• Proceedings of the IEEK Conference
• /
• 1998.06a
• /
• pp.371-374
• /
• 1998

본 논문에서는 muller법과 regular falsi법에 의한 CMOS 반전 증폭 회로를 해석하는 방법을 제안한다. Muller법과 regular falsi법을 이용하여 회로의 절점전압과 branch 전류를 예측하였고 회로의 출력 절점에서 KCL을 만족하도록 하였다. CMOS 반전 증폭 회로의 모의실험을 수행한 결과 MEDICI에 사용된 결합법에 비해 전압특성과 전류특성은 각각 5%와 5.4%의 최대상대오차를 보였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2004.07e
• /
• pp.52-54
• /
• 2004

본 논문에서는 속도 포화이후 채널에 발생한느 과잉 캐리어에 의한 채널전하으 발생과 그 영향에 대하여 설명하고 있다. 일반적으로 게이트의 길이가 짧은 GaAs MESFET에서 속도 포화지점에서 전류의 포화가 발생한다. 본 논문은 속도 포화이후 드레인 전압의 증가에 의하여 유입되는 캐리어와 유출되는 캐리어의 차에 의하여 발생하는 채널의 과잉 캐리어에 발생과 이로인해 채널에 쌓이는 채널의 전기적인 특성을 설명하고 있다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.3 no.2
• /
• pp.121-124
• /
• 1993

보자력이 큰 강자성체의 자기이력곡선, 자기변형, 자기이방성등의 측정에 사용할수 있는 펄스전자석을 설계제작하였다. 철심의 형상이 주어졌을때 권선의 회수에 따른 전자석의 여러특성과 축전기 방전시의 전류진폭 감쇄비등을 계산하는 일반식을 유도하고 그것에 의하여 철심단면적 46 nm * 32 nm, 공기간격 28nm의 전자석을 설계 제작하여 20 mT/A의 기울기로 0.49 T까지 직선적인 자기장 대 전류특성을 얻었다. 이 전자석에 에너로그 적분기에 의한 자속계를 부쳐서 박막 또는 박대시료의 major 및 minor 이력곡선을 단번에 쉽게 얻을 수 있는 자기이력곡선 측정기가 구성되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2000.02a
• /
• pp.200-200
• /
• 2000

AC-PDP의 구동은 인가되는 Pulse의 파형에 의하여 결정된다. 이번 실험은 AC-PDP의 Subfield 파형중 Sustain 부분 첫 번째 Pulse의 폭(Width)에 변화를 주어 다음 Suatain Pulse 기간동안의 전기 광학적 특성을 구속 카메라와 전류의 변화를 통하여 측정하였으며 Sustain Pulse의 Rising Time을 변화 시켜 방전특성을 측정하였다. 이를 통하여 적합한 Sustain 구간의 초기조건을 예측하였으며, 적합한 Sustain Pulse를 찾아가는 실험 방법을 찾고자 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.08a
• /
• pp.232.2-232.2
• /
• 2013

본 연구에서는 asymmetric과 symmetric MOSFET 소자의 drain breakdown 및 snapback 특성을 분석하였다. 실험에서는 두 MOSFET 소자의 동작 영역에서 게이트와 드레인에 각각 전압을 인가하였다. 드레인 전류-전압 곡선으로 부터 drain breakdown 전압과 snapback 전압을 추출하였다. 결과 avalanche breakdown 발생 전의 드레인 전류는 asymmetric 구조의 경우 더 작은 값을 보였으며 이는 asymmetric 구조에서의 drain field 가 더 낮기 때문이다. 따라서 impact ionization은 asymmetric 구조에서 덜 발생하며, snapback 전압은 avalanche breakdown voltage가 작은 asymmetric 구조에서 크게 나타났다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2016.11a
• /
• pp.178-179
• /
• 2016

