본 논문에서는 냉음극 형광램프의 구조 및 동작원리를 파악하고 램프의 특성을 알아본다. 램프의 특성에 영향을 주는 요소인 관경, 관길이, 가스압, 전극등을 최적화 하여야 하고 CCFL(cold cathode fluorescent lamp) 의 휘도가 관선류, 주파수, 가스압력, 주위온도에 의한 영향에 따른 전기적 및 광학적인 특성을 분석하고자 한다.
철녹 콘크리트는 국내굴지의 제조업체에서 제품생산과정에서 생성된 폐기물 처리로 큰 문제가 될 수 있는 즉 처리비용이 드는 환경 적 지정폐기물로서 콘크리트에 배합하여 성능개선을 할 수 있는 방안을 찾는 것은 큰 의의가 있는 것이라 사료된다. 여기서 전기적 특성은 철의 본 성질을 기대할 수 없는 것으로 폐기물로서 사용할 수 없는 것이기 때문이다. 본 연구에서는 일반콘크리트와 비교해서 전기적으로 특성이 개선될 수 있음을 기대하고 이에 대한 실험으로 사실확인을 하고 적용하는 요소에 따라 전기적 특성을 증진하는 배합요소를 찾고자 한다.(중략)
본 논문은 Polymer Dispersed Liquid Crystal(PDLC)의 구형파 구동방식에 따른 전기광학적 특성을 비교한다. 현재 PDLC는 변압기를 사용하여 전압가변이 힘들어 ON/OFF 기능으로만 사용한다. PDLC 구동시스템에 전력변환장치를 적용하면 전압가변이 용이하여 PDLC의 투과도 조절이 가능하다. 구형파 구동방식 중 인버터의 DC Link Voltage를 가변하는 방식과 Duty ratio를 가변하는 두 방식의 전기광학적 특성을 비교하였다. 이를 실험을 통하여 전기광학적 특성을 분석하였다.
본 연구에서는 토양의 전기가열 특성을 실험을 통해 규명함으로서, 전기저항열을 이용한 토양증기추출법을 실제 현장에 적용 시 토양가열 효율을 증가시키는 방안을 도출하기 위하여, 반응조를 이용한 토양 종류별 자체 특성에 따른 가열 특성과 외부에서의 전기적 특성의 조절을 통한 가열 특성을 살펴보았다 토양의 업자가 작을수록, 토양 내 이 온이 풍부할수록 전기가열 효율이 증가되었으며, 토양이 물로 포화된 경우에도 전기 가열 효율이 증가하였으나 공극률 이상으로 수분이 있는 경우는 오히려 효율이 떨어졌다. 전압이 증가할수록, 전극 사이가 짧아질수록, 유류 오염된 토양일수록 효율은 증가되었다 본 연구에서는 초기 전류와 전기전도도의 정량적 상관관계를 도출함으로써 직접적인 전기가열 실험 없이 전기전도도로 반응조 내 토양이 $100^{\circ}C$ 온도 상승의 가능성을 예측할 수 있게 됐다.
Hydrogenated amorphous Si (a-Si:H), low temperature poly Si (LTPS) 등 기존 thin film transistors (TFTs)에 사용되던 채널 물질을 대체할 재료로써 다양한 연구가 진행되고 있는 amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO)는 TFT에 적용하였을 때 뛰어난 전기적 특성과 재연성을 나타낼 뿐만 아니라 넓은 밴드갭을 가져 투명소자로도 응용이 가능하다. 본 연구에서는 a-IGZO의 열처리에 따른 소자의 전기적 특성과 조성 분포의 관계를 확인하기 위해 다음과 같이 실험을 진행하였다. Si/SiO2 기판 위에 DC sputter를 이용하여 IGZO를 증착하고 $350^{\circ}C$에서 열처리를 한 후 evaporator로 Al 전극을 형성시켰다. 이 때 전기적 특성의 변화를 비교하기 위해 열처리 한 샘플과 열처리 하지 않은 샘플에 대해 I-V 특성을 측정하였고, 채널 내부의 조성 분포 변화를 transmission electron microscopy (TEM)의 energy dispersive spectrometer (EDS)를 이용하여 관찰하였다. 그 결과 열처리 된 a-IGZO 채널 층의 산소 비율이 감소하였으며 전체적인 조성이 고르게 분포 되었고 전기적 특성은 향상되었다.
