• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.4
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• pp.793-798
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• 2012

In this paper, dependence of subthreshold current has been analyzed for doping distribution and channel structure of double gate(DG) MOSFET. The charge distribution of Gaussian function validated in previous researches has been used to obtain potential distribution in Poisson equation. Since DGMOSFETs have reduced short channel effects with improvement of current controllability by gate voltages, subthreshold characteristics have been enhanced. The control of current in subthreshold region is very important factor related with power consumption for ultra large scaled integration. The deviation of threshold voltage has been qualitatively analyzed using the changes of subthreshold current for gate voltages. Subthreshold current has been influenced by doping distribution and channel dimension. In this study, the influence of channel length and thickness on current has been analyzed according to intensity and distribution of doping.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.17 no.10
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• pp.2403-2408
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• 2013

This paper has analyzed the change of forward and backward current for channel doping concentration to analyze off-current of double gate(DG) MOSFET. The Gaussian function as channel doping distribution has been used to compare with experimental ones, and the two dimensional analytical potential distribution model derived from Poisson's equation has been used to analyze the off-current. The off-current has been analyzed for the change of projected range and standard projected range of Gaussian function with device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and channel doping concentration. As a result, this research shows the off-current has greatly influenced on forward and backward current for device parameters, especially for the shape of Gaussian function for channel doping concentration.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.156-156
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• 2015

도금 시뮬레이션의 목적은 실제 도금 상황에서의 전류밀도 및 도금두께 분포를 정확히 예측하여 최상의 품질과 최적의 공정조건을 확립하는데 있다. 제품에 부착된 도금 두께는 기하학적 배치에 의한 저항 (1차 전류밀도), 전기화학적 전하교환 반응에 의한 분극 (2차 전류밀도) 및 확산, 유동 등 도금물질의 공급에 의한 분극(3차 전류밀도)에 의해 결정이 된다. 현재까지 도금 시뮬레이션은 1차 전류밀도 예측에 대한 전자기학적 해석과 Butler-Volmer 식에 근거한 동력학적 전기화학 해석을 통해 2차 전류밀도 분포 해석만 이루어졌다. 즉, 도금 반응에 있어서 물질공급은 항상 일정하게 유지되는 것을 가정하고 해석을 하였다. 이는 3차 전류밀도 분포에 있어서 전극반응 계면에서의 유동에 의한 물질공급이 전기화학과는 다른 물리(physics) 영역이어서 이를 전기화학과 coupling 하는데 기술적으로 어렵기 때문이었다. 그러므로, 물질공급반응이 속도결정단계가 되는 고속도금이나 저농도 도금, gap, tranch, via hole, through hole 등의 도금의 경우에는 해석결과에 큰 오차를 야기하게 된다. 본 발표에서는 그동안 접근하지 못했던 전기도금 해석에 있어서 유동해석을 커플링하여 다중물리해석을 한 결과를 발표한다. 시편으로는 회전원판전극과 회전 헐셀을 이용하여 회전속도 (rpm)에 따른 전류밀도 및 도금두께 분포의 변화 거동을 예측하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.17 no.6
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• pp.1409-1413
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• 2013

This paper analyzed the change of subthreshold current for channel doping concentration of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for channel doping concentration, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. As a result, we know the subthreshold current was influenced on parameters of Gaussian function and channel doping concentration for DGMOSFET.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1578-1579
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• 2011

본 논문에서는 고분자 절연체가 인가된 전압의 시간에 따라 변화하는 공간전하와 전도 전류의 영향에 대하여 조사를 하였다. 또한 극성반전에 따른 공간전하의 분포와 전도 전류에 변화에 대한 연구를 실시하였다. 기존의 공간전하 분포 측정법들은 주로 고분자 절연재료 내에서 공간전하분포의 측정만을 목표로 한 반면에 공간전하 측정법 중의 하나인 PEA(Pulsed Electro-Acoustic method)을 개선시켜 공간전하와 전도전류의 동시 측정을 가능하게 하였다. 개선된 PEA법은 시간변화에 따른 공간전하와 전기전도의 직접적인 상관관계와 미리 형성 되어 있는 공간전하가 전기전도 및 절연특성에 미치는 영향을 직접적으로 분석할 수 있는 장점을 가지고 있다. 이러한 공간전하와 전류의 동시 측정법을 이용하여 연구하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.21 no.2
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• pp.48-51
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• 2011

We performed macro-spin simulation studies of the current-induced magnetization reversal of nanomagnetic elements with short current pulses. A special attention was paid to the effect of the energy barrier on the switching current distribution. The switching current and its distribution increase with decreasing the current pulse-width. The relationship between the energy barrier and switching current distribution is described by the Arrhenius-N$\'{e}$el law at a long pulse-width regime. At a regime of short pulse-width, however, the relationship is left unaddressed. The difficulty to address this issue arises because the magnetization switching with a short current pulse is governed not by the thermal activation but by the precession motion. Therefore, an exact formulation for the short pulse regime by solving the Fokker-Plank equation is needed to understand the result.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.4
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• pp.413-422
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• 2003

