• Progress in Superconductivity and Cryogenics
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• v.25 no.4
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• pp.5-9
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• 2023

Lee, Kim, et al. reported in July 2023 that a modified lead apatite material, Pb_10-xCu_x(PO₄)₆O (0.9 < x < 1.1), exhibited superconductivity at room temperature and atmospheric pressure [1, 2]. However, their X-ray diffraction data clearly showed the presence of impurity phases, including Cu₂S, raising uncertainty about the sample quality. Subsequent studies have been conducted; however, different samples exhibited various physical properties. To verify the recipe for the sample growth process, we synthesized samples following the methodology outlined in the reference [1, 2]. An analysis of the structure and physical properties of the synthesized sample reaffirms the critical importance of high-quality sample growth.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.168-169
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• 2009

본 연구에서는 ITO 표면 개질에 의한 유기 발광 소자의 특성 변화에 대해서 연구하였다. ITO 전극은 발광 소자의 투명 전극으로 널리 사용되고 있으며 이러한 발광 소자의 특성은 ITO의 표면 상태에 따라 민감하게 반응한다. ITO 표면 개질은 ITO와 유기물 사이의 쇼트기 장벽을 감소시키며, 전극과 유기물의 점착을 향상시켜 준다. 본 실험에서는 습식 처리 방식으로 self-assembled monolayer(SAM)을 사용하였다. 유기 발광 소자의 특성은 SAM 처리에 의해 향상 되었다. 유기 발광 소자는 ITO/SAM/TPD(50nm)/$Alq_3$(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)의 구조로 제작하였으며, ITO의 표면 특성은 일반적인 특성 기술에 의해 연구되었다. SAM 처리된 소자는 SAM 처리하지 않은 소자에 비해 구동 전압, 발광 세기, 외부 양자 효율 등이 향상되었다. ITO의 SAM 처리 시간을 0/10/15/20/25분으로 하여 소자를 제작하였다. 15분간 SAM 처리한 소자는 SAM 처리하지 않은 소자에 비해 외부 양자 효율과 전류 효율이 2.6배 상승하였다. 본 실험을 통하여 ITO 표면 위에 SAM층을 삽입한 걸과, 구동 전압, 발광 세기, 효율 등이 향상됨을 알 수 있었다.

• Microbiology and Biotechnology Letters
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• v.8 no.1
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• pp.27-32
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• 1980

We isolated a strain of Pseudomonas sp. from soil to utilize furfuryl alcohol as a carton source by enrichment culture. Alcohol dehydrogenase from this bacteria was purified 700-fold by Sephadex G-200 and affinity column chromatography to be homogeneous by electrophoresis and analytical centrifugation. This enzyme had a molecular weight of 120,000 and was composed of four subunits consisting of 266 amino acid residues. The optimal pH of the enzyme was pH 8.5 to 9, and the optimal temperature was, 45$^{\circ}C$. This enzyme was stable at 55$^{\circ}C$, but lost 80% of its activity in 10min at 6$0^{\circ}C$.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2007.11a
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• pp.213-216
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• 2007

PEMFC의 전기화학적 반응은 촉매, 이오노머, 기공이 만나는 삼상계면에서만 일어나므로, 전극 구조의 최적화가 성능 향상 및 장기안정성 확보에 있어 매우 중요하다. 본 연구에서는 전극 미세구조를 실시간으로 분석하기 위해 임피던스 복소캐패시턴스법을 도입하고자 하였다. 즉, PEMFC의 양극에 질소를 공급하면 0.4 V 부근에서 전기이중층 형성 반응만이 일어나는 것을 확인하였으며, 이때 음극에는 수소를 공급하여 기준전극 및 반대전극으로 사용하였다. 측정된 임피던스를 복소캐패시턴스로 변환하고 허수부를 주파수에 대해 도시하면 피크 형태의 곡선이 얻어지는데, (1) 피크 면적은 전극/전해질의 계면면적, (2) 피크 위치는 이오노머 네트워크에 의한 수소이온 전도 특성, (3) 피크 폭은 다공성 구조의 균일도를 각각 나타내므로, 피팅 없이 직접적인 해석이 가능하다는 장점을 가진다. 반면, 기존의 Nyquist 도시법은 피팅에 의한 분석이 필요하며, 전극층의 불균일한 구조로 인해 단순한 등가회로 구성이 어려운 문제점을 가진다. 최종적으로, MEA 제작 조건 및 운전 조건을 변수로 하여 임피던스를 측정하고 복소캐패시턴스 분석을 수행하여, 퇴화 경로를 규명하고 운전 조건을 최적화하고자 하였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.18 no.6
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• pp.391-399
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• 1974

Corrosion and passivation of metallic cobalt was studied by means of electrochemical experiments including potentiostatic and galvanostatic measurements and cyclic voltammograms. The mechanisms of active dissolution and passivation of cobalt at the metal/borate buffer solution interface are deduced from the Tafel slope, pH dependence of the Flade potential, and dissolution kinetic data. Hydroxyl group adsorbed on cobalt surface seems to participate in surface oxidation and formation of the passive layer. The growth kinetic data as measured by the current density suggests a mechanism in which the growth of the passive layer is determined by field-assisted transport of ions through the layer. Thickness of the passive layer was estimated by coulometry to be about 10${\AA}$ at the lowest passive potential and to grow gradually with anodic potential to about 20${\AA}$.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.77.2-77.2
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• 2012

