• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07c
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• pp.2031-2033
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• 2005

poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하는 L-shaped dual-gate TFT 구조를 제안하고 이를 제작하였다. 제안된 소자는 채널의 그레인 방향을 일정하게 성장시키는 SLS나 CW laser 결정화 방법을 사용한다. L자 모양의 게이트 구조를 사용하여 서고 다른 전계효과 이동도를 갖는 두 개의 sub-TFT를 구현할 수 있으며, 이러한 sub-TFT간의 특성차이가 kink 전류를 억제시킨다. 직접 제작한 L-shaped dual-gate 구조의 소자가 poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하고, 전류포화 영역에서 전류량을 고정시킴으로써 신뢰성이 향상됨을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.55-56
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• 2014

본 논문에서는 ${\Delta}$결선 또는 3상 4선식 Y결선으로 구성된 Modular Multilevel Converter(MMC)의 동기좌표계에서의 영상분 전류제어방법을 제안한다. 제안된 영상분 전류제어방법은 새로운 가상 2상 전류 생성방법을 사용하며, 기존의 가상 2상 전류 생성방법보다 과도상태 응답특성과 파라미터 오차에 대한 성능이 우수함을 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.25-26
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• 2012

본 논문에서는 태양광 발전 시스템의 직류 모듈 집적형 전력변환장치를 인덕터 전류 및 입 출력 전압을 이용하여 MPPT 및 출력 전류 제한을 수행하는 제어 방법을 제안한다. 이를 통해 기존의 입 출력 전류 및 입력 전압을 이용하는 방식에 비해 전류 센서를 한 개 줄이면서 동일한 특성으로 제어가 가능하다. 또한 실험을 통해 제안하는 방식의 타당성을 검증한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.3
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• pp.187-192
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• 2000

We analyze the parametric amplification by the nonlinear characteristics in a semiconductor laser using a perturbation theory and discuss its result. The parametric gain increases with increase of the pump modulation current. It is due to shift of the resonance frequency as the pump modulation current increases. However, it decreases with increase of the bias current and damping constant. Also, it needs phase matching between the pump modulation current and signal modulation current to maximize the parametric gain. The gain decreases for a large signal modulation current due to the saturation of the amplified power. power.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.11a
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• pp.11-12
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• 2015

본 논문은 LCL 필터를 사용하는 계통연계형 인버터의 안정적인 전류제어를 위한 공진주파수와 샘플링주파수의 관계 분석을 통해 주파수 및 이산시간영역에서 전류제어 안정도를 해석, 시뮬레이션 및 실험을 통해 검증하였다. 능동댐핑을 포함하지 않는 계통전류 제어의 경우, 공진주파수가 샘플링주파수의 1/6이 되는 $f_{base}$보다 높은 영역에 위치하면 안정, 낮은 영역에 위치하면 불안정한 특성을 분석하였고, 공진주파수 변화에 따른 전류제어루프의 안정도 해석을 기반으로 7kW 계통연계형 인버터 Psim 시뮬레이션 및 실험을 통해 동일한 결과를 도출함으로써 주파수간의 관계 분석 및 안정도 해석의 타당성을 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.52-54
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• 2020

다상 BLDC 모니터는 높은 효율, 단위 전류당 높은 토크 밀도 및 비교적 쉬운 제어 특성으로 인해 동일 크기, 동일 무게에서 더 높은 출력을 요구하는 대형 트랙션 또는 선박 추진 응용 분야에서 점점 더 많이 사용되고 있다. 선박 등의 대용량 추진 시스템은 안정적인 운전 성능을 위해 모터의 일부 상 고장의 경우에도 시스템의 안정적인 동작이 중요한 이슈가 되고 있다. 본 논문에서는 모터의 한 상에서 고장이 발생한 경우 BLDC 모터의 정상인 상 전류의 위상각을 제어하여 토크 리플을 저감하는 제어 방법을 제안한다. 제안된 방법은 토크 리플에 큰 영향을 미치는 출력 토크의 2차 고조파 성분의 합이 영이 되도록 정상인 상 전류의 위상각을 제어하여 가능한 범위 내에서 최대 출력 토크를 얻음과 동시에 토크 리플 성분을 최소화한다. 본 논문에서 제안한 방법은 12상 BLDC 모터의 HILs 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.49 no.5
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• pp.16-21
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• 2012

For CMOS based bipolar junction transistor (BJT), a novel BJT structure which has higher matching property than conventional BJT structure was proposed and analyzed. The proposed structure shows a slight decrease of collector current density, $J_C$ about 0.361% and an increase of current gain, ${\beta}$ about 0.166% compared with the conventional structure. However, the proposed structure shows a decrease of area about 10% the improvement of matching characteristics of collector current ($A_{IC}$) and current gain ($A_{\beta}$) about 45.74% and 38.73% respectively. The improved matching characteristic of proposed structure is believed to be mainly due to the decreased distance between two emitters of pair BJTs, which results in the decreased effect of deep n-well of which resistance has the higher standard deviation than the other resistances.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.329-337
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• 2001

