• Elastomers and Composites
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• 제33권4호
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• pp.238-245
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• 1998

이 논문은 원자력발전소에서 사용되고 있는 부분적으로 방사선 조사된 EPR 전력 케이블의 방사선 절연열화 진단을 행하기 위해서 전기특성을 조사한 것이다. 본 연구에서는 방사선 조사량을 100Mrad부터 200Mrad까지 증가시킨 케이블 시료를 열화비율에 따른 방사선 조사량에 의한 충전전류 및 방전전류를 측정한 결과 $4.3{\times}10^{-9}$(A)로부터 $1.03{\times}10^{-7}$(A)로 증가함을 알 수 있었다. 또한 100% 일때의 충전전류 및 방전전류를 50%, 16.7% 일때를 비교하면 후자의 케이블은 열화된 부분의 길이가 1/2, 1/6로 되므로 충전전류 및 방전전류로 1/2, 1/6로 흐름을 알 수 있었다. 열화하지 않은 22m와 66m의 케이블을 조사한 결과 66m의 케이블 시료쪽이 충전전류 및 방전전류 값이 22m 케이블보다 3배나 크다는 것을 확인했다. 이들 결과로부터 방사선을 조사한 EPR 케이블의 절연열화 진단법으로 충전전류 및 방전전류를 측정하는 것이 가능하다는 것을 확인했다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.65-66
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• 2011

전력계통에서 등가 임피던스의 감소로 인한 고장전류 증가는 계통의 손상을 일으킨다. 이를 방지하고 안정적인 운영을 위해서 고장전류의 억제가 가장 필요하다. 고장전류를 억제하기 위해 한류기를 사용하게 되는데 근래에 초전도 한류기에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 초전도 한류기는 전류의 크기에 따라 임피던스 값이 변하는 초전도체의 특성을 이용하여 전류를 억제시키는 장치로 본 논문에서는 모의배전계통에 트리거형 초전도한류기의 적용 위치에 따른 고장전류의 저감효과를 비교 분석 하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.2285-2286
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• 2008

여자돌입전류는 변압기 가압 시 발생하는 과도 전류의 한 형태로서 정격의 수배에 크기를 가지며 변압기에 직접적인 손상을 입히거나 보호계전기에 오동작을 유발 할 수 있다. 또한 전기 품질에 영향을 주어 기기에 충격을 입히거나 고장을 불러일으킬 수 있다. 따라서 여자 돌입전류를 분석하고 파악하는 일은 전력계통의 운영에 있어서 매우 중요하다. 본 논문에서는 과도 해석 프로그램인 EMTP(Electric Magnetic Transient Program)를 이용하여 여자돌입전류를 모델링하고, 여자돌입 전류모델링 검증을 통해 전형적인 여자돌입전류 파형에 대한 분석을 실시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.826-827
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• 2015

본 논문은 비선형적인 파라미터 특성을 갖는 Switched Reluctance Motor(SRM)의 강인제어를 위한 보다 정확하고 안정적인 전류제어 방법에 대해 설명한다. 기존의 전류제어 방법에는 이득설정이 간편한 PI 제어기를 이용한 방법이 주로 사용되어왔다. 본 논문에서는 자기동조 퍼지 제어기를 이용한 방법과 Dead-Beat 제어기를 이용한 방법을 통하여 파라미터의 변화에도 안정적인 전류제어가 가능한 것을 보였고 PI 전류 제어기와 자기동조 퍼지 전류 제어기, 그리고 Dead-Beat 전류 제어기를 각각 적용한 전류제어 SRM 드라이브의 Matlab/Simulink 시뮬레이션 결과를 통하여 제어성능을 비교분석하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전력기술부문
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• pp.231-233
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• 2002

본 논문에서는 국제기술규격인 ANSI/IEEE의 고장전류 계산기준을 분석하였고, 외국 전력사의 고장전류 계산 기준을 정리하였다. 계통에서의 차단기 용량 선정은 고장전류 크기가 시간 경과에 따라 다르게 됨으로 차단기 차단시간(interrupting time)특성을 복합적으로 고려하여야 한다. 그러나, 현재 한전에서 사용하고 있는 고장전류 계산은 별도의 차단기 차단시간을 고려한 배수(multiplying factor)를 고려하지 않고 동기발전기 차과도 임피던스만 고장전류 공급원으로 취급하여 계산하고 있다. 이에 본 논문에서는 ANSI/IEEE규격에서 권장하는 내용과 외국 전력사의 고장전류 계산 기준을 종합 정리하였고, 고장전류 계산 예를 한전사용(PSS/E) 및 RTDS를 이용한 경우로 나누어 수행하고 모의 결과를 제시하고자 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.940-942
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• 2000

전기설비에 있어서 저압회로의 과전류 보호기기로는 배선용 차단기, 기중 차단기, 한류 퓨즈, 전자 개폐기 등이 있으며, 이중 배선용 차단기의 중요한 차단원리인 한류차단원리 및 현상에 대해 상세한 분석이 필요하다. 단락이 발생하면 상당히 큰 단락전류가 흐르게 된다. 이 단락전류를 차단하는 경우 단락전류를 그대로 흐르지 않게 하여 본래의 단락전류를 작게 제어하면 차단시의 에너지는 작아진다. 본래의 단락전류를 작게 억제하여 차단하는 방법을 한류차단방식이라 하며 이러한 기구를 한류기구라 한다. 한류차단방식을 채용함으로써 동일 치수의 차단기라면 보다 큰 단락전류를 차단하는 것이 가능하다. 여기서는 한류차단특성의 이론적 해석과 단락전류에 의한 전자기적 영향, 기계적인 영향, 열적인 영향을 설명하고 이러한 영향을 최소화하기 위한 한류차단 원리 및 방법을 설명하고 분석하고자 한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2002년도 추계학술대회 논문집
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• pp.140-143
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• 2002