We have calculated the power extraction efficiency and the lasing wavelength distribution of index-coupled DFB lasers at threshold for various kL and facet reflectivity combinations, and compared with those above-threshold. The power extraction efficiency increases as the asymmetry of the facet reflectivities increases. The power extraction efficiency above-threshold is slightly larger than that at threshold. Since the relative photon density around the center region increases as kL increases, the power extraction efficiency decreases. The uniformity of the distribution of lasing wavelength over the stop band increases due to the relief of mode degeneracy as the asymmetry of the facet reflectivities increases. In the case of AR-HR combination, the lasing wavelength distributions at threshold are similar to those above-threshold. However, in the case of AR-AR combination, the lasing wavelength at threshold is concentrated on both edges of the stop band, while it is concentrated only on the longer wavelength edge above-threshold. As kL increases, the range of the lasing wavelength distribution increases due to the increase of the stop band. The effect of AR reflectivity on the power extraction and the lasing wavelength distribution is very weak.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.11 no.4
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• pp.30-38
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• 1974

This paper presents a method, which finds the current distribution and input impedance at the arbitrary feeding point of bended linear antenna in arbitrary shape in accordance with the MOMENT method. Practically the method of analysis is applied to the sinusoidal-shaped antenna, and the results of the calculation of current distribution and input impedance consist with the theoretical values. The method can be extensively used for the analysis of any of type antenna problems.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.11d
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• pp.122-126
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• 2004

직격뇌가 높은 건축물에 치거나 인접 건물로부터 뇌전류가 유입되었을 때 잘못된 피뢰설비로 인한 피해는 매우 심각한 실정이다. 낙뢰가 치는 순간에 반도체와 같은 민감한 전자부품을 사용하는 전자 및 통신기기는 뇌전류로 인한 전자기장의 영향으로 오동작이 발생하거나 부품의 손상을 입기가 쉽다. 본 논문에서는 건축물 구조체에 직격뇌가 유입되었을 때 건축물 구조체 및 건물 주위에 나타나는 전위분포특성을 연구하였다. 본 논문에서 30m 높이 건축물의 상부 모서리와 중앙부 그리고 건축물 하부 모서리와 중앙부로 뇌전류가 유입된다고 가정하여 건축물의 전계분포특성을 시뮬레이션하였으며, 뇌전류는 2중 지수함수형태로 모의된 20kA 임펄스 서지 전류를 주입하였다. 뇌서지 전류의 주파수 특성은 Fast Fourier Transform(FFT)을 이용하여 얻었으며, 얻어진 주파수 값을 이용하여 건축물 구조체와 인접지역의 Scalar Potentials과 Electric Fields의 특성을 시뮬레이션하였다. 또한 철골 빔 건축물의 철골 빔에 직접 뇌전류가 유입되는 경우와 건물 하부의 접지전극에 뇌전류가 유입되는 경우로 분리 하여 연구하였다. 그 결과 뇌전류의 유입경로가 건축물의 모서리부분 보다는 중심부에 위치될 때 전위 및 전계 크기가 작았으며 건축 철골구조물보다 건축물 하부에 접지전극이 설치될 때 더 낮은 전계 값을 갖는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.766-767
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• 2008

임계온도가 높아 시스템응용에서 매우 안정한 장점을 지닌 고온초전도(HTS)도체를 이용한 HTS-SMES(Superconducting Magnetic Energy Storage)장치에 대하여 많은 연구가 진행되고 있다[1]-[2]. 이런 HTS-SMES 장치의 고가성, 복잡성 등 원인에 기인하여 운전에 앞서 장치의 임계전류, 자속유동손실 및 충.방전시 불가피하게 발생되는 교류손실 등과 같은 기본적인 특성들이 선행하여 연구되어야 한다. 따라서 본 연구에서는 600 kJ급 HTS-SMES코일에 대한 자장분석을 기반으로 코일의 임계전류밀도 분포를 계산하였고 최소 임계전류밀도에 근거하여 코일의 임계전류를 결정하였다. 그 주요 결과를 요약하면 코일에서 자장과 임계전류밀도 분포는 코일의 형상에 무관하게 같은 분포 경향을 보여주며 최소 임계전류밀도는 코일의 top과 bottom의 중심에 위치하며, model코일에서 임계전류의 계산값과 측정값이 비교적 잘 일치하였기 때문에 600 kJ급 HTS-SMES코일도 잘 일치할 것으로 사료된다. 또한 SMES코일을 20 K에서 운전한다고 가정하면 코일 임계전류의 ${\sim}60%$, 4.2 K에서는 ${\sim}40%$에서 각각 운전하게 될 것으로 예측된다.