본 논문에서는 트리거와 리미팅 요소를 갖는 초전도 한류기의 전류제한 특성을 분석하였다. 일반적으로 저항형 초전도한류기는 트리거동작과 리미팅동작이 초전도한류기 자체에서 모두 이루어지게 된다. 초전도 한류기의 구성요소를 트리거동작과 리미팅동작을 수행하는 요소로 분리시켜 보다 효율적으로 고장전류를 감지하고 제한할 수 있음을 등가회로와 모의실험을 통해 확인하였다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.11
no.5
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pp.955-960
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2007
In this paper, the deviation of tunneling current for gate voltage has been investigated in double gate MOSFET developed to decrease the short channel effects. In device scaled to nano units, the tunneling current is very important current factor and rapidly increases,compared with thermionic emission current according to device size scaled down. We consider the change of tunneling current according to gate voltage in this study. The potential distribution is derived to observe the change of tunneling current according to gate voltage, and the deviation of off-current is derived from the relation of potential distribution and tunneling probability. The derived current is compared with the termionic emission current, and the relation of effective gate voltage to decrease tunneling current is obtained.
저궤도 인공위성의 전력변환 시스템은 태양전지판에서 생성된 전력을 배터리와 전장품으로 구성된 비조절형 버스로 전압 강하하여 제공한다. 무게, 부피, EMI/EMC 특성에 제한적인 요구조건을 갖는 인공위성의 응용분야에 적용하기 위하여 설계된 강압형 DC/DC 컨버터는 기존의 벅-컨버터와 유사한 동작특성을 보이지만 인턱터를 분리함으로써 입력단에도 연속적인 전류특성을 보이며 두 개로 분리된 인턱터는 부피와 무게에서 이점을 갖추고 있다. 본 논문에서는 연속적인 입출력 전류 특성을 갖는 강압형 컨버터의 동작특성에 대하여 기술한다.
Deposition conditions of diamond thin films were optimized using hot-filament chemical vapor deposition (HFCVD). Boron-doped diamond thin films with varying boron densities were then fabricated using B4C solid pellets. Current-voltage responses and field emission currents were measured to test the characteristics of field emission display (FED). With the increase of boron doping, the crystal size of diamond decreased slightly, but its quality was not changed significantly in case of small doping. The I-V characterization was performed for Al/diamond/p-Si, and the current of doped diamond film was increased $10^4\sim10^5$ times as compared with that of undoped film. In the field emission properties, the electrons were emitted with low electric field with the increase of doping, while the emission current increased. The onset-field of electron emission was 15.5 V/$\mu\textrm{m}$ for 2 pellets, 13.6 V/$\mu\textrm{m}$ for 3 pellets and 11.1 V/$\mu\textrm{m}$ for 4 pellets. With the incorporation of boron, the slope of Fowler-Nordheim graph was decreased, revealing that the electron emission behavior was improved with the decrease of the effective barrier energy.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.17
no.1
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pp.86-93
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2003
This paper describes that the resonant tank type DC-DC converter consist of reactor and capacitor resonant tank circuit for increased the output current. This circuit configuration is composed of the resonant tank circuit used resonant capacitor and reactor and the capacitor connected in switch are a common using by resonance capacitor and ZVS(Zero Voltage Switching) capacitor. Therefore, the proposed converter can reduce a switching losses, noise, and voltage stress at turn-on and turn-on and has an advantage which is able to operating safely in load short, because DC reactor is connected with resonance reactor in order to supply a fixed current with low ripple from DC power supply. The analysis of proposed circuit uses normalized parameters and characteristic estimation is generally described the proposed circuit with the characteristics of power and output voltage etc. Also, design is based on the characteristic estmations in each step. Hence, We conform a rightfulness theoretical analysis by comparing a theoretical values and experimental values obtained from experiment.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.15
no.6
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pp.3821-3826
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2014
This paper proposes a methodology for developing the performance of a solenoid valve for vehicles based on the dynamic analysis model by an electromagnetic field. The high performance solenoid model with a low current and high thrust was induced through the shape optimal design of the yoke and plunger. To perform the dynamic analysis of the solenoid valve, the input current profile was analyzed. The speed and thrust information was analyzed by FEM with this current profile. The co-simulation method of the circuit model of control logic and electromagnetic model of the solenoid valve was also proposed to analyze the performance with several current patterns. Finally, the performance of the original model and optimal one was compared.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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v.37
no.2
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pp.6-11
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2000
In this paper, suggesting a new linearly -graded depletion edge approximation, the current-voltage characteristics of an n-type short-channel GaAs MESFET device has been analyzed by solving the two dimensional Poisson's equation in the depletion region. In this model, the expressions for the threshold voltage, the source and the drain ohmic resistance, and the drain current were derived. As a result, typical Early effect of a short channel device was shown and the ohmic voltage drop by source and drain contact resistances could be explained. Furthermore our model could analyze both the short-channel device and the long-channel device in a unified manner.
