• Title/Summary/Keyword: 전류데이터

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A New Architecture for Embedded Memory with Current Type CACHE (전류형 캐시를 지니는 임베디드용 메모리 아키텍쳐)

  • Jeong, Se-Jin;Lee, Hyun-Seok;Lee, Jong-Seok;Woo, Young-Shin;Kim, Tae-Jin;Sung, Man-Young
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1999.07g
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    • pp.3111-3113
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    • 1999
  • 임베디드 메모리로직에 적용되는 매크로셀을 지니고 전류형태의 저장방법을 적용한 캐시를 통한 임베디드 메모리칩의 설계의 일환으로 0.25마이크로 공정으로 설계되었으며 멀티미디어 칩에 사용되는 메모리 코아는 캐시를 지니고 있음으로 칩의 밴드위스를 높이고 칩의 어드레스 억세스시간(10nS)을 빠르게 할 수 있었으며 이를 위한 내부공급전압은 2.0V이다. 본 논문의 아키텍쳐에서는 기존 메모리 소자의 전송형태를 전류형 전송수단을 이용하여 매크로 셀의 데이터를 캐시에 저장하고, 이를 전류형태의 메인 데이터증폭회로를 통하여 전송하게된다. 이를 이루기 위한 칩의 아키텍척로 비트라인과 캐시의 연결회로를 추가한 구조를 제안하였다.

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Fuzzy Logic Based Control of High Current SRM (퍼지 제어기를 적용한 대 전류 SRM의 구동)

  • Huh, S.J.;Huh, U.Y.;Oh, D.J.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2003.07d
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    • pp.2316-2318
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    • 2003
  • 본 논문에서는 지게차용 12KW급 대전류 SR모터의 전류의 진상각 및 오프각 제어와 속도의 퍼지 제어에 대해 기술하였다. 대전류 SR모터의 경우는 전압이 낮은 대신 큰 전류가 흘러야 한다. 때문에 저 저항, 저 인덕턴스 형태로 설계된다. 따라서 토크가 유발되는 인덕턴스 상승구간에 원하는 크기의 전류를 얻기 위해서는 인덕턴스의 상승구간 이전에 적절히 스위칭 시켜 주어야 하는데 이를 진상각 제어라 하고, 역토크 구간 인 인덕턴스의 감소구간 이전에 스위칭 시켜주는 것을 오프각 제어라 한다. 이러한 내용을 실구동 실험을 통하여 얻은 토크 및 속도의 변화에 따른 진상각 및 오프각의 가변 데이터를 Look-up 테이블로 만들어 시뮬레이션을 통해 실험을 해본다. 또한 실험을 통한 데이터를 바탕으로 퍼지 제어기를 구성하여 시뮬레이션을 통해 PI 제어기와 비교 분석하여 본다.

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오로라 제트전류의 위도에 따른 분포 특성 및 전기장과 전기전도도의 상대적 기여도

  • 김현주;안병호
    • Bulletin of the Korean Space Science Society
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    • 2003.10a
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    • pp.38-38
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    • 2003
  • 전리층은 우주환경의 변화에 매우 중요한 역할을 하고 있다. 그 중 전리층에서 발생하는 오로라는 우주환경의 변화를 가시적으로 보여주는 유일한 현상이다. 본 연구에서는 오로라 타원체를 따라 흐르는 오로라 제트전류의 위도에 따른 분포를 알아보고 그 특징을 조사하였다. 그리고 오로라 발생지역과 이들 전류분포를 비교하였으며 전기장과 전기전도도를 계산하여 오로라 제트전류에 대한 상대적인 기여도를 알아보았다. 먼저 CANOPUS 지자기 관측소의 1998년 데이터를 사용하여 1년간 발생했던 Isolated Substorm을 추려내었다. 그리고 이들 Substorm이 발생하는 동안 위도에 따른 오로라 제트전류 분포의 특징을 구하여 전류의 방향에 따라 이들 분포가 어떠한 형태로 나타나는지 알아보았으며, 이때 오로라 발생지역과의 연관성을 조사하였다. 여기서 전리층에 흐르는 전류를 무한판상으로 가정하여 오로라 제트전류의 분포를 지자기변화 성분으로부터 추론하였다. 또한 DMSP의 하강입자를 이용하여 계산한 전기전도도를 이용해 전기장을 추정함과 동시에 오로라제트전류에 대한 이들의 상대적 기여도를 조사해보았다.

