• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 G
• /
• pp.3111-3113
• /
• 1999

임베디드 메모리로직에 적용되는 매크로셀을 지니고 전류형태의 저장방법을 적용한 캐시를 통한 임베디드 메모리칩의 설계의 일환으로 0.25마이크로 공정으로 설계되었으며 멀티미디어 칩에 사용되는 메모리 코아는 캐시를 지니고 있음으로 칩의 밴드위스를 높이고 칩의 어드레스 억세스시간(10nS)을 빠르게 할 수 있었으며 이를 위한 내부공급전압은 2.0V이다. 본 논문의 아키텍쳐에서는 기존 메모리 소자의 전송형태를 전류형 전송수단을 이용하여 매크로 셀의 데이터를 캐시에 저장하고, 이를 전류형태의 메인 데이터증폭회로를 통하여 전송하게된다. 이를 이루기 위한 칩의 아키텍척로 비트라인과 캐시의 연결회로를 추가한 구조를 제안하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.235-235
• /
• 2011

진단용 또는 의료용 동위원소들은 안정한 표적물질에 높은 에너지의 양성자가 조사 될 때 핵반응에 의해서 생성된다. 양성자를 충분한 에너지로 가속하기 위해서 이용되는 사이클로트론의 주요 부분은 (1) 진공시스템, (2) 자석시스템, (3) RF 시스템, (4) 외부 이온원, (5) 수직 축 방향빔의 수평방향 전환 시스템, (6) 빔 인출 장치, 그리고 빔전송과 표적장치로 구성된다. 인출된 빔은 표적까지 손실 없이 전송 될 수 있도록 빔 라인에 설치된 광학적 요소에 의해 집속되어 전송된다. 방사성동위원소의 생산량은 양성자 빔의 특성과 표적 물질의 종류에 따라 결정된다. 즉, 표적 물질에 조사하는 입자의 종류, 적절한 핵반응 선택, 최소량의 불순핵종과 원하는 방사핵종의 최대수율을 얻을 수 있는 최적 에너지 범위결정, 표적 물질의 냉각능력과 입자전류의 세기 등을 고려 하여야 한다. 동위원소 생산에 있어서 예측되는 수율은 입자전류와 비례하며, 에너지에 대한 핵반응 단면적 즉, 여기함수를 적분하여 아래와 같이 얻을 수 있다. 주 생성핵종의 생산 효율을 최대로 높이고 불순 핵종의 생성량을 최소로 감소시키기 위해서는 정확한 여기 함수 자료를 바탕으로 최적 입자를 결정하여야 한다. 또한 이론적인 생산 수율은 입자 전류에 정비례하지만, 입자 전류가 클경우 생산수율은 이론적인 수율보다 적다. 입자빔의 불균일성, 표적의 방사선 피폭에 의한 손상, 높은 입자전류에 의해 발생하는 열로 인하여 생성 핵종이 증발하여 생산 수율이 감소된다. 본 발표에서 방사핵종 C-11과 Tc-99m을 개발하기 위한 최적 조건에 관한 연구결과를 보고하고자 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
• /
• pp.751-754
• /
• 2008

본 연구에서는 나노구조 FinFET 제작시 게이트산화막 특성이 서브문턱영역에서 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 FinFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값을 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 FinFET의 전송특성이 게이트산화막의 특성에 따라 매우 큰 변화를 보이는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트길이가 작아지면서 전송특성에 커다란 영향을 미치는 터널링특성에 대하여 집중적으로 분석하였다.

• 한국광학회지
• /
• 제12권3호
• /
• pp.212-218
• /
• 2001

직접변조한 2.5Gbit/s 송신기에 있어서 DFB-LD에 인가되는 바이어스 전류에 따른 출력 광신호의 소광비와 처핑의 관계를 살펴보았고, 이상분산 영역 전송실험을 통행 변조된 광신호가 8-10dB의 소광비를 가질경우(바이어스 전류가 발진임계전류의 1.5배에서 1.8배) 소광비와 처핑으로 인한 총 전송 패널티가 최소가 됨을 알 수 있었다. 또한 240km 이상분산 영역 전송실험을 통해 직접변조된 광신호의 소광비와 SPM의 상관관계도 분석하였다. SPM을 고려할 경우 본 실험과 같은 구성에서 전송거리가 200km 미만인 경우는 10.2dB의 소광비에서 200km 이상인 경우는 8.4dB의 소광비에서 가장 좋은 수신감도를 얻을 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제10권9호
• /
• pp.1648-1653
• /
• 2006

