• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.197-198
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• 2007

본 논문에서는 연료전지 시스템에서 발생되는 저주파 리플의 전달과정을 분석하고, PCS 회로 및 인버터 제어방식에 따른 저주파 리플 영향을 비교 분석한다. 부스트 컨버터와 풀브리지 컨버터의 입력전류 고조파 분포와 인버터 PWM 스위칭 방식에 따른 입력전류에서의 영향을 고조파 분포 및 저주파 리플 측면에서 분석한다. 풀브리지 컨버터에서 전달되는 저주파 리플 크기가 상대적으로 작은 것을 확인하고, PWM 스위칭 방식은 저주파 리플에 영향을 주지 않는다는 것을 시뮬레이션을 통하여 확인한다.

• Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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• 2002.02a
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• pp.371-373
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• 2002

High current density Bi-2223 tapes have recently become commercially available. The ac loss is an important issue in the design of high-T$_{c}$ superconducting power cables. In such complicated devices, special caution is required in the placing of voltage leads for measuring the in-phase voltage. In this paper, the ac losses for different contacts and arrangements of voltage leads have been experimentally investigated in a single layer model cable and discussed.d.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.11b
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• pp.20-25
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• 2001

본 논문은 대용량 전력을 사용하는 철강산업 전력계통에서 고조파 전압과 전류 등을 현장 실측하여 고조파 발생 설비를 모의하여 고조파를 해석한 실계통 적용 연구 사례로 전력계통 전반에 나타나는 고조파 전압과 전류 분포를 분석하고 고조파 억제용으로 설치되어있는 고조파필터용 콘덴서의 공진 가능성 등을 검토한 것이다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2008.02a
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• pp.93-94
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• 2008

In order to suppress the current crowding in light emitting diodes (LEDs) grown on sapphire substrate, the effect of nonuniform contact resistivity between TME layer and p-GaN layer on the LED surface was theoretically investigated. The analysis results showed that current crowding occurring around p-electrode could be considerably improved, which in turn would be helpful to improve the electrostatic discharge (ESD) characteristic.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2006.10a
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• pp.89-89
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• 2006

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2003.10a
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• pp.7-7
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• 2003

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.37 no.12
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• pp.839-846
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• 1988

If we use the 2-dimensional analyzing method with the magnetic vector potential for the analysis of eddy current distribution in electric machinery, we can obtain the magnitude of eddy current but can't have the characteristic of eddy current distribution. For the settlement of this problem, we have induced the governing equation with the current vector potential and attemptted 2-dimensional analysis of eddy current distribution by finite element method. And the time domain weighted residual method is used in treatment of time differential term and we have developed the algorithm by it. And then, we analyze eddy current distributions of analytic model and aluminium disk in singlephase watt hour meter. Consequently we have verified the propriety and utility of above mentioned method.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.869-870
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• 2006

일반적으로 초전도선재를 이용한 코일의 전자기력에 의한 스트레스 계산에 있어서는 코일의 전류밀도분포와 자속밀도분포의 선형적인 관계를 이용하나 아직까지 초전도체 특유의 비선형적인 특성을 이용한 스트레스의 계산은 미비하다. 본 논문에서는 13턴의 소형 싱글팬케이크 코일을 초전도의 특성을 적용해 해석하고 인가전류가 $0.3I_c,\;0.5I_c,\;0.8I_c$ 인 경우에 대해서 전자기력에 의한 코일의 스트레스를 유한요소법으로 계산하였다. 계산 결과 코일의 radial stress와 hoop stress는 모두 코일의 자속밀도분포와 유사한 모습을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.560-560
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• 2013

플라즈마 내의 전자 에너지 분포는 방전 특성 및 전자 가열 메커니즘에 대한 정보를 줄 수 있을 뿐만 아니라, 소자 생산 공정에서 공정 조건 제어 및 소자 품질 향상에 중요한 역할을 하는 변수이다. 그에 따라서, 반도체공정에서 널리 쓰이는 유도 결합 플라즈마 또는 용량성 결합 플라즈마 장치의 외부 변수에 따른 전자 에너지 분포 변화에 대한 연구가 많이 진행되어왔다. 본 연구에서는, 극판 전극이 인가된 유도 결합 플라즈마 구조에서 낮은 압력의 아르곤과 산소 기체 방전에 대하여 전자 에너지 분포를 측정하였다. 극판 전압만이 인가되었을 경우에는 두 개의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정하였으나, 소량의 안테나 전력을 인가할 경우 하나의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정할 수 있었다. 이러한 분포함수의 급격한 변화는 유도 결합 전기장과 용량성 결합 전기장의 혼재에 따른 전자 가열 효과이며, 극판에서의 전압, 전류 그리고 위상 측정을 통하여 전자 가열 메커니즘을 확인하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.2
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• pp.100-105
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• 2011

Simulations were performed using Crystal TRIM software under the same conditions used by previous researchers in order to clarify the mechanism that determines sheet resistance various doses, energies and beam currents. The results showed that the peak of the depth profile (Rp) in the same sample gradually shifts inward and damage increases near the surface as the energy increases for $As^+$ equal dose of $1{\times}10^{15}/cm^2$ implanted into Si(100) energies of 5, 10, and 15 keV. From a theoretical calculation of B+ ion implantation processes at energy of 20 keV using parameters that correspond to 1 mA and 7 mA beam currents with the same dose of $5{\times}10^{15}/cm^2$, it was found that the higher beam currents resulted in more damage near the surface (<100 nm). Likewise, In the simulations employing sets of doses ($1{\times}10^{15}$, $3{\times}10^{15}/cm^2$) and beam currents (0.8 mA, 8 mA), more damage was produced at larger doses and higher current. Thus, sheet resistance at the surface was reduced by the intensified damage from increases in beam energy, dose and beam currents.