• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.350-350
• /
• 2012

본 연구에서는 Oxide 두께가 각각 4, 6 nm인 Symmetric NMOSFET의 전기적 특성 분석에 관한 연구를 진행하였다. 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), Threshold Voltage(VT) 및 드레인 전압에 따른 Off-states 특성 변화를 분석하였다. 소자 측정 결과 oxide 두께가 4 nm인 경우 Vt는 0.3 V, IDSAT은 73 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로, oxide 두께가 6 nm인 경우 Vt는 0.65 V, IDSAT은 66 ${\mu}A$ (@VD=0.05)로 각각 측정되었다. 이는 oxide 두께가 얇은 경우 게이트 전압 인가 시 Electric field 증가에 따른 것으로 판단된다. 또한 드레인 전압 인가에 따른 소자 특성 분석 결과 oxide 두께가 4nm인 경우 급격한 Gate leakage 증가를 보였으며, 이에 따라 Off-state에서의 leakage current가 증가함을 확인하였다. 본 연구는 Oxide 두께에 따른 MOSFET 소자의 전기적 특성 분석을 위해 진행되었으며, 상기 결과와 같이 oxide 두께 가변은 Idsat, Vt, leakage current 등의 주요 파라미터에 영향을 주어 NMOSFET 소자의 전기적 특성을 변화시킴을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.373-373
• /
• 2010

본 논문에서는 Display용 PDP(Plasma Display panel)를 디지털 X-ray Detector로 적용하기 위해 Panel 내 Xe gas와 Ne gas의 비율을 달리하며 X-ray에 대한 기본적인 전기적 반응 특성을 연구하였다. 연구에 사용된 panel 은 상용화된 Display용 PDP를 5inch의 크기로 소형화한 sample을 제작하여 사용하였다. 제작된 sample panel의 구조는 기본적으로 Display용 PDP의 구조와 일치한다. 제작된 Sample panel의 X-선 검출기로서의 전기적 특성을 조사하기 위해 기본적인 전기특성인 Dark current, X-ray sensitivity, 그리고 Linearity를 측정하였다. 측정 결과, 진단 범위에서 충분한 전기적 Sensitivity 보이며, 선형적 특성 또한 우수한 결과를 보이는 등 안정된 전기적 동작특성을 보였다. 이러한 결과로부터 기존에 사용되어오던 Display용 PDP에 새로운 X선 변환층을 추가하고, 효율을 더욱 높일 수 있는 구조 변경을 통하여 상용화된 PDP를 디지털 X-선 검출기로서의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2008.07a
• /
• pp.633-634
• /
• 2008

본 논문에서는 안정화 층이 없는 YBCO CC(Coated Conductor)의 YBCO층을 임의의 수로 분할한 경우에 대하여 전기적인 특성을 알아보기 위해 각 소선의 임계전류 값을 측정하는 방법을 제안하였다. 안정화 층이 없음으로 통전 중 주울 열에 의한 선재의 소손을 막기 위해 전류를 펄스파 형태로 인가하여 측정하였으며, 선형적으로 전류를 인가하는 측정 방법에 의한 결과와 비교하였다. 결과적으로 안정화층이 없는 경우의 전기적 특성 측정을 위해서는 본 논문에서 제안한 방법이 우수함을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.265-265
• /
• 2010