이 연구에서는 해석학적 전류-전압 모델을 이용하여 DGMOSFET(Double Gate MOSFET)의 전송특성을 분석하였다. MOSFET의 게이트길이가 100nm이하로 작아지면 산화막두께가 1.5m이하로 작아져야만하고 채널의 도핑이 매우 증가하기 때문에 소자의 문턱전압변화, 누설전류의 증가 등 다양한 문제가 발생하게 된다 이러한 문제를 조사하기 위하여 해석학적 전류-전압 모델을 이용하여 소자의 크기를 변화시키면서 전류-전압특성을 조사하였다 소자의 크기를 변화시키면서 해석학적 전류-전압 모델의 타당성을 조사하였으며 온도 변화에 대한 특성도 비교 분석하였다. 게이트 전압이 2V에서 77K의 전류-전압 특성이 실온에서 보다 우수하다는 것을 알 수 있었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2019년도 전력전자학술대회
• /
• pp.311-312
• /
• 2019

본 논문에서는 직렬-직렬(SS) 보상 구조를 가지는 양방향 무선전력전송 시스템의 비통신 전력전송 제어 방법에 대해 소개한다. 또한 2차단에서의 전력 전달 제어에 1차단의 위상의 필요함을 보이며, 이를 도출하기 위한 20kHz 전류 센싱 방법에 대해서 다룬다. 시뮬레이션과 실험 파형을 통해 소개한 제어 변수와 고주파수 전류 신호 센싱의 방법의 타당성을 증명하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2015년도 전력전자학술대회 논문집
• /
• pp.19-20
• /
• 2015

본 논문은 동작 주파수에 따른 임피던스 분석을 통해 무선 전력 전송 컨버터의 최적 설계 방법을 제안한다. 기존의 무선 전력 전송에는 크게 4가지의 토폴로지가 있는데 본 논문은 SS 토폴로지에 대한 최적 설계 방법을 제시한다. 무선 전력 전송이 가지는 근본적인 특징인 코일 간의 낮은 커플링 계수로 인해 컨버터 설계 시 많은 제약 사항들을 고려해야 한다. 일반적인 변압기와 달리 코일 간의 커플링 계수가 0.2 안팎이므로 충분한 자화 인덕턴스를 가지기 위해서는 코일의 턴 수를 늘리는 방안이 있으나 턴 수에 따라 코일 저항이 늘어나, 도통 손실이 증가하는 문제가 있다. 또한 낮은 자화 인덕턴스는 높은 자화전류에 의한 컨버터의 1차 측 전류의 상승을 야기하며, 도통손실을 증가시킨다. 따라서 본 논문에서는 무선 전력 전송용 컨버터의 최적 설계를 임피던스 변화의 관점에서 수학적인 분석을 통해 제안하고, 그에 따른 시뮬레이션으로 검증하고자 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
• /
• pp.1307_1308
• /
• 2009

고온초전도체 REBCO(RE=rare earth) 선재는 높은 전류전송밀도를 가지고 있기 때문에 고용량의 전류가 요구되는 응용분야에 사용되어 전력기기 등의 성능을 높일 수 있을 것으로 기대되고 있다. 이전까지 대부분의 REBCO 선재 연구들은 GdBCO, NdBCO, YBCO 등 비교적 Tc값이 높은 고온초전도체에 집중되어 왔다. 반면에 TmBCO는 대부분의 REBCO 보다 Tc값이 낮기 때문에 선재 연구 분야에서 거의 주목받지 않았다. 하지만 본 연구 결과에 따르면 TmBCO 선재는 비교적 낮은 Tc(88K) 값에도 불구하고 우수한 전류전송밀도(Jc=2.3MA/$cm^2$) 특성을 나타내기 때문에 고온초전도 선재로서 활용이 가능하다. 또한 NdBCO 선재에 비해 낮은 기판온도에서 제조가 가능함으로써 공정상의 이점을 가질 수 있음을 확인하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
• /
• pp.709-712
• /
• 2008

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET 제작시 가장 중요한 요소인 채널도핑농도가 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열 방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값과 채널도핑농도의 관계를 이차원 시뮬레이션 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터에 따라 전송특성을 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제12권10호
• /
• pp.1840-1844
• /
• 2008

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET 제작시 가장 중요한 요소인 채널도핑농도가 문턱전압이하 영역에서 전송 특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 포아슨방정식을 이용한 분석학적 전송모델을 사용하였다. 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙 값과 채널도핑 농도의 관계를 Medici 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성 모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 이중게이트MOSFET의 구조적 파라미터에 따라 전송특성을 분석하였다.