Laplace 및 Possion의 방정식을 만족하는 전장 및 자장으로 구성된 2차원 및 축대칭 3차원의 potential장을 물의 유동장을 이용한 fluid mapper로 상사해석함에 있어서 세극유로에 있어서의 유체전도율은 매질전도율로 압력은 전위로 유동장의 세기는 전장의 세기로, 유량밀도는 전류밀도로 각각 상사되며 또한 사상형에 있어서는 사상영역외에 존재하는 유선은 등자위선을 의미함을 논문에서 밝혔다. 이 논문에서는 사상형 fluid mapper의 전 유로 및 사상영역에 잇어서의 유체력학적 현상을 이론적으로 규명하여 이를 전기적 등가회로와 상사 해석함으로써 사상형 fluid mapper가 내포하고 있는 제량간의 상호관계를 명백히 하며 몇 가지 대표적인 사례를 들어 사상형 fluid mapper의 응용에 대하여 기술하였다.
현재까지 연료전지 전해질 막으로는 Nafion으로 잘 알려져 있는 perfluorosulfonic acid(PFSA)막이 주를 이루고 있다. 이 막들은 $80^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도의 연료전지에서 가장 좋은 성능을 보인다. PFSA 막들은 탄소-불소로 이루어진 사슬의 특성상 산화, 환원의 조건에서도 뛰어난 안정성을 보이며 이온 전도도가 0.1S/cm 이상으로 기존에 알려진 전해질 막들 중 가장 우수한 성능을 나타낸다. 하지만 연료전지의 작동온도가 $100^{\circ}C$ 이상의 높은 온도에서 는 막에 존재하던 수분이 제거되면서 수소이온 전도도가 떨어지며 기계적 물성도 떨어지는 문제점을나타낸다. $100^{\circ}C$ 이상의 온도에서 연료전지를 작동시키면 양쪽의 전극에서 일어나는 촉매반응의 속도가 향상되며, 물의 끓는점 이상에서 작동되므로, 전지 내에서 다양한 상을 고려하지 않고 기화된 물만을 고려하여 설계를 할 수가 있다. 따라서 최근 이러한 고온/저가습 운전을 위 한 전해질 막의 개발을 위해 기존의 Nafion 막에 전도성 무기 입자를 도입하는 연구들이 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 전도성 무기 입자로서 $ZrO_2$나노입자를 합성하고, 이를 상용 10 wt.% Nafion 용액에 분산하여 solution casting 방법을 통해 $61{\mu}m$ 두께의 유기-무기 복합막을 제조하였다. 제조한 유기-무기 복합막의 성능 평가를 위하여 함수율, 이온 전도도, 당량무게 및 단위 전지를 이용한 전류-전압 곡선을 측정하여 상용 Nafion 112 막과 비교해 보았다. $ZrO_2$ 입자는 전도성이며 동시에 친수성을 나타내기 때문에 상용 막에 비하여 함수율 및 수소이온 전도도가 우수하게 나타났다. 복합막의 이러한 물성은 $100^{\circ}C$이상의 고온에서 전해질 막 내의 물 관리를 용이하게 한다. 단위 전지 운전 온도 $130^{\circ}C$, 상대습도 37%의 운전 조건에서도 상당히 우수한 전지 성능을 보임에 따라 고온/저가습 조건에서 상용 Nafion 112 막보다 우수한 막 특성을 나타냄을 확인하였다.
본 연구에서는 탄소섬유의 첨가가 흑연 보강 전도성 고분자 복합재료의 전기적, 기계적 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 압축성형법을 이용하여 흑연입자/탄소섬유 혼합 보강 전도성 고분자 복합재료를 제조하였으며 흑연입자의 고비율 충진은 복합재료 내에서 입자 사이의 직접 접촉을 통해 높은 전기 전도도(>100S/cm)를 얻는 것을 가능하게 하였다. 하지만 흑연입자의 비율이 높아짐에 따라 소재의 강도가 점차 떨어지게 되므로 이를 보완하기 위해 탄소섬유를 첨가하여 그에 따른 소재의 전기적, 기계적 특성 변화를 연구하였다. 탄소섬유의 충진 비율이 증가함에 따라 소재의 굽힘 강도는 증가하였으나 탄소섬유의 클러스터 형성으로 인해 탄소섬유 사이에 비전도성 영역이 발생하여 복합재료의 전기 전도도는 감소함을 확인하였다. 탄소섬유의 충진 비율이 전체 시스템의 20wt.%인 경우에는 굽힘 강도는 12% 증가한 반면 전기 전도도가 27% 감소하였다.