급속한 첨단기술의 발전으로 인해 차세대 정보산업의 핵심 기술은 사용자의 편의를 바탕으로 필요에 따라 형태가 변환되어 휴대 또는 착용이 가능하고 다양한 기능이 융합된 전자소자의 기술을 개발 하는 것이다. 현재까지는 이를 구현하기 위해 저분자, 고분자 반도체 및 박막형 무기 반도체를 이용하여 신축 가능한 소자를 구현 하였으나 기존 소재들의 제한적인 물성으로 인해 그 연구가 한계를 다다르고 있다. 이에 반해 신소재 그래핀은 우수한 기계적, 전기적 및 광학적 특징을 동시에 가지고 있는 물질로써 유연 소자분야에 적합한 재료로 각광받고 있다. 하지만 뛰어난 그래핀의 특성에도 불구하고 소자를 구성하는 다른 요소인 기판, 유전막 등의 물성적 한계로 인하여 신축 가능한 소자제작을 위해서는 아직도 많은 과제가 남아있다. 본 연구에서는 Polydimethylsiloxane (PDMS) 고무기판 위에 전해질 유전막을 도입하여 신축 가능하고 투명한 그래핀 트렌지스터를 구현하였다. 에어로졸 프린팅 방법으로 상온에서 형성 된 전해질 유전막은 높은 정전용량으로 인해 3V이하의 낮은 전압에서도 소자가 구동하는 것을 확인할 수 있었으며, 1100 과 420 $cm^2/Vs$의 높은 정공과 전자의 이동도를 나타내었다. 뿐만 아니라 이러한 전기적 특성은 외부에 가해지는 5%의 응력 및 1000회의 피로도 테스트 후에도 안정적인 거동을 보이는 매우 우수한 탄성특성을 보였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1994.07b
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• pp.1463-1465
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• 1994

The electrical characteristics of $Al/Ta_2O_5/Si$ metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were studied. $Ta_2O_5$ films on p-type silicon had been prepared by ionized cluster beam epitaxy technique (ICBE). This $Ta_2O_5$ films have low leakage current, high breakdown strength and low flat band shift. In this research, a single crystalline cpitaxial film of $Ta_2O_5$ has been grown on p-Si wafer using an ICBE technique. The native oxide layer ($SiO_2$) on the silicon substrate was removed below $500^{\circ}C$ by use of an accelerated arsenic ion beam, instead of a high temperature deposition. $Ta_2O_5$ films formed by ICBE technique can be received considerable attention for applications to coupling capacitors, gate dielectrics in MOS devices, and memory storage capacitor insulator because of their high dielectric constants above 20 and low temperature process.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.32 no.3
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• pp.195-202
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• 1988

An electrochemical reduction on the 3-phenyl-4-nitrosydnone in acetonitrile solution has been studied by direct current, differential pulse polarography, cyclic voltammetry and controlled potential coulometry. Before the cleavage of phenyl-N single bond a irreversible electron transfer-chemical reaction(EC) mechanism of nitro functional group proceeded to form amino (or-hydroxylamino) group by multielectron transfer which is followed to give phenyl hydrazine by single electron transfer-chemical reaction at the 2nd and 3rd irreversible reduction wave of high negative potential region. The cathodic half-wave potentials shown to be shift negative due to inhibitory effect of cetyl-trimethyl ammonium bromide micelle while reversible anodic peaks on the 2nd and 3rd reduction waves in the presence of NaLS at high negative potential region.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.465-466
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• 2006

서로 다른 굴절률을 갖는 유전재료를 주기적으로 배열함으로써 광자금지대(PBG)를 형성시킬 수 있는 2 차원(2D)광자결정배열에 선결함(line defects)을 줌으로써 기존의 평판형광도파로(PLC)와는 다른 개념의 광자결정도파로를 제작할 수 있다. 특히, 광자결정도파로는 급격한 굽힘(bending)에도 저손실의 효과를 갖도록 할 수 있기 때문에 광집적회로에 효과적으로 적용된다. 본 연구에서는 정방형 격자구조의 2차원 광자결정에 대한 광자밴드구조를 구하고 이로부터 추출된 구조매개변수를 이용하여 광자결정도파로를 설계하고 그의 특성을 평가하였다. 특히, 광자결정도파로와 PLC형도파로 특성을 비교하였다. 설계된 광자결정 도파로를 전자빔 및 홀로그래픽 리소그라피를 이용하여 제작, 평가할 것이다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.29A no.10
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• pp.35-41
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• 1992

Ultra-thin silicon nitride films were fabricated with ECR(Electron cyclotron Resonance) nitrogen plasma at room temperature. Film thickness was about 50$\AA$ after nitridation for 1min at microwave power of 1000W, RF power of 500W, and NS12T pressure of ${\times}10^{-3}$ torr. 50$\AA$ fo nitride film was grown within 1 min and no appreciable growth occured thereafter. Dielectric breakdown strength and leakage current density in Al/SiN/Si structure were measured to be about 7-11 MV/cm and ${\times}10^{-10}~5{\times}10^{-10}A/cm^{2}$, respectively. Observed linear relationship in 1n(J/E)-vs-E$^{1/2}$ and no polarity-dependence of the leakage current indicated that the Poole-Frenkel emission is mainly responsible for the conduction in this nitrided silicon films.