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A study on the period ${\lambda}$/2 of the short current(Icc) by KTX36(300km/h) (KTX36호(300km/h) 단락전류의 반파장주기(${\lambda}$/2)에 관한 연구)

  • Park, Ki-Bum;Lee, Tae-Hoon;Lee, Gi-Chun;Jeon, Yong-Joo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.1167-1168
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    • 2007
  • 본 논문은 KTX36호(300km/h) 운행시 수집된 검측데이터를 효과적으로 분석하여 유지보수에 활용하기 위한 단락전류의 반파장주기(${\lambda}$/2)에 관한 연구수행 결과를 나타낸다. KTX36호는 현재 하나의 객실을 검측차로 개조하여 운행속도에서 각종 검측을 수행하고 있다. 우리나라의 고속선 궤도회로는 프랑스의 궤도회로와 달리 토공, 교량, 터널 구간으로 나뉘어 있으며, 상용전원 주파수도 프랑스는 50Hz, 우리나라는 60Hz를 사용하고 있어 정보전송을 위해 사용하는 반송주파수도 다르다. 또한 특성임피던스 와 감쇠정수/위상정수를 결정짓는 중요한 변수인 선로정수(R,L,G,C)가 다르기 때문에 KTX36호의 단락전류에 대한 반파장주기(${\lambda}$/2)는 검측데이터를 활용한 유지보수에 있어 매우 중요한 역할을 한다. 본 논문에서는 프랑스에서 사용하는 단락전류의 반파장주기 (${\lambda}$/2)에 대해 언급하고 연구결과 산출된 국내 단락전류의 반파장주기(${\lambda}$/2)를 비교하였다.

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MVL interface circuit for LCD display device (LCD디스플레이 장치를 위한 MVL 인터페이스 회로)

  • 김석후;최명렬
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.215-217
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    • 2002
  • 본 논문에서는 CM-MVL(Current Mode Multi-Valued Logic)을 이용한 Host와 LCD Controller 간에 인터페이스 회로를 제안한다. 제안한 회로는 기존의 LVDS(Low Voltage Differential Signaling)과 TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)와 같은 전류 특성을 가지며, 3비트 동시 전송이 가능하여 동일한 전송 속도 하에서 보다 많은 데이터를 전송할 수 있다. 그리고 전류에 의한 데이터 전송을 통하여 노이즈에 강한 특성을 나타낸다. 제안한 회로는 HSPICE 시뮬레이션을 통해서 회로의 동작을 확인하였다.

Simulation of Corona Charging Process in Electret for Sensor Materials (센서재료용 일렉트렛트의 코로나 대전 과정 시뮬레이션)

  • Park, Geon-Ho
    • Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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    • 2012.07a
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    • pp.421-422
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    • 2012
  • 본 연구에서는 코로나 대전된 고분자의 열자격전류(Thermally Stimulated Current; 이하 TSC) 데이터를 기반으로 코로나 대전 과정을 유한요소법(Finite Element Method; 이하 FEM)을 이용하여 시뮬레이션하였다. $DC -5{\sim}-8[kV]$의 고전압을 고분자에 인가하여 형성시킨 일렉트렛트를 온도 범위 $-100{\sim}+200[^{\circ}C]$에서 얻은 TSC 데이터의 대전 과정을 조사하기 위하여 FEM으로 시뮬레이션을 수행하여 공간에서 코로나 대전 과정을 추정하였다.

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GIS를 이용한 송전선로 주변의 전자파 분포 시뮬레이션 가능성 평가

