• 전기의세계
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• v.20 no.1
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• pp.41-44
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• 1971

현재 한국전력에서 시설하고 있는 22.9KVY 다중접지배전방식은 전력수송면에서는 가장 경제적방식으로서 각광을 받고 있으나 인접한 통신선에 미치는 유도장해는 타의 비접지방식보다 문제가 됨으로 이에 대한 해결방안이 수립돼야 한다. 본 보고는 이러한 유도장해 감소 대책연구의 일부로서 전력측(한전)과 통신부서(체신부, 철도청, 내무부, 국방부)의 합동으로 건설한 경기 오산지구의 22.9KVY 모의 배전계통에서 지난 5월에 실시한 1선지락고장시의 전자유도전압 합동측정치의 분석보고이다.

• 전기의세계
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• v.38 no.9
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• pp.35-45
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• 1989

최근 정보 및 산업사회의 발달에 따라 전기에너지의 이용이 양적, 수적으로 증가되고 있는 가운데 모든 전기.전자기기 및 전력설비에 전기에너지를 전달하는 전력선로상에서 불요전기신호에 의한 전원방해현상이 발생되는 경우가 빈번해 지고 있다. 따라서 기기의 정상적인 동작에 장애를 주는 증 PLD현상이 심각해지고 있는 실정이다. 그러므로 PLD현상파악 및 이에 대한 방지대책의 수립은 EMI/EMC문제의 가장 기본적이라고 할 수 있다. 먼저 PLD에 대한 실태조사가 뒤따라야 할 것이다. 또는 국내 여러지역을 전력수요가별로 구분하여 PLD현상을 측정할 필요가 있다. 그리고 측정된 데이터의 분석에 의해 각종 전기.전자기기 등의 효율적 운용을 보장하기 위해서는 PLD현상에 대한 대책을 법적규제의 측면과 잡음대책방안의 측면에서 제시해야 할 것이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07b
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• pp.928-930
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• 2000

교류전력을 측정하기 위하여 알고 있는 직류전력과 동시에 비교할 수 있는 전력비교기를 개발하였으며 이 비교기를 기본으로 하여 정밀 전력계와 전자식 전력량계를 교정하거나 시험검사 할 수 있는 기준시스템인 전력표준기를 개발하였다. 특히 Push-Pull 기술을 이용한 전력비교기는 간단하며 정확도가 매우 높은 것으로 평가되었으며 전력비교기의 전체 불확도는 30 $\mu$ W/VA로 평가되었다.

• Electric Engineers Magazine
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• s.155
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• pp.26-36
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• 1995

• Electric Engineers Magazine
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• s.156
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• pp.24-37
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• 1995

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.24 no.4
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• pp.394-402
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• 2013

This paper presents design, fabrication and ruggedness test of switching-mode power amplifier using GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) for S-band radar applications. The power amplifier is designed to Class-F for high efficiency. The input signal for the measurement of the power amplifier is pulse signal at $100{\mu}s$ pulse width and duty cycle of 10 %. The measurement results of the fabricated Class-F power amplifier are a power gain of 10.8 dB, an output power of 40.8 dBm, a power added efficiency(PAE) of 54.2 %, and a drain efficiency of 62.6 %, at the center frequency. We proposed reliability test set-up of a power amplifier for ruggedness test. And we measured output power and efficiency according to VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) variation. The designed power amplifier achieved output power of 32.6~41.1 dBm and drain efficiency of 23.4~63 % by changing VSWR, respectively.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2003.07a
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• pp.283-285
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• 2003

본 논문에서는 상용무선망을 이용하여 각종 계측 및 측정 탑재장치에 의하여 측정된 데이터를 수집 및 전송하는 지상고정 초소형 위성과 이를 이용한 데이터 수집 시스템에 대하여 기술한다

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.15 no.5
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• pp.3100-3106
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• 2014

This paper develops power measurement system with multiple sensor input channels (voltage-8 channels and current-10 channels) that simultaneously can monitor power components for both supply and load side of power system. The hardware implementation of the proposed system is based on TMS320C42 DSP and signal processing program algorithm to calculate power components use the definition of IEEE Standard 1459-2010 related power quality. The performance of the developed system is tested by using standard ac power source device, and the test results showed that accuracy of the developed system is less than 0.2 %. Also, field test of the proposed system in the three-phase and four-wire power system was implemented. Simultaneous multiple channel measurement and analysis of power components in commercial and industrial electrical power system using the proposed system will be necessary to reduce power quality problems.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.23 no.8
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• pp.966-974
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• 2019

In this study, we propose a CMOS power amplifier (PA) using a bypass technique to enhance the efficiency in the low-power region. For the bypass structure, the common-gate (CG) transistor of the cascode structure of the driver stage is divided in two parallel branches. One of the CG transistors is designed to drive the power stage for high-power mode. The other CG transistor is designed to bypass the power stage for low-power mode. Owing to a turning-off of the power stage, the power consumption is decreased in low-power mode. The measured maximum output power is 20.35 dBm with a power added efficiency of 12.10%. At a measured output power of 11.52 dBm, the PAE is improved from 1.90% to 7.00% by bypassing the power stage. Based on the measurement results, we verified the functionality of the proposed bypass structure.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.246-246
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• 2012

최근의 디스플레이 시장에서는 고효율 저전력, 자발광 소자인 OLED가 차세대 디스플레이 시장의 블루칩으로써 연구되고 개선되어 왔다. 고효율, 고휘도 구현이 가능한 OLED 소자는 초기 발광 시 수명감소, 저전류 구동 효율 개선 및 소자의 유기 재료 개선의 문제점에 직면해 있기 때문에 많은 가능성을 아직 현실화 하지 못하고 있다. 본 연구에서는 전기적 스트레스를 가한 OLED 소자의 전기적, 광학적 성질을 측정함으로써 열화에 따른 소자의 특성 변화를 확인하여 문제점을 개선하는데 기여하고자 한다. $2{\times}2$ inch Glass에 $2{\times}2$ mm 크기의 발광면적을 갖는 Red OLED 소자를 제작한 후 Source Measure Unit을 이용, 8 V의 과전압을 72시간 동안 인가하여 소자의 열화현상을 가속시켰다. 이후 I-V-L 장비를 이용하여 전기적 특성 및 휘도 특성을 측정하였다. 측정된 결과는 휘도가 8 V에서 10,620 cd/$m^2$ ＞ 9,849 cd/$m^2$ (약 7.2% 감소)로 변화한 것을 확인 하였으며, 휘도 효율과 전력 효율을 측정해본 결과 8 V 에서의 소비전력 효율 역시 16%에서 ＞ 15%로(약 1%감소) 변화하였으나 안정적으로 발광이 유지되는 3 V~6 V 구간에서는 효율이 약 13%가 감소하였다. 또한 휘도 효율은 8 V 기준으로 1% , 3 V~6 V 구간에서는 약 8% 감소하였다. 본 연구 결과를 통하여 OLED 소자의 열화 현상은 소자의 휘도 감소뿐만 아니라 소비전력증가, 열화현상의 촉진으로 이어지는 것으로 확인 되었다.