위상제어 정류기 시스템에서 예측전류제어는 전류 응답속도가 매우 빠르고 오버슈트가 없는 것으로 알려져 있다. 하지만 전원과 부하의 전압 전류방정식에 의존하는 예측전류제어는 부하 파라메터 값이 틀릴 경우 전류지령 값과 피드백 사이에 정상상태 오차를 보이게 된다. 본 논문에서는 디지털 순시치 샘플링과 최소자승법을 이용하여 온라인으로 부하의 파라메터를 추정하는 알고리즘을 제안하였고, 이를 이용하여 예측전류제어를 수행함으로써 빠르고 정밀한 전류제어응답을 보였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.239-240
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• 2014

본 논문에서는 국제 핵융합실험로용 VS 컨버터 제어기 해석 및 실험에 대하여 서술하였다. VS 컨버터는 플라즈마의 수직 안정성을 제어하기 위해서 ${\pm}1000V$의 정격전압과 최대 ${\pm}25kA$의 전류를 공급해야 하며, 영 전류구간이 없이 4상한 운전을 수행할 수 있어야 한다. 이를 위해서 부하전류의 크기에 따른 동작모드 구분과 순환전류제어기, 차전류 제어기가 요구되며 싸이리스터의 소자 특성에 의하여 발생하는 중복각 보상과 싸이리스터의 전류실패를 방지하는 감마제어가 포함이 된 점호각이 보장 되어야 한다. 본 논문에서는 국제 열핵융합실험로용 VS 컨버터 제어기를 해석하고, 실제 제어기와 RTDS를 연동하여 9ms의 순환전류 제어기 응답성과 계통에 50% 새그가 발생하였을 때 전류실패를 방지하는 감마제어의 타당성을 실험으로 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.155-155
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• 2012

기존의 플로팅 타입의 비휘발성 메모리 소자는 스케일 법칙에 따른 인접 셀 간의 간섭현상과 높은 동작 전압에 의한 누설전류가 증가하는 문제가 발생을 하게 된다. 이를 해결하고자 SONOS (Si/SiO2/Si3N4/SiO2/Si) 구조를 가지는 전하트랩 타입의 비휘발성 메모리 소자가 제안되었다. 하지만 터널링 베리어의 두께에 따라서 쓰기/지우기 특성은 향상이 되지만 전하 보존특성은 열화가 되는 trad-off 특성을 가지며, 또한 쓰기/지우기 반복 특성에 따라 누설전류가 증가하게 되는 현상을 보인다. 이러한 특성을 향상 시키고자 많은 연구가 진행이 되고 있으며, 특히 엔지니어드 터널베리어에 대한 연구가 주목을 받고 있다. 비휘발성 메모리에 대한 엔지니어드 기술은 각 베리어; 터널, 트랩 그리고 블로킹 층에 대해서 단일 층이 아닌 다층의 베리어를 적층을 하여 유전율, 밴드갭 그리고 두께를 고려하여 말 그대로 엔지니어링 하는 것을 뜻한다. 그 결과 보다 효과적으로 기판으로부터 전자와 홀이 트랩 층으로 주입이 되고, 동시에 다층을 적층하므로 물리적인 두께를 두껍게 형성할 수가 있고 그 결과 전하 보전 특성 또한 우수하게 된다. 본 연구는 터널링 베리어에 대한 엔지니어드 기술로써, Si3N4를 기반으로 하고 높은 유전율과 낮은 뉴설전류 특성을 보이는 ZrO2을 두 번째 층으로 하는 엔지니어드 터널베리어 메모리 소자를 제작 하여 메모리 특성을 확인 하였으며, 또한 Si3N4/ZrO2의 터널베리어의 터널링 특성과 전하 트랩특성을 온도에 따라서 특성 분석을 하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권7호
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• pp.1-6
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• 2006

본 연구에서는 광 논리 및 광 접속에 응용할 수 있는 GaAs/AlGaAs 구조의 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor, DOT)에 VCSEL(vertical-cavity surface-emitting laser diode)을 응용하여, 활성층 위, 아래에 1/4 파장 거울층(quarter wavelength reflector stacks)을 제작함으로서 본 구조에서 최초의 레이징 특성을 구현하였고, 그 특성을 측정, 분석하였다. 스위칭 특성을 알아보기 위하여 순방향 전압에서는 비선형 s-자형의 전류-전압 특성을, 역방향 전압에서는 완전 공핍 전압을 모의실험으로 알아보았다. 모의실험을 바탕으로 설계, 제작한 VCL-DOT(Vertical Cavity Laser - Depleted Optical Thyristor)의 스위칭 전압과 전류는 5.24 V, $5{\mu}A$ 이고, 홀딩 전압과 전류는 각각 1.50 V, $100{\mu}A$가 나왔다. 측정된 레이징 문턱 전류는 0.65 mA 이고, 출력 파장은 854.5 nm의 레이징 특성을 확인하였다.