고분자의 블렌드는 새로운 성질을 가지는 재료의 제조를 위한 하나의 방법으로 제시되고 있다. 그러나 대부분의 재료는 재료사이의 점탄성, 표면에너지 그리고 상호결합력의 차이로 인하여 비상용성을 지니며, 이로 인하여 블렌드물은 예상되는 물성을 나타내지 못하는 경우가 있다. 실리콘 고무는 우수한 내열성과 전기적 성질을 가지며, ethylene propylene diene monomer (EPDM) 고무는 우수한 기계적 물성을 지니고 있다. 본 실험에서는 실리콘과 EPDM 고무의 블렌드를 통한 전기적 성질과 기계적 물성이 우수한 새로운 기능성 재료의 개발에 목적을 두었다.
ZnO는 큰 여기자 결합 에너지, 낮은 유전 상수, 높은 화학적 안정도를 가지고 있기 때문에 전자소자 및 광소자로 많이 응용되고 있다. 여러 가지 불순물을 주입하여 ZnO의 전기적 및 광학적 성질을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다. 여러 가지 불순물 중에 Zn와 물리적 및 화학적 성질이 유사한 Cu를 도핑하여 전기화학적성장(electrochemical deposition) 방법으로 ITO가 코팅된 유리 기판 위에 ZnO 박막을 성장하였다. Cu를 도핑하여 ZnO박막을 성장한 결과 구조적으로 ZnO 박막이 나노로드 형태에서 부분적으로 나노세선 또는 나노로드 형태로 변화함을 확인하였다. 광류미네센스 측정 결과는 벌크 ZnO 박막과 비교하여 Cu를 도핑함으로써 ZnO 나노세선이 3.37 eV의 에너지를 가지는 파장의 크기가 줄어들었고 여러 방향으로 ZnO 나노세선이 형성됨을 알 수 있었다. Cu를 도핑함으로써 ZnO 나노세선의 구조적 변화는 크기 않으나 에너지 밴드갭을 변화할 수 있음을 알 수 있었다. ZnO 나노세선의 광학적 성질을 Cu를 도핑하여 변화할 수 있음을 관측하였으며 불순물을 도핑하여 밴드갭을 변화하여 전자소자 및 광소자를 제작하는 기초지식으로 사용할 수 있다.
도전성고분자의 기본적 성질과 개발의 현황, 응용의 가능성에 대하여 설명하고자 한다. 이들의 재료가 실용화되기 위해서는 아직도 많은 문제가 많으나 새로운 기능을 갖는 재료의 출현 가능성도 많다고 본다. 도전성고분자의 연구분야는 물리, 화학, 전기.전자공학의 경제영역이기 때문에 앞으로 많은 연구자들의 공동연구가 필요하다고 생각된다.
원자력 발전소의 격납 건물에 설치된 안전 관련 케이블은 고온, 고 방사선의 열악한 환경으로 인해 열화 될 수 있다. 원자력발전소에 설치된 케이블 중 특히 발전소의 안전에 중요한 케이블은 안전관련기기의 동작에 필요한 전원을 공급하는 중요한 역할을 하고 있다. 원자력발전소의 수명 40년 혹은 수명연장을 고려하면 격납 건물에 설치된 안전관련 케이블의 상태를 확인할 필요가 있다. 지금까지 사용되고 있는 케이블의 상태 감시 방법에는 케이블의 물리적 성질, 전기적 성질 및 화학적 성질을 이용한 여러 가지방법이 제시되어 있다. 그러나 원자력 발전소에서 케이블의 상태 감시를 하기 위해서는 원자력 발전소의 열악한 환경과 운전 특수성을 고려하여야 한다. 본 논문에서는 원자력 발전소의 이러한 환경과 운전특성, 그리고 현재까지 제시된 케이블의 각 상태감시 방법의 장, 단점을 분석하여 원자력 발전소 현장과 안전성에 가장 적합한 상태감시 방법을 제시하였다.
종이는 목재섬유와 물의 현탁액을 스크련을 통해 균일하게 분산시킨 판상섬유 제품 으로서 가격이 저렴하고, 열, 전기절연성, 필터기능, 난연성 및 폐기성이 우수하여 다양한 분 야에서 활용되고 있다. 특히 최근에는 종이의 고부가가치화, 차별화를 위하여 내열성, 전기 절연성, 내수성, 기계적 특성, 내약품성, 생체적응성을 지닌 다양한 기능지가 개발되어 식품, 전기, 전자, 건축, 화학, 의료 관련 산업에 있어서 주요 재료로 이용되고 있다. 특히 전기, 전 자산업 발전과 더불어 전기절연성이 우수한 종이의 역할과 수요는 크게 증대되고 있으며 산 업발전의 핵심적인 제품으로서 자리매김을 하고 있다. 하지만 국내의 경우 전기절연지와 관 련된 제품 및 생산기술 부족으로 전량을 수입에 의존하고 있는 실정이며, 그 수입량은 앞으 로 전기 및 전자 산업의 발전으로 인해 더욱 증가할 것으로 예상된다. 이러한 수입의존성을 극복하기 위해서는 전기절연지와 관련된 제품개발 및 생산기술에 관한 연구가 시급히 요청 되고 있다. 이러한 기술의 국산화는 수입 대체 효과 뿐만 아니라 관련 산업의 발전에도 기 여할 수 있을 것으로 예상되며 수출산업으로 성장할 수 있을 것으로 예상된다. 종이의 전기적 성질은 유전상수, 유전손실율과 같은 유전적 특성과 전기저항, 절연 파괴강도의 기계적 특성으로 구분할 수 있다. 종이의 전기적 성질 가운데 유전율은 전기장 에 대한 종이의 물리화학적인 반응으로 일반적으로 종이의 밀도와 종이를 구성하는 성분의 쌍극자 모멘트에 비례하며 온도에 따라서도 변화한다. 일반적으로 온도가 상승하면 열에너 지를 얻게된 쌍극자가 전기장에 배열됨으로써 유전율이 상승하지만 온도가 유리전이점 이상 으로 높아질 경우 열적 교란에 의해서 분극 능력이 감소하게 되어 유전완화 현상이 나타난 다. 전기절연지로 사용될 종이의 절연특성을 이해하기 위해서는 사용환경에 따른 유전적 특 성 및 tan$\delta$에 관한 연구가 펼요하다. 본 연구에서는 종이의 유전특성을 개선하기 위해서 펼름형성능력이 우수한 polyvinyl alcoholCPV A)과 aery lonitrile을 이용하여 시아노에틸화한 P PYA의 표면처리에 따른 종이의 유전적 특성의 변화를 검토하였다. 그 결과 PYA에 도입된 시아노에틸기에 의해 유전율을 증가시킬 수 있음을 확인하였다. 또 본 연구에 적용된 시험 범위에서는 온도상승에 따라 유전율이 상승하였다.