본 논문에서는 nanoporous Pt (Platinum) 전극을 이용한 무효소 혈당센서의 생체 적합성 및 전류응답 특성 향상을 위해 다양한 패키징 방법이 제안되었다. 생체적합성을 갖는 Nafion 멤브레인을 dipping, spin coating, chemical bonding 방법으로 패키징 한 후, 다양한 글루코오스 농도의 혈장, 전혈에서 특성을 분석, 비교하였다. 단백질 등이 포함되지 않은 환경에서 spin coating 방법으로 패키징한 센서의 전류응답 특성은 가장 좋았지만, 혈장 및 전혈에서는 dipping, chemical bonding 방법으로 패키징한 센서의 전류응답 특성에 미치지 못했다. Nafion film을 센서와 chemical bonding한 센서의 혈장에서 sensitivity 는 0.32 ${\mu}A/mM{\cdot}cm^2$ 이었다. 한편, 전혈에서 bare 센서가 급격한 bio-fouling 현상을 보이는 반면 패키징한 센서는 글루코오스 농도에 따라 일정한 전류변화를 보였다. 이는 Nafion을 이용하여 패키징한 무효소 혈당 센서가 생체환경에 적합할 뿐 아니라 생체이식형 및 연속 측정 가능한 시스템에 적용 가능함을 보여준다.
Park, Ju-Yeong;Im, Yu-Bong;Kim, Ho-Rak;Kim, Jong-Guk;Lee, Seung-Hun;Choe, Won-Ho
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.226.1-226.1
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2014
이온빔 소스는 반도체 및 디스플레이 공정에 있어, 표면 에칭 및 증착 등 여러 응용 분야에 활발히 이용되고 있다. 본 연구에 사용된 원형 이온빔 소스는 선형 이온빔 소스의 가장자리에서의 특성 분석을 위해 제작되었으며, 높은 직류전압과 자기장 공간에서 플라즈마를 방전시키고 발생된 이온들을 가속시켜 높은 에너지의 이온빔을 발생시킨다. 이온빔 특성 분석을 위해 전위지연 탐침과 패러데이 탐침을 개발하였다. 전위지연 탐침은 격자판에 전압을 인가하여 선택적으로 이온을 수집하고, 이온의 에너지분포함수를 측정한다. 패러데이 탐침은 이온 수집기와 가드링으로 구성되어 수집기 표면에 일정한 플라즈마 쉬스를 형성하여 정확한 이온전류밀도를 측정한다. 본 연구에서는, 아르곤 기체를 이용하여 기체유량(8~12 sccm) 및 방전전압(1~2 kV)에 따라 방전전류 16~54 mA, 소모전력 16~108 mW의 특성을 보였다. 운전압력은 0.4~0.54 mTorr이며, 이온소스로부터 18 cm 거리에서 이온전류밀도와 이온에너지분포를 측정하였다. 또한, 중공음극선을 이용하여 인위적으로 전자를 이온 소스에서 발생된 플라즈마에 공급하고 이온빔 및 플라즈마의 특성 변화를 위 시스템에서 분석하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.186-186
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2010
소자의 축소화에 따라 floating gate 형의 flash 메모리 소자는 얇은 게이트 절연막 등의 이유로, 이웃 셀 간의 커플링 및 게이트 누설 전류와 같은 문제점을 지니고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 charge trap flash 메모리 (CTF) 소자가 연구되고 있지만, CTF 메모리 소자는 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 성능간의 trade-off 관계와 같은 문제점을 지니고 있다. 최근, 이를 극복하기 위한 방안으로, 다른 유전율을 갖는 유전체들을 적층시킨 터널 절연막을 이용한 Tunnel Barrier Engineered (TBE) 기술이 주목 받고 있다. 따라서, 본 논문에서는 TBE 기술을 적용한 MIS-capacitor를 높은 유전율을 가지는 Al2O3와 HfO2를 이용하여 제작하였다. 이를 위해 먼저 Si 기판 위에 Al2O3 /HfO2 /Al2O3 (AHA)를 Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 약 2/1/3 nm의 두께를 가지도록 증착 하였고, Aluminum을 150 nm 증착 하여 게이트 전극으로 이용하였다. Capacitance-Voltage와 Current-Voltage 특성을 측정, 분석함으로써, AHA 구조를 가지는 터널 절연막의 전기적인 특성을 확인 하였다. 또한, high-k 물질을 이용한 터널 절연막을 급속 열처리 공정 (Rapid Thermal Annealing-RTA) 과 H2/N2분위기에서 후속열처리 공정 (Post-RTA)을 통하여 전기적인 특성을 개선 시켰다. 적층된 터널 절연막은 열처리를 통해 터널링 전류의 민감도의 향상과 함께 누설전류가 감소됨으로서 우수한 전기적인 특성이 나타남을 확인하였으며, 적층된 터널 절연막 구조와 적절한 열처리를 이용하여 빠른 쓰기/지우기 속도와 전기적인 특성이 향상된 비휘발성 메모리 소자를 기대할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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