The design, fabrication, and measured result of a 4.7 GHz differential VCO (Voltage Controlled Oscillator) for a 5.2 GHz WLAN (Wireless Local Area Network) applications is presented. The circuit is designed in a 0.35 mm technology employing three metal layers. The design is based on a fully integrated LC tank using spiral inductors. Measured tuning range is 10% of oscillation frequency with a control voltage from 0 to 3.0 V. Oscillation power of $\square$ 2.3 dBm at 4.63 GHz is measured with 21 mA DC current at 3V supply. The phase noise is $\square$ 104.17 dBc/Hz at 1 MHz offset.
In this paper, We have designed and fabricated VCO in two way, the common source and common gate circuit for I local oscillator of 60 GHz wireless LAN system. The VCO employed a GaAs MESFET for negative resistance and a varactor diode for frequency tuning. The common gate VCO was measured the phase noise -112 dBc/Hz at the 1 MHz frequency offset. The output power and the second harmonic frequency suppression were 7.81 dBm and -29.3 dBc when tuning voltage was 3V, respectively. The total size of VCO was 28.6$\times$12.14 $\textrm{mm}^2$.
A Ku-band Push-push VCO for low cost applications is proposed. The proposed push-push oscillator achieves a wide tuning range in Ku-band by the collector bias tuning instead of extra varactor diodes. The measurement shows a wide tuning range of 900MHz, fundamental suppression of -30dBc and good phase noise of -115dBc@1MHz offset.
A voltage controlled oscillator for the local oscillator in 380 MHz TRS handset is designed and fabricated. To improve the phase noise characteristics, the NEC's 2SC4226 transistor with NF=1.2 at 1 GHz and Toshiba's 1SV229 varactor diode with Q=70 are used. And an inductor of VCO is realized by microstrip line. At the bias condition of 5 V and 10 mA, the output power and phase noise in the operating frequency range of 357∼387 MHz are above 3.7 dBm and 111 dBc/Hz at 12.5KHz offset from the carrier, respectively. And FM sensitivity deviation are within ±0.4 KHz. This VCO is well suited for TRS handset.
The MESFET can be used as a three-terminal varactor by employing gate depletion capacitance Cg. In this paper, a novel VCDRO(voltage controlled dielecric resonator oscillator) is designed to apply VCDRO with this concept. The VCDRO produced 6.33dBm output power at a frequency of 11.058GHz and tunning bandwidth of 45MHz. The advantage of using the MESFET as a three-terminal varactor is to let the MESFET play both roles at the same time, thus simplifying the circuit configuration and fabrication. This finding demonstrates the potential of using both real and imaginary parts of the equivalent impedance of the active device.
A general method for both reduced VCO gain ($K_{vco}$) and wide frequency band is to use the switched-capacitor bank LC VCO. However, $K_{vco}$ can fluctuate widely in the wide oscillation frequency range of the VCO. In this paper, a design of wide-band VCO with improved frequency-voltage gain performance is presented. Optimized multiple varacter switching technique is used for reducing its frequency-voltage gain variation.
Various CMOS quadrature-voltage-controlled oscillators(QVCOs) are designed and fabricated for the comparison of the phase noise. The core VCO is composed of two Colpitts oscillators which are cross-coupled with PMOS pair. For the comparison of phase noise with the proposed scheme, the conventional LC VCO followed by the frequency-divide-by-two is designed. The simulation result demonstrate that the proposed scheme shows better phase noise performance by 6dB than that of a conventional scheme in which LC VCO is followed by the frequency-divide-by-two.
RF 송수신기 설계 분야에서 활발하게 연구하고 있는 융복합 단일칩 설계 기술은 차내 무선망을 위한 차량 무선 단말기에도 적용 가능하며, 이의 실현을 통하여 좀 더 경제적이고 소형화된 차내 융복합 시스템을 구현할 수 있다. 제안된 광대역 전압제어 발진기는 차내 무선망에 사용할 수 있는 표준인 CDMA, PCS, GSM850, 끌림, WCDMA, WLAN, Bluetooth, WiBro, S-DMB, DSRC, GPS, DVB-H/DMB-T/H(L Band) 등의 주파수 대역을 만족시킬 수 있도록 제안된 frequency planning을 따른다. 또한, cross-coupled된 트랜지스터 한 쌍과 MOS varactor에 PMOS를 채택함과 동시에, capacitor array에서는 differential 스위칭을 사용함으로써 위상잡음을 개선하였다. 측정결과, $5.3{\sim}6.0\;mW$의 전력을 소모하며, 주파수 대역은 $4.05{\sim}5.62\;GHz$ (33%의 tuning range)이고 위상잡음은 1 MHz의 offset 주파수에서 -117.16 dBc/Hz이며 이때 figure of merit (FOM)은 $180.5{\sim}180.8$이다.
본 논문에서는 0.15-㎛ GaAs pHEMT 공정을 이용하여 설계된 버랙터 없는 W-band(75-110 GHz) 전압제어 발진기(VCO)를 소개한다. 능동 인덕터를 활용하여 버랙터 없는 주파수 조절을 구현하였으며 능동 인덕터 회로는 게이트가 종단된 공통 게이트 스테이지를 이용하였다. 해당 능동 인덕터는 시뮬레이션 결과 기존의 버랙터 다이오드와 비교하여 넓은 주파수 조절 범위와 높은 Q-인자를 갖는다. 발진기 코어는 소스 피드백이 포함된 Colpitts 구조를 사용하였다. 구현된 버랙터 없는 W-band VCO의 측정 결과 88 GHz에서 5.7 dBm의 높은 출력 전력과 5.8 %의 주파수 조절 범위를 얻었으며 이 때 dc 전력 소모는 146 mW였다. 또한 해당 회로는 컴팩트한 레이아웃 디자인을 통해서 0.48 mm2의 작은 사이즈로 구현되었다.
본 논문에서는 송신기의 전력효율을 고려하여 C급 전력증폭기를 사용함에 있어서 기존의 대역제한된 BPSK 변조의 경우 증폭기의 비선형성으로 인해 출력 스펙트럼의 측대파가 증폭기를 통과하기 전보다 증가되는 현상이 발생하는데 이를 줄여주기 위해 일정 진폭특성을 갖는 CE-CPSK변조 직접대역확산 송수신기를 제안하였다. 직접대역확산 수신기의 동기 추적루프의 성능을 분석하기 위해 두경로 레일리 페이딩 채널로 모델링하였다. 동기추적 장치는 아날로그 지연동기루프의 단점인 조, 만 간의 이득 불균형을 개선한 디지털 지연동기루프로 구현하였다. 동기 추적 과정인 디지털 지연동기 루프의 성능은 칩당 샘플링의 수가 증가할수록 신호 대잡음비가 증가할수록 전압 제어 발진기의 최대주파수 편차가 작을수록 좋아짐을 볼 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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