It has been known that the leakage current in the low field region consists of the dielectric relaxation current and intrinsic leakage current, which cause the charge loss in dynamic random access memory (DRAM) storage capacitor using (Ba,Sr)TiO$_{3}$ (BST) thin film. Especially, the dielectric relaxation current should be seriously considered since its magnitude is much larger than that of the intrinsic leakage current in giga-bit DRAM operation voltage (~IY). In this study, thermally stimulated current (TSC) measurement was at first applied to investigate the activation energy of traps and relative evaluation of the density of traps according to process change. And, through comparing TSC to early methods of I-V or I-t measurement and analyzing, we identify the origin of the dielectric relaxation current and investigate the reliability of TSC measurement. First, the polarization condition such as electric field, time, temperature and heating rate was investigated for reliable TSC measurement. From the TSC measurement, the energy level of traps in the BST thin film has been investigated and evaluated to be 0.20($\pm$0.01) eV and 0.45($\pm$0.02) eV. Based on the TSC measurement results before and after rapid thermal annealing (RTA) process, oxygen vacancy is concluded to be the origin of the traps. TSC characteristics with thermal annealing in the MIM BST capacitor have shown the same trends with the current-voltage (I-V) and current-time (I-t) characteristics. This means that the TSC measurement is one of the effective methods to characterize the traps in the BST thin film.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.311-311
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• 2014

III-N계 물질로 이루어진 GaN 기반의 광 반도체는 직접 천이형 넓은 밴드갭 구조를 갖고 있기 때문에 적외선부터 가시광선 및 자외선까지를 포함한 폭 넓은 발광파장 조절이 가능하여 조명 및 디스플레이 관련 차세대 광원으로 많은 관심을 받고 있다. 하지만, GaN기반의 발광 다이오드는 많은 연구기관들의 오랜 연구에도 불구하고 고출력을 내는데 있어 여전히 많은 문제들이 존재한다. 그 중, 주입전류 증가에 따른 효율감소 현상은 출력을 저해하는 대표적인 요소로 알려져 있는데, 이전의 연구 결과에서 알려진 효율감소 현상의 원인으로 결정결함에 의한 누설전류, Auger 재결합, 이송자 넘침 현상 그리고 p-n접합부의 온도 상승 등의 현상이 알려져 있다 [1-2]. 하지만 여전히 주입 전류 증가에 따른 효율 감소 현상의 원인에 대해 명확한 해답은 없으며 아직도 많은 논의가 이루어 지고 있다. 따라서, 본 연구에서는 GaN기반의 청색 및 녹색 LD와 LED소자를 이용하여 주입전류 밀도의 변화에 따른 자발 발광 영역에서의 효율감소 현상의 원인을 규명하고 한다. 유기금속화학증착법(MOCVD)를 이용하여 c면 사파이어 위에 서로 다른 발광파장을 가지는 InGaN/GaN 다중양자우물구조의 질화물계 LED와 LD 박막을 제작하였으며 성장 구조에 의한 특성으로 인해 발생하는 효율 저하 현상을 방지하고자 InGaN/GaN으로 이루어진 다중양자우물층의 조성만 제어하여 청색과 녹색으로 발광하도록 하였다. 청색 및 녹색 LD 웨이퍼들을 이용하여 주입전류 증가에 따른 발광특성을 조사하기 위해 LD와 LED는 표준 팹 공정에 의해 제작되었다. 전계 발광 측정을 위해 상온에서 직류 전류를 주입하여 GaN계 청색 및 녹색 LED와 LD에 각 5 mA/cm2에서 50 mA/cm2까지 전류밀도를 증가시킴에 따라 LD 및 LED칩 형태에 상관없이 청색 LD와 LED의 파장은 약 465nm에서 약 458nm로 감소하였고 녹색 LD와 LED의 파장은 약 521nm에서 약 511~513 nm까지 단파장화가 발생했다. 이는 동일한 웨이퍼에 동일한 전류 밀도를 주입하였기 때문에 발생하는 것으로 판단된다. 그러나, 청색 LED의 효율은 50 mA/cm2에서 약 70%정도로 감소하고 반면 녹색 LED의 경우 동일한 전류밀도 하에 약 52%정도로 감소하였지만, 청색과 녹색 LD의 경우 동일한 전류 밀도의 범위 내에서 더욱 낮은 효율저하 현상을 나타내었다. 또한, 접합 온도를 측정한 바 청색소자가 녹색 소자에 비하여 낮은 접합 온도를 나타낼 뿐아니라, 청색 및 녹색 LD의 경우 LED 보다 낮은 접합 온도를 나타내고 있었다. 이는 InGaN 활성층의 In 조성이 증가할수록 비발광 센터에 의한 접합온도 상승 뿐 아니라, LD ridge 구조에서 더 많은 열이 방출되어 접합 온도가 감소될 수 있는 것으로 판단된다. 우리는 동일한 웨이퍼에 LED와 LD를 제작하였고, 동일한 전류 주입밀도를 인가하였기 때문에 LD와 LED의 효율 감소 현상의 차이는 이송자 넘침 현상, 결정 결함, 오제 재결합 등이 원인보다 활성층의 접합 온도 상승이 가장 큰 영향이 될 수 있을 것으로 판단된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.2
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• pp.94-99
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• 2010

This paper presents a charge pump architecture for correcting the current mismatch due to the PVT variation. In general, the current mismatch of the charge pump should be minimized to improve the phase noise and spur performance of the PLL. In order to correct the current mismatch of the charge pump, the current difference is detected by the replica charge pump and fed back into the main charge pump. This scheme is very simple and guarantees the high accuracy compared with the prior works. Also, it shows a good dynamic performance because the mismatch is corrected continuously. It is implemented in 0.13um CMOS process and the die area is $100{\mu}m\;{\times}\;160{\mu}m$. The voltage swing is from 0.2V to 1V at supply voltage of 1.2V. The charging and discharging currents are $100{\mu}A$, respectively and the current mismatch due to the PVT variation is less than 1%.