Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.8-8
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2010
본 발표에서는 OLED, LCD, E-ink 등에 적용되는 고품질 전도성 투명 산화막의 구조, 전기적 성질, 광학적 성질, 표면 거칠기 등에 미치는 공정 변수의 영향을 유연 기판 적용 사례를 들어서 설명한다. 특히 RF superimposed dc sputtering 방법으로 성장시킨 TCO의 특성이 현재 알려진 어떤 방법보다도 우수한 특성들과 유연 기판에 필수적인 내절성을 갖는 결과를 보여주고 있음에 주목하고 그 원리 및 대형화 가능성에 대해서 언급한다. 증착된 박막의 투습성 평가에서 측정 장비의 한계치 이하를 달성하였고 플라즈마를 이용한 중간 처리 과정의 효과로 PC, PET 등의 필름 기판에서도 우수한 성질을 갖는 박막의 성공적인 증착이 이루어 졌음을 설명한다. 여기에는 적절한 산소 분압의 유지가 관건이며 이미 재료연구소에서는 대형 타겟 시스템에 대해서 안정된 공정을 운영하고 있다. RF superimposed dc power의 특징은 타겟에서 반사되는 고속 중성 입자의 유속을 적절하게 제어할 수 있다는 점으로 판단되며 이는 주로 산소 원자와 산소 음이온의 에너지가 높다는 점에 주목할 필요가 있다. Carcia등의 보고에 따르면 산소 음이온의 경우에는 110 eV가 넘는 운동 에너지를 가지고 성장 중인 박막에 입사하여 결함을 생성한다고 한다. 이들 고속 입자들의 에너지를 낮추고 그 수를 감소시킬 수 있는 방법 중의 하나가 RF superimposed dc라고 판단된다.
Y-Bi-Ba-Cu-O계 초전도체를 보통의 ceramic방법과 screen printing과 소결법으로 원판형과 후막형으로 제작하였다. B $i_{2}$$O_{3}$를 첨가하여 소결한 $Y_{1}$B $a_{2}$C $u_{3}$$O_{7-y}$의 초전도 성질은 전기저항측정과 자석위에 부상 유무로 조사하였다. 또한 B $i_{2}$$O_{3}$를 첨가함에 따라 소결된 시편의 미세구조에 어떠한 영향을 주었는지 알아보았다. 전기저항 측정시 Yttrium 대신에 Bi로 부분적으로 치환한 경우인 $Y_{0.85}$B $i_{0.15}$B $a_{2}$C $u_{3}$$O_{7-y}$의 상온 저항치가 기본조성인 $Y_{1}$B $a_{2}$C $u_{3}$$O_{7-y}$의 그것보다 향상된 미세구조로 인해 더 작은 값을 나타낸다. 반면 $Y_{1}$B $a_{2}$C $u_{3}$$O_{7-y}$에다가 초과로 B $i_{2}$$O_{3}$를 첨가한 경우 오히려 미세구조는 불량하고 상온저항치도 더 높다. 이러한 사실은 입계에 잔류하는 이차상은 전기적 성질에는 크게 영향을 주나 자기적 성질에는 거의 영향을 주지않는 것으로 보인다. 후막으로 Y-Bi-Ba-Cu-O를 제작시 기판에 의해 좌우되는데 단지 magnesia 기판에서 소결시 bulk시편과 유사한 성질을 나타냈다.질을 나타냈다.다.
Layer-by-layer 자기조립방법 (self-assembly method) 이라고 불리는 담지자기조립방법 (dip self-assembly method)을 이용한 다층초박막은 다양한 전기적, 자기적 성질을 갖는 물질뿐만 아니라 DNA 또는 효소 (enzyme)같은 바이오 물질들을 기판의 크기나 형태에 관계없이 각각의 층에 나노미터 두께로 삽입시킬 수 있음에 따라서 초박막안에 우리가 원하는 특정 성질을 부여할 수 있다. (중략)
본 고에서는 절연재료에 대한 개괄적인 성질과 종류에 대해 간단히 설명하고 현재까지 개발되어 실용화 된 신 절연재료들을 소개하고자한다. 재료에 대한 연구는 절연재료 뿐만아니라 초전도재료, 극저온 재료등 특수한 성질을 갖거나 특수한 환경에서 특성을 유지할 수 있는 재료의 개발과 연구에 관심을 기울여야 할 시기라고 판단된다. 또한 기존의 재료에 대한 면밀한 재검토와 연구.고찰을 통해 보다 향상된 특성을 갖는 재료를 개발하는 것은 근본적으로 새로운 재료의 개발과 연구만큼이나 가치있는 일이라는 사실을 항상 명심해야 할 것이다.
Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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2002.04a
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pp.263-264
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2002
무정형 고분자인 폴리카보네이트는 투명하고 뛰어난 기계적 성질(특히 내충격성) 내열성 내한성ㆍ전기적 성질을 균형 있게 갖추고, 무독하고 자기소화성(自己消火性)도 있는 엔지니어링 플라스틱이다. 본 연구의 목적은 이러한 특성을 가지는 폴리카보네이트를 이용하여 전기방사법으로 sub-micron의 섬유직경으로 구성된 부직포를 제조하는데 있다. (중략)
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.421-421
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2010
적색과 녹색 유기발광소자 보다 청색 유기발광소자는 상대적으로 발광 효율이 낮고 색 순도가 낮으며 수명이 짧은 이유로 유기발광소자를 이용한 전색 디스플레이 패널 구현에 많은 어려움이 있다. 이 문제를 해결하기 위하여 청색 유기발광 소자의 발광 효율을 향상하기 위한 방법으로 기존의 제작되는 불순물이 첨가된 단일 발광 호스트층을 이용한 유기발광소자와는 다르게 불순물이 첨가된 혼합된 발광 호스트층으로 구성된 발광 기능층을 가진 유기발광소자의 전기적 성질과 광학적 성질에 대한 연구를 하였다. 본 연구에서는 1.3-Bis(carbazol-9-yl)benzene 인광 호스트 유기화합물과 5%의 3-Tert-butyl-9,10-di(naphtha-2-yl)anthracene 형광 호스트 유기화합물을 혼합된 발광 기능층으로 적용하고 8%의 bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl-l) iridiumIII 인광 불순물을 첨가한 청색 유기발광소자와 5%의 4,4'-Bis[4-(diphenylamino)styryl] biphenyl (BDAVBi) 형광 불순물을 첨가한 청색 유기발광소자를 제작하여 전기적 성질과 광학적 성질을 비교하였다. 형광 불순물인 BDAVBi를 첨가하여 제작된 청색 유기발광소자는 전류밀도 $20\;mA/cm^2$에서 5.78 cd/A의 발광 효율을 구현하였다. 대역폭이 큰 인광 호스트 물질에서 형성된 엑시톤이 효율적으로 대역폭이 상대적으로 작은 형광 호스트로의 에너지 전달이 일어나고 형광 호스트에서 형성된 엑시톤이 대역폭이 더 작은 형광 불순물로의 에너지 전달이 효율적으로 전달 됨을 알 수 있다. 인광 호스트에서 형성된 엑시톤이 중간 과정을 거치지 않고 바로 형광 불순물로의 에너지 전달이 형성되어 주입된 캐리어가 기존의 소자보다 에너지 전달 과정을 거쳐 다수의 엑시톤이 소멸하지 않고 발광에 기여하여 상대적으로 전류가 작게 흐르고 다량의 엑시톤이 외부로 추출되어 효율이 증가하였다. 전계 발광 스펙트럼 분석에서 메인 피크가 467 nm 영역에서 형성되지만 불순물에 의한 부 피크가 491 nm 영역에서 형성되어 시각계 곡선과 중첩되는 영역을 추가로 형성하여 효율이 증가하게 되는 것을 알 수 있었다. 그러므로 불순물이 첨가된 혼합된 호스트 발광층을 적용한 유기발광소자는 높은 발광 효율을 가지는 청색 유기발 광소자 디스플레이 패널 제작 가능성을 제공하고 있다.
KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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v.9
no.2
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pp.55-61
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1989
This is a basic experimental research tried to use electric furnace slag as a fine aggregate for concrete. Chemical component and physical properties of electric furnace slag were studied, and expansion mechanism and aging method for stabalization of electric furnace slag were discussed. Concrete properties electric furnace slag as a fine aggregate were also studied in this paper.
We have investigated the growth kinetics of Al oxide film by anodization in sulfuric acid solution and the electronic properties of this film using electrochemical impedance spectroscopy. Al oxide film consisted $Al_2O_3$ was grown based on the point defect model and shown the eclctronic properties of n-type semiconductor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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