ZnO는 광학적 및 전기적 성질의 여러 가지 장점 때문에 메모리, 나노발전기, 트랜지스터, 태양전지, 광탐지기 및 레이저와 같은 전자소자 및 광소자로 여러 분야에서 다양하게 사용되고 있다. Al이 도핑된 ZnO 나노결정체를 전기화학적 증착법을 이용하여 형성하고, 형성시간의 변화에 따른 구조적 및 광학적 성질을 관찰했다. ITO로 코팅된 유리 기판에 전기화학증착법을 이용해 Al 도핑된 ZnO를 성장시켰다. Sputtering, pulsed laser vapor deposition, 화학기상증착, atomic layer epitaxy, 전자빔증발법 등으로 Al 도핑된 ZnO 나노구조를 형성할 수 있지만, 본 연구에서는 간단한 공정과정, 저온증착, 고속, 저가의 특성 등으로 경제적인 면에서 효율적인 전기화학증착법을 이용했다. 반복실험을 통하여 Al의 도핑 농도는 Zn와 Al의 비율이 98:2이 되도록, ITO 양극과 Pt 음극의 전위차가 -2.25 V가 되도록 실험조건을 고정했고, 성장시간을 각각 1분, 5분, 10분으로 변화하였다. 주사전자현미경 사진을 보면 Al 도핑된 ZnO는 성장 시간이 증가함에 따라 나노구조의 직경이 커지는 것을 알 수 있다. 광루미네센스 측정 결과는 산소 공핍의 증가로 보이는 500~600 nm대의 파장에서 나타난 피크의 위치가 에너지가 큰 쪽으로 증가했다. 위 결과로부터 성장 시간에 따른 Al 도핑된 ZnO의 구조적 및 광학적 특성변화를 관찰했고, 이 연구 결과는 Al 도핑된 ZnO 나노구조 기반 전자소자 및 광소자에 응용 가능성을 보여주고 있다.
전도성 고분자의 취약점인 가공성, 유연성, 용해성 등의 물리적 성질이 불량한 단점을 극복하기 위해서 물성이 좋은 범용성 고분자를 matrix 물질로 사용하여 전도성 고분자를 합성함으로써 두 가지 고분자의 복합체 또는 공중합체를 만들어 물리적 성질을 향상시키는 방법 등이 연구되고 있다. 그러나, 전도성 복합체의 경우엔 matrix로 사용된 범용성 고분자와 전도성 고분자 사이가 서로 물리적인 결합만으로 이루어져 있어, 시간이 지남에 따라 전도성 고분자의 일부가 떨어져 나가 점진적으로 전기전도도의 상실을 가져올 뿐만 아니라 열에 노출되는 경우 열적노화(thermal ageing)에 의해 전기전도도가 떨어지는 단점을 지니게 된다. (중략)
CdS박막을 5*$10^{-7}$Torr의 초기 진공하에서 CdS source 온도를 800~1100.deg.C로 하고 기판 온도를 100~200.deg.C로 하여 corning 7059 glass 기판위에 0.6~1.2.mu.m의 두께로 진공증착 방법으로 제조하였다. CdS soruce 온도와 기판온도가 증착된 CdS 박막의 미세구조와 결정구조 및 전기적, 광학적 성질에 미치는 영향을 알아 보았다. 기판을 가열하지 않은 경우는 source 온도가 증가할수록 전기비저항과 광투과도가 낮게 나타났다. Source 온도를 1100.deg.C로 고정하였을 경우 기판의 온도에 따라 전기비저항값과 광투과도값은 증가하였으며 optical band gap도 증가하였다. Soruce 온도가 1100.deg.C이고 기판온도가 190.deg.C일때 전기비저항값은 2*$10^{6}$ohm-cm였고 광투과도는 band gap 이상의 파장에서 80% 이상의 값을 가졌다. 증착된 CdS박막의 결정구조는 모두 hexagonal structure를 가지며 source 온도가 낮을수록 기판온도가 높을수록 C축으로 방향성있게 성장하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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