Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2004.05b
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pp.788-791
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2004
임베디드 리눅스를 이용한 원격 제어 전기 스위치를 개발한다. 산업 전반에 널리 보급된 인터넷을 이용하여 실시간으로 원격 전기 스위치 기기의 상태를 파악하고 제어함으로서 시간과 공간 및 비용 절감이라는 측면에서 효과를 볼 수 있다. 본 논문에서 설계된 원격 전기 스위치의 서버는 MPC860으로 구성되어 임베디드 리눅스가 포팅되었다. 클라이언트는 서버의 웹 페이지를 접속함으로서 전자 스위치를 원격 관리를 할 수 있게 HTML과 자바로 설계되어 있다. 하나의 서버는 마스트로서 다수의 슬레이브를 가지고 있으며 슬레이브는 전기스위치들과 아날로그 채널로 구성되어 있다.
최근 개개 원자들의 움직임을 조절할 수 있는 scanning tunnelling microscope(STM)의 유용성을 입증할만한 가공할 발명은 원자 한개로 ON-OFF 상태를 구현 할 수 있는 원자 스위치의 발명이라 할 수 있다. 이 원자 스위치는 원자를 조정하는 STM의 scanning용 침으로 부터 원자 하나를 니켈 기판위에 전달 할 수 있게 함으로써 가능하게 되었다. STM의 Xenon침과 기판 사이를 Xenon원자 하나가 이동함으로써 스위치 작용이 이루어 지는데 이 스위치 작용이란 높은 전도 상태의 침으로부터 낮은 전도 상태의 기판으로 원자가 이동함으로써 침과 기판 사이에 이루어지는 전기적 전도 현상을 말한다 이러한 전기적 전도 상태는 마이크로 회로에서 중추적인 역할을 수행하는 ON-OFF의 2진 소자나, 스위치 소자로써 사용할 수가 있다.
The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.11
no.1
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pp.48-56
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1997
본 논문은 상용전원 110[V] 주파수 60[Hz] 전원을 110[V] 주파수 60[kHz]로 전력변환시 스위칭에 발생하는 전력 손실을 감소시키기 위해 스너버 회로 및 전압공진 스위치를 이용한 boost 컨버터는 스위치로 스위칭을 하여 고주파 스위치에도 스위치 손실을 줄일 수 있다. 그러므로, 전력변환 과정에서 발생하는 스위칭 손실을 대폭 감소시킬 수 있었으며 결과적으로 전력변환 효율을 높였다.
Most Nanosatellites are launched in nanosatellite deployers. Nanosatellites in the deployer are turned off during launch, and they start boot sequence after deploying at their mission orbit. For this reason, nanosatellites must have deployment switch. Most of the nanosatellite deployment switch has two part, first is electric switch to boot the satellite system and second is mechanical assembly to push the switch. In most cases, electric switches are installed in the satellite main body, and the switch operations are translated via the mechanical assembly. These implementations are mechanically complicated and hard to guarantee the appropriate operation without the problems due to friction between pusher and satellite structure. This paper proposes the another implementation method of deployment switch for nanosatellites by installing the electric switch outside the main body without any kind of mechanical parts.
본 논문은 기계적 스위치와 반도체 스위치를 병렬로 연결한 하이브리드 스위치에 관한 것이다. 제안된 하이브리드 스위치에서 정상상태 동작은 기계적 스위치에 의해 이루어지며 반도체 스위치는 on/off 전환시에만 동작하므로, 반도체 스위치를 위한 냉각 수단이 필요없게 된다. 반도체 스위치에 대한 3가지 제어 방법을 제시하고 시뮬레이션을 통하여 비교하였다. 또한, 5개의 IGBT가 병렬로 연결되고 다시 이것이 20개 직렬 연결된 정격 11kV(RMS)/125A인 반도체 ac 스위치를 설계 제작하였으며, 기본적인 실험 결과가 제시되었다.