일반적으로 중금속이나 질산성 질소와 같은 이온성 물질들은 사람의 건강이나 생태계에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다. 이들 오염물질들은 그 종류에 따라 건강에 피해를 주는 정도에 차이가 있지만 안전한 생태환경을 유지하기 위해서는 이들 물질들을 효과적으로 처리할 수 있는 필터가 필요하다. 전극 필터에 최대한 많은 이온들을 흡착시키기 위해서는 전극의 비표면적을 높이는 것이 매우 중요하다. Metal Fiber Filter의 제작과 제작된 Filter의 전기적 특성과 비표면적 향상, 고정성 및 통전성, 축전용량과 전기흡착 및 탈착 경향을 관찰하기 위해 3전극 시스템을 이용하여 Cyclic Voltammetry(CV)와 Chrono-amperometry(CA)를 측정하고 표면의 기공 구조를 관찰하기 위해 주사전자현미경 (SEM;Scanning Electron Microscope)을 이용하여 전극에 생성된 미세 기공의 크기 및 크기 분포를 측정한다. 또한 제작된 Filter 전극을 이용하여 전기장 하에서 수질 속에 있는 질산성이온의 선택적 제거 효율을 측정하여 보고, 측정된 데이터 값을 통해 Metal Fiber Filter의 전기적 특성과 중금속이나 질산성 이온 물질들을 선택적으로 제거할 수 있는 Filter 전극 설계 근거를 제시하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.08a
• /
• pp.224.2-224.2
• /
• 2013

본 연구에서는 CIGS박막 태양전지의 온도 및 시간 인가에 따른 전기적 특성 변화를 분석하였다. 실험에서는 온도 스트레스를 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 10시간씩 인가한 후에 Dark I-V와 C-V측정을 통해 전기적 특성 변화를 분석하였다. $25^{\circ}C$일 때를 초기 온도로 하여 특성을 측정한 것과 온도별로 노출시킨 후에 측정한 것을 비교했을 때 소자의 효율은 $100^{\circ}C$에서 감소하기 시작하였고, 인가한 온도가 높을수록 점점 많이 감소하는 모습이 나타났다. 이와 비슷하게 I-V그래프와 C-V그래프의 모습도 초기 값과 비교해서 변화하는 모습이 나타났고, 온도가 높아질수록 점점 변화하는 양이 증가하였다. I-V그래프에서 Diode ideality factor는 온도변화에 따라 초기 값 대비 증가하는 모습이 나타났다. 온도에 노출되기 전보다 노출된 후에 current와 capacitance가 감소하는 경향을 보이는데, 이는 온도의 영향으로 인해 소자의 결함이 증가하여 전하들의 반응에 영향을 주었기 때문으로 판단된다.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
• /
• v.9 no.3
• /
• pp.173-178
• /
• 2009

We have investigated the electrical properties of oxide metal thin film device. The device has been fabricated top-top electrode structure and its transport properties are measured in order to study the resistance change. Electrical properties with linear voltage sweep on a electrodes are used to show the variation of resistance of oxide metal thin film device. Fabricated oxide metal thin film device with MIM structure is changed from a low conductive Off-state to a high conductive On-state by the external linear voltage sweep. The $Si/SiO_2/MgO$ device is switched from a high resistance state to a low resistance state by forming. Consequently, we believe oxide metal is a promising material for a next-generation nonvolatile memory and other electrical applications.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2001.05a
• /
• pp.303-306
• /
• 2001

Using THz time-domain spectroscopy (THz-TDS), the power absorption and the real conductivity of silica sand are measured terahertz frequency range. It is impossible to measure the characterization of the silica sand by simple electrical measurements using mechanical contacts, e.g., Hail effect or four-point probe measurements. However, the THz-TDS technique can measure not only electrical but also optical characterization of the sample. Also this technique can measure frequency dependent results. Especially, the real conductivity was increased according to THz frequency this is unusual material compare with metal and semiconductor materials; the measured real conductivity are not followed by the simple Drude theory.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.246-246
• /
• 2012

