• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.08a
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• pp.164-164
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• 2009

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 1998.11a
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• pp.394-397
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• 1998

본 논문에서는 중심에 급전 소자를 갖는 원형 배열다이폴 안테나의 이득 특성을 검토하고 있다. 중심 안테나 소자의 길이와 급전 안테나를 적절히 선택하여 무 급전 소자의 유도 전류에 의한 안테나의 지향성 및 이득 특성을 변화시킬 수 있도록 반경과 중심 안테나의 길이를 적절히 선택하고 있다. 수치계산 결과, 원형 배열의 반경과 중심 안테나의 길이를 적절히 선택하므로서 고 이득의 특성을 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.232.1-232.1
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• 2013

본 연구에서는 asymmetric과 symmetric 구조의 n채널 MOSFET 소자의 성능 평가에 관한 실험을 진행하였다. 소자의 성능 평가에 있어 아날로그 회로에서의 DC 이득은 중요한 파라미터 중 하나 이다. 따라서 본 연구에서는 gm/ID 측정법을 이용하여 각 소자의 DC 이득 특성을 분석하였다. 게이트 전압에 따른 드레인 전류-드레인 전압 특성 곡선으로부터 early voltage 값을 추출하였다. 이후 최종적으로 수치적 계산을 통해 DC 이득 값을 추출하였다. 실험 결과 asymmetric과 symmetric 소자의 경우 early voltage 값이 각각 -34 V와 -15 V였으며 따라서 DC 이득 특성 또한 asymmetric 소자의 경우가 우수한 것을 확인하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.3
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• pp.279-285
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• 2003

Wide- and flat-gain laser diodes were designed and fabricated from asymmetric multiple quantum well (AMQW) structures which consist of three compressively strained InGaAsP wells of different thicknesses. For a 400 ${\mu}{\textrm}{m}$-long lasers with as-cleaved facets, -1 ㏈ and -3 ㏈ gain bandwidth were 45 nm and 80 nm, respectively. For this AMQW structure, calculated gain spectra with various line broadening functions were compared with experimental results. We confirmed the calculated gain spectra using an asymmetric line broadening function were in good agreement with the measured data.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.97-97
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• 1994

Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.3
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• pp.75-84
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• 1999

Systematic studies for the effect of the linewidth enhancement factor, the confinement factor, the internal loss and the cavity length on the single mode gain difference and the frequency detuning are performed for $\lambda$/4 phase shifted DFB lasers above threshold. The above threshold characteristics are mainly determined by the linewidth enhancement factor, not by the confinement factor or the parameter defined by the product of the linewidth enhancement factor and the confinement factor. The normalized internal loss defined by the product of the internal loss and the cavity length mainly determines the above threshold characteristics compared to that of the internal loss or the cavity length alone. The effect of the cavity length on threshold characteristics is larger than that of the internal loss in the case of the same normalized internal loss. The above threshold characteristics of quantum well lasers are more resistant to the variations of the confinement factor and the normalized internal loss than those of bulk lasers due to the small linewidth enhancement factor.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.16 no.6
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• pp.527-534
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• 2005

We investigate the pulsation characteristics in a multi-section DFB laser which is composed of one DFB section, phase tuning section, and gain section. Multi-section DFB lasers with anti-phase (AP) complex-coupled (CC) DFB structure show wide current ranges of gain and phase tuning sections fer stable pulsations compared to those with in-phase CC DFB structure or index-coupled DFB structure. For multi-section DFB lasers with AP CC DFB structure, the current range of a gain section for stable pulsations increases and the tuning range of the pulsation frequency increases as a coupling strength or a gain coupling coefficient increases Also, the tuning range using the phase variation in a phase tuning section increases. For a fixed coupling strength, the current ranges of gain and phase tuning sections for stable pulsations increase and the tuning range of the pulsation frequency increases as the length of a DFB section increases.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2005.07a
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• pp.442-444
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• 2005

본 논문에서는 평균전류모드제어를 이용하는 컨버터의 연속시간 소신호 모델을 구한다. 평균전류모드제어에 일반적으로 사용되는 보상기를 적용한 컨버터의 해석을 위해 샘플러를 전류루프에 포함시켜 해석한다. 기존 모델에서는 정확히 해석하기 어려웠던 전류루프 이득의 고주파 영역 해석이 제안한 모델을 이용함으로써 쉽게 해결할 수 있으며, 시스템의 안정성을 결정하는 고주파 영역에서의 주파수 응답 특성을 제안한 모델이 우수한 성능으로 예측 가능함을 보인다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 1998.11a
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• pp.151-154
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• 1998

기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거하기 위해서, 베이스 부분의 매몰층을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피층과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 헝성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

• Proceedings of the Korean Society of Marine Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.301-302
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• 2006

초고주파 전력 증폭기의 바이어스 전압을 조절하여 온도 변화에 따른 드레인(Drain) 전류의 변화를 억제하기 위한 저가의 능동 바이어스 모듈을 개발한다. 능동 바이어스 모듈을 5 W급 초고주파 전력증폭기에 적용하였을 경우, $0{\sim}60^{\circ}C$까지의 온도변화에 대하여 소모전류 변화량은 0.1 A 이하로 되어야 한다. 본 기술 개발 대상인 능동 바이어스 모듈의 성능 시험을 위한 대상 전력증폭기는 $2.11{\sim}2.17GHz$ 주파수 대역에서 32 dB 이상의 이득과 ${\pm}0.1\;dB$ 이하의 이득 평탄도, -15 dB 이하의 입.출력 반사손실을 가진다.