• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07e
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• pp.1693-1695
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• 1998

콘덴서에 고압으로 축적된 에너지를 부하로 전달해주는 스위칭기술은 고전압 펄스 파워 분야에서 아주 필수적이다. 이러한 관점에서 볼 때, 트리거 갭 스위치는 흔히 연구실에서 용이하게 사용할 수 있고, 갭 간격을 조정함에 의해 방전전압을 가변할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 트리거 갭 스위치는 트리거 방전없이 생기는 자가방전이 발생하거나 트리거 방전이 생겨도 주방전이 일어나지 않는 경우가 있다. 본 연구에서는 이러한 일반 트리거 갭의 단점을 보완하고 확실하게 동작하는 갭 스위치의 제작에 필요한 데이터 확보를 위해 Nd:YAG 레이저를 트리거 갭 스위치 음극에 조사해 전극사이의 거리 g와 압력에 따른 최소트리거전압 $V_{T.min}$의 특성을 파악하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2017.05a
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• pp.197-199
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• 2017

This paper presents a jitter characteristic improved phase locked loop (PLL) with an RC time constant circuit. In the RC time constant circuit, LPF's voltage is inputted to a comparator through small and large RC time constant circuits. The negative feedback loop reduces the variation of loop filter output voltage resulting in jitter characteristic improvement.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.243.2-243.2
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• 2013

본 실험에서 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막에 따른 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터를 제작하여, 온도변화에 따라 전달 특성 변화를 측정하여 열에 대한 소자의 안정성을 비교, 분석하였다. 온도가 증가함에 따라 carrier가 증가하는 온도 의존성을 보이며, 이로 인해 Ioff가 증가하였다. multiple-trapping 모델을 적용하여, 이동도 증가와 문턱 전압이 감소를 확인하였다. 또한 M-N rule을 적용하여 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막을 가진 ITZO 산화물 박막 트랜지스터의 활성화 에너지를 추출하고, sub-threshold 지역에서 활성화 에너지의 변화량이 $SiO_2$, SiNX 각각 0.37 eV/V, 0.24 eV/V로 차이를 통해 $SiN_x$ 게이트 절연체를 가진 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터의 이동도와 문턱 전압의 변화가 더 컸음을 확인하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.1
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• pp.74-79
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• 2002

The EM(Engineering Model) VCO(Voltage Controlled Oscillator) is nonlinear designed for LO(Local Oscillator) of Ka-band satellite transponder. The microstripline coupled with dielectric resonator is implemented as a high impedance inverter to improve the phase noise, and the quality factor of resonant circuit can be transferred to active device with the enhanced loaded quality factor. The developed VCO has the oscillating tuning range of 9.7965~9.8032 GHz for the control voltage range of 0~12 V. This VCO requires the DC power of 8 V and 17 mA. The phase noise characteristics are -96.51 dBc/Hz @10 KHz and -116.5 dBc/Hz @100 KHz, respectively. And, the output power of 7.33 dBm is measured.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.10
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• pp.678-686
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• 2001

Origins for the transconductance dispersion and the gate leakage current in a GaAs metal semiconductor field effect transistor were found using capacitance deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements. In DLTS spectra, we observed two surface states with thermal activation energies of 0.65 $\times$ 0.07 eV and 0.88 $\times$ 0.04 eV and an electron trap EL2 with thermal activation energy of 0.84 $\times$ 0.01 eV. Transconductance was decreased in the frequency range of 5.5 Hz ~ 300 Hz. The transition frequency shifted to higher frequencies with the increase of temperature and the activation energy for the change of the transition frequency was determined to be 0.66 $\times$ 0.02 eV. From the measurements of the gate leakage current as a function of the device temperature, the forward and reverse currents are coincident with each other below gate voltages lower than 0.15 V, namely Ohmic behavior between gate and source/drain electrodes. The activation energy for the conductance of electrons on the surface of MESFET was 0.63 $\times$ 0.01 eV. Comparing activation energies obtained by different measurements, we found surface states H1 caused the transconductance dispersion and the fate leakage current.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.357-358
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• 2014

본 논문에서는 태양광 모듈의 최대 전력점을 추종하기 위한 제어 기법으로 부스트 컨버터(boost converter)의 불연속 전류모드(Discontinuous Current Mode)에서 주파수를 제어하는 기법을 구현 하였다. 태양광 모듈에 연결된 부스트 컨버터는 전압루프를 통하여 Perturb and Observation(P&O)기법을 사용하여 최대 전력점을 추종하였다. 부스트 컨버터의 인덕터에 흐르는 전류는 불연속 전류모드로 제어 된다. 불연속 전류모드에서의 제어기 설계는 MATLAB과 PSIM의 전달함수특성을 수학적 모델링을 통하여 비교 검증 하였으며, 모든제어는 MCU(TEXAS INSTRUMENTS사의 DSPF28335)를 통해 디지털로 제어 하였다. 제안된 기법은 단일 PV모듈이 연결된 불연속전류모드 부스트 컨버터를 통해 동작특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.112-112
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• 2011