최근의 디스플레이 시장에서는 고효율 저전력, 자발광 소자인 OLED가 차세대 디스플레이 시장의 블루칩으로써 연구되고 개선되어 왔다. 고효율, 고휘도 구현이 가능한 OLED 소자는 초기 발광 시 수명감소, 저전류 구동 효율 개선 및 소자의 유기 재료 개선의 문제점에 직면해 있기 때문에 많은 가능성을 아직 현실화 하지 못하고 있다. 본 연구에서는 전기적 스트레스를 가한 OLED 소자의 전기적, 광학적 성질을 측정함으로써 열화에 따른 소자의 특성 변화를 확인하여 문제점을 개선하는데 기여하고자 한다. $2{\times}2$ inch Glass에 $2{\times}2$ mm 크기의 발광면적을 갖는 Red OLED 소자를 제작한 후 Source Measure Unit을 이용, 8 V의 과전압을 72시간 동안 인가하여 소자의 열화현상을 가속시켰다. 이후 I-V-L 장비를 이용하여 전기적 특성 및 휘도 특성을 측정하였다. 측정된 결과는 휘도가 8 V에서 10,620 cd/$m^2$ ＞ 9,849 cd/$m^2$ (약 7.2% 감소)로 변화한 것을 확인 하였으며, 휘도 효율과 전력 효율을 측정해본 결과 8 V 에서의 소비전력 효율 역시 16%에서 ＞ 15%로(약 1%감소) 변화하였으나 안정적으로 발광이 유지되는 3 V~6 V 구간에서는 효율이 약 13%가 감소하였다. 또한 휘도 효율은 8 V 기준으로 1% , 3 V~6 V 구간에서는 약 8% 감소하였다. 본 연구 결과를 통하여 OLED 소자의 열화 현상은 소자의 휘도 감소뿐만 아니라 소비전력증가, 열화현상의 촉진으로 이어지는 것으로 확인 되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.186-186
• /
• 2010

액정디스플레이, 유기발광소자 및 태양전지에서 전도성 투명전극으로 indium-tin-oxide (ITO)가 일반적으로 많이 사용되고 있지만 인듐의 희소성과 유독성으로 인하여 ITO를 대체할 수 있는 물질에 대한 많은 연구가 현재 진행되고 있다. ITO 전극을 대체할 수 있는 물질 중에서 Al 도핑된 ZnO (AZO) 박막은 높은 전도성과 광학적 투과성 때문에 다양한 광전소자의 전극과 윈도우 물질로 많은 응용 가능성을 보여주고 있다. 본 연구에서는 여러 가지 스퍼터링 증착 조건에서 증착된 AZO 박막의 전기적특성과 광학적 특성을 조사하였다. 기준시료의 AZO 박막 증착 조건은 ZnO-2 wt.% $Al_2O_3$세라믹 타겟을 사용하였고 $250^{\circ}C$의 기판 온도에서 100 W 전력으로 5 mTorr의 진공 분위기에서 증착되었다. 최적의 AZO 박막 조건을 얻기 위해 증착 온도와 증착 챔버의 압력을 변화하면서 AZO 박막의 전기적 특성 변화와 광학적 특성 변화를 조사하였다. 4-포인트 프로브 측정과 홀 효과측정으로 각기 다른 조건에서 증착한 AZO 박막의 비저항과 전하농도 값을 비교 분석하였고 UV 스펙트로미터 측정을 통해서 AZO 박막의 투과율을 조사하였다. 스퍼터링 방법으로 증착된 AZO 박막은 높은 전도성과 광학적 투과성을 가지기 때문에 액정디스플레이, 유기발광소자 및 태양전지의 투명전극으로 사용할 수 있음을 알 수 있었다.

• 전기의세계
• /
• v.44 no.10
• /
• pp.47-54
• /
• 1995

본 논문은 ISO 관련 소음 측정 표준안(1995년 8월 기준)들에 포함된 기본적 측정량들의 정의, 그들의 측정 및 분석 방법의 간략한 소개와 더불어 이들 규격의 활용 방안을 예시한다. 제 2절에서 소음 측정관련 기본 양들의 정의와 전문 용어들을 간략히 소개한다. 이러한 측정치를 이용하여 우리 주위에서 가장 가까이 있는 컴퓨터의 소음 측정 및 평가 방안을 제 3장에서 토의 한다. 그리고, 전기 기기류의 대표적 소음원이며 산업의 동력원인 모터 및 발전기의 소음 측정 및 특성 평가방안을 검토한다. 끝으로, 우리 산업계와 소음 관련 업무의 향후 나아갈 길을 제 5장에서 요약한다.