Park, Kwang-Muk;Bang, Sun-Bae;Lee, Ki-Yeon;Seo, Gil-Oh;Jeong, Jong-ho
Proceedings of the KIEE Conference
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2015.07a
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pp.1529-1530
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2015
본 논문에서는 점점 증가하고 있는 전기적 요인에 의한 화재 중에서 최근 발생한 개별스위치 멀티탭 화재 사례를 분석하였으며 개별스위치의 반복동작실험과 과전류 인가 시 시간에 따른 개별스위치 멀티탭의 온도변화 특성을 관찰하고 개별 스위치 사용에 따른 전기화재 위험성을 분석하였다.
Park, S.S.;Nam, S.H.;Kim, S.H.;Heo, H.;Kim, S.H.;Park, Y.J.;Son, B.H.
Proceedings of the KIEE Conference
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2005.07c
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pp.2149-2152
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2005
가속기 연구소에서 500kV 고전압 다중채널 다중갭(MGMC) 스위치를 개발하였다. 이 다중 채널 다중 갭 스위치는 개스를 채우는 방식으로 자발 방전전압을 증가 시킬 수 있는 10단의 갭으로 구성이 되어 있다. 멀티갭 스위치의 구조는 스위치의 자체 인덕턴스를 증가시키는 결과를 가져온다. 따라서 이러한 문제점을 해결하기 위하여 다중채널을 사용하여 인덕턴스를 줄이는 스위치로 구조를 설계하였다. 제작된 스위치는 500kV의 Marx generator를 사용하여 시험을 하였다. 본 논문에서는 개발된 스위치 선계 및 스위치의 특성에 대하여 알아보고자 한다.
Son, Y.G.;Oh, J.S.;Jang, S.D.;Cho, M.H.;NamKang, W.
Proceedings of the KIEE Conference
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2002.07c
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pp.1840-1842
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2002
고전압 대 전류를 필요로 하는 펄스 파워 시스템에서 스위치는 중요한 소자중의 하나이다. 펄스 트랜스포머를 이용하여 고전압 펄스를 만드는 회로에서 대전류 스위칭에는 대부분 스파크 갭 스위치나 싸이라트론을 사용하는데 높은 펄스 반복 율과 긴 수명을 제공하기 위해서는 반도체 스위치를 사용해야한다. 고전압 대전류 펄스파워 시스템에 적합한 반도체 스위치의 스위칭 특성과 제어방식에 관한 연구를 수행하였다 실험에 사용한 스위치는 20 kV, 12.6 kA, 12 ${\mu}s$의 펄스 스위칭이 가능한 ABB사의 반도체스위치 스택 (5SPR-26L4508-8-WC)이다. 실험회로는 콘덴서에 충전을 완료한 다음 스위치와 인덕터를 통하여 방전하도록 구성하였다. 8개의 직렬 연결된 스위치는 광케이블을 사용하여 병렬구동하고, 고주파 스위칭 전류전원을 사용하여 고전압 절연을 하면서 게이트 구동전력을 전달하도록 하였다. 본 논문에서는 스위치 전압과 방전전류를 관측하여 반도체 스위치의 특성을 조사하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.378-378
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2013
칼코겐화물의 일부는 전류 등의 에너지 입력에 따라 결정구조가 비정질 및 결정 사이에서 가역적으로 변화하며 상변화에 따라 전기 저항이 바뀌는 특성을 가지고 있다. 이와 같은 칼코겐화물 상변화 재료의 장점을 이용하여 프로그래머블 스위치를 구현할 수 있다. 그러나 상변화 재료만을 이용하는 프로그래머블 스위치는 전기신호 누설의 문제점이 발생한다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 지난 연구에서는 문턱 스위칭 칼코겐화물을 포함하는 다층구조 스위치를 제안하였다. 본 연구에서는 프로그래머블 스위치의 구성물질로서 문턱 스위칭 특성을 보이는 GeTe 박막의 특성을 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 GeTe 박막을 증착하고 온도에 따른 결정화 양상 및 표면 형상 변화를 관찰하였다. GeSbTe 박막의 경우 $100^{\circ}C$ 근방에서 결정화가 시작되었고, 온도가 증가할수록 결정화가 급격히 진행되었다. 반면 GeTe 박막에서는 온도 증가에 따른 결정화가 거의 일어나지 않았다. 이러한 결과로부터 GeTe 합금 박막은 프로그래머블 스위치의 구성요소로서 문턱 스위칭에 적합한 물질임을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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