  • Park, Jae-Young;Um, Jung-Sup
    • 한국공간정보시스템학회:학술대회논문집
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    • 2005.05a
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    • pp.165-174
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    • 2005
  • 고압전류가 흐르는 송전탑이 주거 밀집지역 인근에 설치되거나 송전탑과 가까운 곳에 아파트가 건설되면서 주민들이 한전을 상대로 손해배상 청구소송을 추진하는 등 전자파 피해에 따른 민원이 끊이지 않고 있다. 이와 같은 문제에 대해 해결책을 제시하기 위해서는 송전선 주변 전자파의 실체에 대해 과학적이고 객관적인 조사를 거쳐 국민에게 납득할 수 있는 대안을 제시하는 것이 선행되어야할 작업이다. 그러나 현재 전자파 데이터는 조사 지점만의 단편적인 측정치를 보여주는 수준에 머물러 있어 전자파 확산 등 광역적인 분포 추이에 대한 시각적인 정보를 입수하는 데 상당한 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 GIS기반의 공간 모델링 기법을 활용하여 거리와 전류를 토대로 분포되는 송전선 주변의 전자파 시뮬레이션 기법을 제안하고자 한다. 이와 같은 문제에 대해 대안을 제시하고자, 지역주민이 일상생활에서 접하고 있는 지역의 지도(건물, 도로망 등)를 전자파 유동에 관한 이론에 의거하여 3차원 상에서 전자파 시뮬레이션을 수행하였다. 전자파 시뮬레이션 결과를 검증하기 위해 사용한 실측 데이터는 인천광역시 서구 가정2동에 위치한 봉수 초등학교의 학생들에게 전자파 측정장비를 부착하도록 하여 확보하였다 송전선에서 전자파 방출에 개입하는 거리와 전류의 세기에 의거하여 전자파의 분포를 예측하였으며 실측 데이터와 이론적인 데이터를 비교하여 상관성을 평가했다. 통상 전자파 조사과정은 지도에 표기된 조사지점을 일일이 확인하는 등 모든 측정 작업을 수작업에 의존하고 있다. 따라서 DB구축에 시간이 많이 소요되고 정확도도 많이 떨어질 수밖에 없어 다양한 조건으로 방대한 자료를 공간상에서 검색하는 것 자체가 불가능하였다. 전자파의 분포를 그래픽정보로 가공하여 광역적인 전자파 변화 추이를 풍부한 시각 정보로 디스플레이 하는 것도 어려웠다. 또한 수작업으로 인한 실수도 많이 발생하고 그에 따른 교정 작업도 복잡하였다. 본 연구에서는 송전선에서 방출되어지는 전자파의 이론적인 데이터와 실측 데이터의 상관성에 따른 분석 결과를 가지고 실측 데이터 없이 GIS 기반의 3D 시뮬레이션에 의거하여 전자파의 공간적인 가시화를 수행할 수 있었다. 본 전자파 시뮬레이션 기법이 실무에 이용될 경우, 일반인이 전자파의 분포에 대한 전문지식을 습득할 필요 없이, 검색하고자 하는 지역과 송전선, 전철 등 각종 전자파의 발생 공간 객체를 선택하여 실생활과 관련된 전자파 정보에 예측할 수 있어, 대민 환경정보 서비스 질의 개선측면에서 획기적인 계기를 마련할 것으로 사료된다.

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Battery charge prediction of sailing yacht regeneration system using neural networks (신경망을 이용한 세일링 요트 리제너레이션 시스템의 배터리 충전 예측)

  • Lee, Tae-Hee;Hwang, Woo-Sung;Choi, Myung-Ryul
    • Journal of Digital Convergence
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    • v.18 no.11
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    • pp.241-246
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    • 2020
  • In this paper, we propose a neural network model to converge the marine electric propulsion system and deep learning algorithm to predict the DC/DC converter output current in the electric propulsion regeneration system and to predict the battery charge during regeneration. In order to experiment with the proposed neural network, the input voltage and current of the PCM were measured and the data set was secured on the prototype PCM board. In addition, in order to improve the learning results in the insufficient data set, the scale of the data set was increased through data fitting and its learning was executed further. After learning, the difference between the data prediction result of the neural network model and the actual measurement data was compared. The proposed neural network model effectively showed the prediction of battery charge according to changes in input voltage and current. In addition, by predicting the characteristic change of the analog circuit constituting the DC/DC converter through a neural network, it is determined that the characteristics of the analog circuit should be considered when designing the regeneration system.

A Sensing Method of PoRAM with Multilevel Cell (멀티레벨 셀을 가지는 PoRAM의 센싱 기법)

  • Lee, Jong-Hoon;Kim, Jung-Ha;Lee, Sang-Sun
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.47 no.12
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    • pp.1-7
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    • 2010
  • In this paper, we suggested a sensing method of PoRAM with the multilevel cell When a specific voltage is applied between top and bottom electrodes of PoRAM unit cell, we can distinguish cell states by changing resistance values of the cell. Especially, we can use the PoRAM as the multilevel cell due to have four stable resistance values per cell. Therefore, we proposed an address decoding method, sense amplifier and control signal for sensing of a multilevel cell. The sense amplifier is designed based on a current comparator that compared a cell current the cell with a reference current, and have a low input impedance for a amplification of the current. The proposed circuit was designed in a $0.13{\mu}m$ CMOS technology, we verified to sense each data "00", "01", "10", "10" by four states of a cell current.

A Study on the Low Level Leakage Currents of Silicon Oxides (실리콘 산화막의 저레벨 누설전류에 관한 연구)

  • 강창수;김동진
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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    • v.35T no.1
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    • pp.29-32
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    • 1998
  • The low level leakage currents in silicon oxides were investigated. The low level leakage currents were composed of a transient component and a do component. The transient component was caused by the tunnel charging and discharging of the stress generated traps nearby two interfaces. The do component was caused by trap assisted tunneling completely through the oxide. The low level leakage current was proportional to the number of traps generated in the oxides. The low level leakage current may be a trap charging and discharging current. The low level leakage current will affect data retention in EEPROM.

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