본 논문에서는 바나듐 레독스 플로우 배터리의 동작원리를 설명하고, C-rate에 따른 특성 분석을 하였다. 전해질 양이 18mL, 22mL일 때 0.1C, 0.3C, 0.5C, 0.7C, 0.9C, 1.0C로 전류의 크기에 변화를 주어 용량을 측정한 후 비교 분석하였다. 더불어 HPPC(Hybrid pulse power characterization) 실험에서 1.0C 일 때 잔존 용량(State-of-charge, SOC)의 변화에 따른 저항을 추출하였고 분석하였다. 그 결과 바나듐 레독스 플로우 배터리의 효율 분석을 위한 파라미터 값을 확인하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.39 no.3
• /
• pp.9-19
• /
• 2002

By using the thermionic emission model, the L-I-V(power-current-voltage) characteristics of a SCH(seperate confinement heterostructure) QW(quantum well) laser diode is analytically derived. We derived the relationships between the bulk carrier density of SCH regions and the confined carrier density of QW. The L-I-V characteristics is derived analytically by using current continuity equations. Solving the ambipolar diffusion equation under the condition of high level injection and charge neutrality, the current distribution in the SCH regions is considered. Results showed that the major factor affecting the laser I-V characteristics was the change of potential barrier at the cladding-SCH interface. Also the series resistance of a laser diode was decreased and the carrier injection was increased by increasing the forward flux of injection current from cladding to SCH region.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.14 no.7
• /
• pp.1647-1652
• /
• 2010

A CdS film has been used as a window layer in CdTe and Cu(In,Ga)$Se_2$ thin films solar cell. Partial substitution of Zn for Cd increases the photocurrent and the open-circuit voltage by providing a match in the electron affinities of the two materials and the higher band gap. In this paper, CdZnS/CdTe and CdS/CdTe heterojunctions were fabricated and the electrical characteristics were investigated. Current-voltage-temperature measurements showed that the current transport for CdS/CdTe heterojunction was controlled by both tunneling and interface recombination. However, CdZnS/CdTe heterojunction displayed different current transport mechanism with the operating temperature. For above room temperature, the current transport of device was generation/recombination in the depletion region and was the leakage current and/or tunneling in the range below room temperature.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
• /
• v.30 no.4
• /
• pp.754-760
• /
• 2013

We investigated an electrochemical properties for Langmuir-Blodgett (LB) monolayer films of sphingomyelin(SP) and polyamic acid(PAA) mixture(1:1, 2:1 and 3:1 molar ratio). LB monolayer films of mixture was deposited by the LB method on the indium tin oxide(ITO) glass. The electrochemical properties measured by cyclic voltammetry with three-electrode system in 0.1N $KClO_4$ solution. As a result, LB monolayer films of SP and PAA mixture was appeared on irreversible process caused by the reduction current from the cyclic voltammogram. Diffusion coefficient(D) in the SP and PAA mixture was calculated $2.670{\times}10^{-5}$, $3.562{\times}10^{-5}$ and $1.005{\times}10^{-5}cm^2s^{-1}$ at 1:1, 2:1 and 3:1 molar ratio, respectively.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
• /
• v.37 no.4
• /
• pp.28-34
• /
• 2000

In this paper, a continuous-time filter for low voltage and high frequency applications using fully-balanced current integrators is presented. As the balanced structure of integrator circuits, the designed filter has improved noise characteristics and wide dynamic range since even-order harmonics are cancelled and the input signal range is doubled. Using complementary current mirrors, bias circuits are simplified and the cutoff frequency of filters can be controlled easily by a single DC bias current. As a design example, the 3rd-order lowpass Butterworth filter with a leapfrog realization is designed. The designed fully-balanced current-mode filter is simulated and examined by SPICE using 0.65${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS n-well process parameters. The simulation results show 50MHz cutoff frequency, 69㏈ dynamic range with 1% total harmonic distortion(THD), and 4㎽ power dissipation with a 3V supply voltage.