본 연구에서는 탄소나노튜브 네트워크의 구조 변화에 따른 투명 전도성 필름의 전기적, 광학적 특성 변화를 관찰하였다. 탄소나노튜브 기반 필름의 전기적 특성은 탄소나노튜브의 직경, 길이에 큰 영향을 받을 뿐만 아니라 개별의 탄소나노튜브가 기판에 적층되어 형성되는 네트워크의 구조 변화에도 영향을 받는다. 이에 대해 본 연구에서는 분산제의 종류 및 농도에 따른 용액내 탄소나노튜브의 분산도, 산소 플라즈마 처리에 따른 기판의 표면장력, 탄소나노튜브의 정제에 따른 순도를 변화 시켰으며, 이에 따른 탄소나노튜브 네트워크 구조변화를 관찰하였다. 또한, 탄소나노튜브 네트워크의 구조변화에 따른 전기적, 광학적 특성 변화를 관찰하고, 이를 통해 탄소나노튜브 필름의 전기적 특성에 개별 탄소나노튜브간에 발생하는 접촉저항의 영향을 논의하였다.
본 연구에서는 준강유전 특성을 갖는 xBa(L $a_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$- (1-x)Pb(Z $r_{y}$$Ti_{1-y}$) $O_{3}$ (x=8.5, 9.0[mol.%], y=65, 70[mol.%]) 세라믹을 2단 소성법으로 제작한 후, 조성 및 인가전계에 따른 전기광학 특성 및 광변조 특성을 측정하였다. 인가전계가 증가함에 따라 8.5/65/35 시편을 제외한 전조성에서 유효복굴절이 2차 함수적으로 변화하는 2차 전기광학 특성을 나타내었으며 2차 전기광학계수, 반파장전압 및 ON-OFF ratio는 9.0/65/35 시편에서 각각 6.17x$10^{-16}$[ $m^{2}$/ $v^{2}$], 136[V], 252의 가장 우수한 값을 나타내었다. 9.0/70/30, 9.0/65/35 및 8.5/70/30 시편에 대해 광변조 특성을 측정한 결과, 입사광의 세기를 인가전압에 의해 변조시킬 수 있음을 관찰하였다.다.
본 연구에서는 PZT박막의 강 유전 캐패시터 제작을 위한 연구로, 4-inch크기의 $SiO_2$/Pt/Ti/Si가 증착된 웨이퍼를 습식 식각하여 $SiO_2$ 패턴(0.8um)을 형성하였고, PZT박막의 캐패시터 제작을 위해 패턴 웨이퍼에 $Pb_{1.1}$($Zr_{0.52}Ti_{0.48}$)$O_3$조성을 갖는 PZT를 증착하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리 후 페로브스카이트 구조를 가지는 PZT 박막의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에 따른 전기적 특성을 연구하였다. 강유전체 소자 적용을 위한 CMP 공정으로 제조된 PZT 박막 캐패시터의 P-E특성, I-V특성, 피로특성 등의 전기적 특성을 측정하였다.
초고압 지중선로를 연결하는 접속함의 절연재료는 최근 에폭시에서 고무재질로 변화되고 있는 추세이다. 본 논문에서는 접속재용 고무절연재료를 선정하기 위한 전기적, 기계적인 방법을 소개하였고, 전기적 절연특성과 접착특성간에 상관관계가 있는지에 대하여 고찰하였다. 특히 실제 제품의 절연-반도전간 interface특성을 모의할 수 있는 특수형태의 매입형 전극을 설계, 제조 및 시험후 동일시료에서 접착특성 확인용 시편을 채취 및 실험함으로써 전기적특성과 기계적특성간의 직접적인 상관관계를 규명할 수 있었다. 또한 실험을 통해서 초고압 지중선로용 접속함을 위한 최적의 고무재질 선정이 가능하였다.
나노와이어는 센서, 메모리소자, 태양전지등과 같은 다양한 소자로 응용이 되고 있다. Bottom-up 방법으로 길러진 나노와이어들을 금속전극 위에 정렬 및 접합시킬 때, 나노와이어와 금속전극간의 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 열압착 공정과 솔더전극(Cr/Au/In/Au, Cr/Cu/In/Au)을 사용함으로써, 나노와이어를 금속전극에 압입시켜 강한 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성을 얻을 수 있는 공정을 제안하였다. 나노와이어와 금속 전극간의 접합부 분석을 위해 scanning electron microscopy (SEM)와 transmission electron microscopy (TEM)을 이용하였으며, 기계적 특성은 lateral force microscopy (LFM), 전기적 특성은 semiconductor analyzer (Keithley 4200-SCS)를 사용하여 측정하였다. 접합강도 측정결과 lateral force가 나노와이어에 가해질 때 나노와이어가 파괴되는 힘에서도 나노와이어와 금속전극간의 접합부파괴가 일어나지 않았다. 또한 나노와이어와 금속전극간의 전기적 접촉특성은 안정적인 ohmic contact을 이루었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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