This work deals with the electrical conductivity of dielectric and cobalt percentage on output parameters such as metal removal rate and surface roughness value of sintered carbides cut by wire-electrical discharge machining (W-EDM). To obtain a precise workpiece with good quality, some extra repetitive finish cuts along the rough cutting contour are necessary. Experimental results show that increases of cobalt amount in carbides affects the metal removal rate and worsens the surface quality as a greater quantity of solidified metal deposits on the eroded surface. Lower electrical conductivity of the dielectric results in a higher metal removal rate as the gap between wire electrode and workpiece reduced. Especially, the surface characteristics of rough-cut workpiece and wire electrode were analyzed too. To obtain a good surface equality without cracks, 4 finish-cuts were necessary by reducing the electrical energy and the offset value.
We consider the problem of whether the three-dimensional checkerboard has the connectivity. For this purpose, we first consider the problem of determining the effective conductivity of a checkerboard-shaped composite material by the Brownian motion simulation method. Specifically, we use the efficient first-passage-time technique. Simulation results show that the effective conductivity of the three-dimensional checkerboard increases faster than the two-dimensional counterpart as the contrast between the phase conductivities increases. This implies that the three-dimensional checkerboard's connectivity is stronger than the two-dimensional checkerboard's and thus each phase material of the three-dimensional checkerboard is more likely to be connected than not to be connected.
반도체 동작시에 파워 손실을 최소화하는 것은 2000년대의 에너지, 산업전자, 정보통신 산업분야에서의 가장 주요한 요구 사항중의 하나이다. 실리콘계 반도체 소자들은 완전히 새로운 구동기구의 소자가 개발되지 않는 한, 실리콘 재료의 낮은 열 전도율이나 낮은 절연파괴전계와 같은 물리적 특성한계 때문에 이러한 요구를 만족시키는 것이 불가능한 실정이다. 따라서 21세기를 위한 대안으로 고열전도율의 WBG(Wide Band-Gap) 물질 그 중에서도 탄화규소(SiC) 반도체가 제시되고 있다. SiC 반도체는 실리콘에 비하여 밴드 갭(band gap: E$_{g}$)이 높을 뿐만이 아니라 절연파괴강도(E$_{B}$)가 한 자릿수 이상 그리고 전자의 포화 drift 속도, v$_{s}$ 및 열전도도 k가 3배 가량 크다. 따라서 SiC는 고온 동작 내지는 고내압, 대전류, 저손실 반도체를 제작하는데 아주 유리하다. 본고에서는 응용성이 넓고, 단결정 제조가 비교적 용이한 SiC 반도체의 기술현황 에 대하여 살펴보고자 한다.
전도성 유기물질은 저차원성에 유래한 전자적 거동, 전도기구 및 공학적 응용의 관점으로부터 흥미를 갖게 되어 이 분야의 연구가 현저하게 발전하고 있다. 따라서 본 연구에서는 Langmuir-Blodgett법을 위한 전도성 유기물질 합성의 일환으로 성막물질 합성의 중간체로 이용되는 LiTCNQ를 diethyl succinate를 출발물질로 사용하여 합성한 결과 총수율이 47.5%였다.
본 논문에서는 확산과 슬롯 효과를 고려한 도체 판의 저주파수 자기장 차폐효과를 수치해석과 해석적인 해를 통해 분석하였다. 도체 판의 전도율이 낮은 경우에는 확산에 의한 투과가 지배적이며, 전도율이 높거나 주파수가 높아지면 표피효과로 인해 확산에 의한 투과는 줄어들고, 슬롯이 있는 경우 슬롯에 의한 투과가 우세함을 확인하였다. 이러한 결과는 향후 고출력 전자파 방호시설의 자기장 차폐설계 및 평가기준에 대한 가이드라인으로 활용될 수 있다.
일반적인 PDP (Plasma display panel)용 전도성 저방출(low-e) 필터는 유리 기판 위에 굴절률이 높은 금속 산화물 유전체 박막과 Ag와 같은 귀금속 박막이 번갈아 쌓인 [유전체|금속(Ag)|유전체]가 기본 구조인 다층 박막의 형태로 개발되어 왔다. Ag는 가시광선 영역에서 다른 금속보다 작은 흡수를 보이고 전도성이 뛰어나 전자파 차페용 필터의 전도성 박막으로 널리 쓰인다. 그리고 이러한 구조에서 가시광선의 높은 투과율을 유지하면서 유해 전자기파를 차폐할 수 있도록 충분한 전도성을 갖추기 위해서는 2층 이상의 Ag 박막이 존재하도록 설계되며 유전체 박막과 금속 박막 사이에 1∼2 nm 정도의 매우 얇은 금속 보호 층을 사용한다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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