 고르게 섞었다. Indium-tin-oxide가 코팅된 유리 기판 위에 제작한 고분자 용액을 스핀 코팅하고, 열을 가해 용매를 제거하였다. P3HT박막 위에Al을 상부전극으로 열증착하여 소자를 제작하였다. 제작된 소자의 전류-전압(I-V) 측정결과는 같은 전압에서 전도도가 큰 ON 상태와 전도도가 작은 OFF 상태의 큰 ON/OFF 전류비율을 가진 전류의 히스테리시스를 보여주었다. P3HT를 포함하지 않은 소자의 I-V 측정결과는 전류의 히스테리시스 특성이 보이지 않았고 이것은 P3HT 박막이 메모리 특성을 나타내는 저장매체가 됨을 알 수 있었다. 소자의 전류-시간 특성 측정 결과는 전류의 ON/OFF 비율이 시간에 따라 큰 감쇠 현상 없이 오랫동안 지속적으로 유지됨을 보여줌으로 소자의 동작 안정성을 알 수 있었다.
최근 높은 임계전류를 지닌 고온초전도선재를 이용한 초전도 전력기기의 개발이 활발히 이루어지고 있다. 고온초전도선재의 임계전류는 자장에 대한 의존성을 지니고 있으며 이로 인해 고온초전도선재가 코일의 형태로써 초전도 전력기기의 개발에 이용되는 경우, 권선 방식에 따라 다른 전기적 특성을 지니게 된다. 이러한 특성은 초전도선재의 전력기기의 효율에 큰 영향을 미치므로 권선 방식에 따른 코일의 특성을 연구하는 것은 초전도선재를 이용한 전력기기의 효율을 높이는데 있어서 중요한 의미를 갖는다. 본 논문에서는 권선 방식에 따른 코일의 특성을 비교하기 위해 동일한 턴 수와 사용 선재길이를 가진 팬케이크 코일과 솔레노이드 코일을 설계, 제작하고 두 코일의 임계전류를 측정하였다. 또한 인가전류에 대한 두 코일의 전압, 저항특성과 교류손실 특성을 측정하고 비교하였다. 측정결과, 두 코일의 임계전류는 솔레노이드 코일이 109A로 팬케이크 코일에 비해 약 $36\%$ 더 높았다. 코일에 가해준 인가전류가 증가함에 따라 코일에서 발생하는 전압 중 손실에 관련된 저항성 성분의 전압이 변화하고 있음을 확인하였다. 또한 교류손실은 인가 전류의 피크값이 팬케이크 코일의 임계전류 이하인 구간에서 팬케이크 코일이 솔레노이드 코일의 교류손실보다 9배 크며, 팬케이크와 솔레노이드의 임계전류 사이에서는 8.3배 컸다.
초소형 전자 칼럼에서 이중 편향기는 칼럼의 왜곡 수차의 최소화 및 FOV(field of view)의 극대화 효과를 위하여 사용하고 있다. 이러한 효과를 관찰하기 위하여 이중 편향기에 서로 반대로 전압을 인가한 상태에서 FOV와 주사 폭의 변화에 대한 실험을 진행하였으며, 최대 FOV와 주사 폭에 대한 적정 조건을 얻기 위한 각 편향기의 인가 전압과 전자 방출 팁 전압의 관계를 조사하였다. 또한 전자 방출 팁 전압에 의한 줌 기능의 선형성과 줌 한계를 측정하여 분석하였다.
잘 교정된 유도성 전압 분할기는 다른 교류 전압 분할기들을 비교 교정하기 위한 전압비의 표준기로서 사용되어질 뿐 만 아니라 각종 임피던스 정밀측정용 브리지의 비례 arm으로서 사용이 되어진다. 이러한 유도성 전압 분할기를 비교교정 하기 위한 교정시스템이 연구제작이 되었다. 본 연구 논문에서는 제작방법, 교정방법, 그리고 오차 등에 대하여 관하여 논의하고 실제교정결과와 분석된 결과를 비교한다.
본 논문은 전압 이벤트 현상 중 순간전압강하(Sag) 현상에 초점을 맞추었다. Sag 현상의 심각한 정도를 표현하는 심각도(Voltage Sag Severity) 지수는 동일 지속시간에 대한 임계치와의 비로 표현하였다. 제안하는 확장된 심각도(Expanded Severity) 지수는 sag현상의 분포에 따른 일시반복성의 정보를 표현하였다. 기존의 임계치를 표현하는 ITIC curve를 기반으로 된 심각도와 sag 현상이 발생하는 지속시간-전압 그래프의 분포를 fuzzy clustering을 통하여 medoid를 측정하고, medoid의 심각도와 실제 임계치에 근접한 sag 지점의 심각도를 계산하여 비교하였다. 확장된 심각도 지수는 심각도가 높은 현상들과의 연계성을 나타내는 지수로 심각한 정도의 수치 정보 이외에 일시적인 현상인지 지속 반복적인 현상인지를 0과 1사이의 수치로 표현하였고, 실험을 통하여 입증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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