유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)는 낮은 공정비용과 기존의 고체 실리콘 트랜지스터로서 실혐 할 수 없는 플렉시블 디스플레이, 스마트카드, 태양전지 등의 매우 넓은 활용범위로 각광받고 있는 연구 분야 중 하나이다. 본 연구에서는 열 증발 증착장비(Thermal Evaporator)를 이용하여 펜타센을 활성층으로 사용한 유기박막 트랜지스터를 제작하였다. Heavily doped된 N형 실리콘 기판을 메탄올, 에탄올, 불산 처리를 하여 세척을 한 후 PECVD를 이용하여 SiO2를 200 nm 증착하였다. 그 후 열 증발 증착 장비를 사용하여 펜타센을 활성층으로 사용하였고, 분말 형태의 펜타센의 질량을 15~60 mg으로 조절하여 활성층의 두께를 조절하였다. 펜타센 증착 후 100도에서 열처리를 하고, 그 후 Shadow Mask를 이용하여 전극을 150nm 증착하였다. 이때 전극은 Au, Al, Ni 세가지 종류를 사용하였다. 펜타센의 질량을 조절하여 증착한 활성층의 두께는 60 mg일 때 약 60 nm, 45 mg일 때 약 45 nm로 1:1의 비율로 올라가는 것을 확인 할 수 있었고, 펜타센의 두께가 30 nm일 때 특성이 가장 잘 나오는 것을 볼 수 있었다. 펜타센의 두께가 두꺼울수록 게이트에서 인가되는 전압의 필드가 제대로 걸리지 않아 특성이 나쁘게 나온 것으로 보인다. 또한 활성층을 30 nm로 고정하고 전극의 종류를 바꿔가며 전기적 특성(캐리어 이동도, 문턱전압, 전달특성 등)을 측정 했을 때 전극으로 Al보다는 Au와 Ni를 사용했을 때 전기적 특성이 더 우수하게 나오는 것을 볼 수 있었다. 메탈과 펜타센과의 일함수 차이에 따른 결과로 보여진다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.4
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• pp.785-792
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• 2012

In this paper, a current-voltage characteristics of n-channel junctionless and inversion mode(IM) MuGFET, and p-channel junctionless and accumulation mode(AM) MuGFET has been measured and analyzed for the application in high speed and low power switching devices. From the variation of the threshold voltage and the saturation drain current with the substrate bias voltages, their variations in IM devices are larger than junctionless devices for n-channel devices, but their variations in junctioness devices are larger than AM devices for p-channel devices. The variations of transconductance with substrate biases are more significant in p-channel devices than n-channel devices. From the characteristics of subthreshold swing, it was observed that the S value is almost independent on the substrate biases in n-channel devices and p-channel junctionless devices but it is increased with the increase of the substrate biases in p-channel AM devices. For the application in high speed and low power switching devices using the substrate biases, IM device is better than junctionless devices for n-channel devices and junctionless device is better than AM devices for p-channel devices.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.11
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• pp.2457-2464
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• 2011

In this paper, a vibration energy harvesting circuit using a piezoelectric device is designed. MPPT(Maximum Power Point Tracking) control function is implemented using the electric power-voltage characteristic of a piezoelectric device to deliver the maximum power to load. The designed MPPT control circuit traces the maximum power point by periodically sampling the open circuit voltage of a full-wave rectifier circuit connected to the piezoelectric device output and delivers the maximum available power to load. The proposed vibration energy harvesting circuit is designed with $0.18{\mu}m$ CMOS process. Simulation results show that the maximum power efficiency of the designed circuit is 91%, and the chip area except pads is $700{\mu}m{\times}730{\mu}m$.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.10a
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• pp.392-395
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• 2011

In this paper, a vibration energy harvesting circuit using the piezoelectric element has been designed. MPPT (maximum power point tracking control) control function has been implemented to deliver the maximum power to the load by using the electric power-voltage characteristic of the piezoelectric element. The designed MPPT circuit traces the maximum power point by sampling periodically the open circuit voltage of the full wave rectifier circuit and delivers the maximum available power to the load. The vibration energy harvesting circuit is designed with $0.18{\mu}m$ CMOS process. The maximum power efficiency is 91%, and the chip area except pads is $1,100{\mu}m{\times}730{\mu}m$.