We have carry out numerical simulation of the electric-optical characteristics of organic light emitting diodes with gradient-doped emitting layer which were reported to be effective in improving luminous efficiency and lifetime. In this paper, the basic structure is comprised of ITO/NPB/$Alq_3$:C545T[%]/$Alq_3$/LiF/Al, six devices by separating the emitting layer of $Alq_3$:C545T[%] were studied. As the result, the uniformly-doped devices exhibited superior luminous efficiency-current density characteristics over conventional undoped device. In the case of gradient-doped devices, electric-optical characteristics were improved similar to uniformed-doped devices, unusually the distribution of traped-charge density in the OLED devices was shown as the staircase.
본 연구에서는 인광 발광 물질인 host재료, CBP에 guest로 인광색소인 $Ir(ppy)_3$을 첨가하여 광학적, 전기적 특성을 보았다. $Ir(ppy)_3$ 색소를 서로 다른 중량비로 첨가할 때의 소자들의 특성을 평가하였다.$ Ir(pppy)_3$을 3.125%의 중량비로 하였을 때 가장 좋은 휘도특성을 보였다. 소자의 기본구조는 glass/ITO/${\alpha}-NPD(300{\AA})$/CBP:$Ir(ppy)_3(300{\AA})$/$BCP(80{\AA})$/$Alq_3(200{\AA})$)/$Al(1000{\AA})$로 하였다.
본 연구에서는 전면 발광 OLED용 투명 금속 전극 소자의 제조를 위해 Al과 Ag 재료를 가지고 박막의 두께에 따른 투과도와 면저항을 조사하였다. Al 금속 재료의 박막 두께가 30nm에 따른 면저항값은 $8{\Omega}/{\square}$로 조사되었고, 70% 이상의 투과도를 가진 금속의 두께는 10nm 이상으로 조사되었다. Ag 금속 재료의 최적의 두께 25nm에 따른 면 저항값는 $4.5{\Omega}/{\square}$로 조사되었고, 70% 이상의 투과도를 가진 Ag 금속의 두께는 5nm 이하로 조사되었다.
본 발명은 전기설비의 중요한 부분을 차지하고 있는 차단기의 동작코일 단선유무를 감지하기 위한 센서에 관한 것으로 보조계전기, 브릿지회로, 전압분배회로 및 출력회로로 구성되어 있다. 차단기동작코일에 동작코일의 저항값보다 충분히 큰 저항를 병렬로 연결하고, 이 병렬회로를 브릿지회로의 한변으로 이용하며, 전압분배회로를 설계하여 동 브릿지회로의 전원공급용으로 사용한다. 차단기동작코일이 정상상태일 경우에는 브릿지 회로의 출력단자에는 전압이 발생하지 않아 발광다이오우드(LED)가 동작하지 않고, 단선될 경우에는 브리릿지회로의 출력단자에 전압이 발생하여 발광다이오우드가 점둥되게 함으로써 차단기 운영의 신뢰성을 높일수 있는 장점이 있다.
본 연구에서는 캐소드 방향으로 발광하는 Top emission 소자를 설계 제작하였다. 이를 위하여 반투명한 금속 박막을 제작하여 전기적 특성과 광학적 특성을 비교 평가하였다. 이를 바탕으로 제작한 Top emission 소자를 bottom emission 소자와 비교하였을 때 구동 전압은 다소 높았으며 색좌표 및 스펙트럼이 이동하였는데 이동 정도와 경향성은 파장에 따라 다르게 나타났다
본 연구에서는 냉음극 발광 소자인 FEA를 이용하여 Cold Cathode Lamp 제작과 그 구조에 대해서 연구하였다. Anode plate에는 ZnO:Zn 형광체를 전기영동법으로 증착한 후 tube slabs와 anode plate를 frit glass를 이용하여 접합하였다. FEA와 substrate의 bonding, addressing을 위한 wire bonding, substrate와 집속전극, setter를 stem base의 외부전극에 연결하기 위한 spot welding, tube와 stem base를 glass melting method로 접합 공정을 하였다. 진공배기 시스템에 배기판을 연결하여 ${\sim}10^{-7}$torr까지 배기한 후 heater를 이용하여 배기관을 tip-off하였다. 최종적으로 진공을 유지하기 위해 getter를 RF 고주파로 활성화하였다. 결론적으로 lamp외 특성을 비교분석한 후 휘도 및 발광효율을 향상시키기 위한 구조절 개선과 방안을 고찰하였다.
본 논문에서는 ITO/Glass 기판에 스핀 코팅법(Spin Coating)과 열 증착법(Thermal Evaporation)을 이용하여 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/Li/Al 구조를 갖는 청색 고분자 유기전계발광소자를 제작하였다. 청색 고분자 유기발광다이오드 제작시 ITO 전극을 $O_2$ gas를 이용한 Plasma Treatment와 Heat Treatment를 실시하여 기판처리가 제작된 소자의 전기, 광학적 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Plasma와 Heat Treatment를 동시에 처리한 소자에서 가장 우수한 전기, 광학적 특성을 나타냈으며, 기판처리를 하지 않은 경우는 전기, 광학적 특성은 크게 감소하였다.
투명전도성산화물(transparent conducting oxides, TCOs) 박막으로써 널리 쓰이는 산화인듐주석(indium tin oxide, ITO)은 전기 전도성과 광 투과성이 우수하여 주로 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)의 전극, 발광다이오드(light-emitting diode, LED)의 current spreading 층 및 태양전지(solar cell)의 윈도우층(window layer) 등의 광전자 소자로 응용되고 있으나, 고가의 indium 가격과 인체에 유해한 독성 등이 문제점으로 지적되고 있다. 따라서 indium의 함량을 저감한 새로운 조성의 TCO 또는 indium을 함유하지 않은 친환경적인 TCO 대체 재료 개발의 필요성이 증대되고 있다. 이러한 재료 중 하나인 AZO (Al-doped zinc oxide, $Al_2O_3$: 2 wt.%)는 3.82eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지며, 가시광선 및 근 적외선 파장 영역에 대하여 90% 이상의 높은 투과율을 나타낸다. 또한, 습식식각이 가능하며, 매우 풍부하여 원가가 매우 저렴하고, 독성이 없다. 본 연구에서는 박막 증착율이 높고, 제작과정의 조정이 용이한 RF magnetron 스퍼터를 이용하여 glass 기판 위에 AZO 박막을 성장하고, $N_2$ 분위기에서 다양한 온도 조건에서 열처리(rapid thermal annealing, RTA)하여 전기 및 광학적 특성에 대하여 비교 분석하였다. 또한, 이후에 기존의 성장방법과 달리 고가의 진공 장비를 사용하지 않고, 저온에서도 간단한 구조의 장비를 이용하여 균일한 나노구조를 성장시킬 수 있는 전기화학증착법(electrochemical deposition)으로 AZO 박막위에 ZnO 나노로드를 다양한 성장조건에 따라 성장시켜 광학적 특성을 비교 분석하였다.
패턴화된 ITO/Glass 기판위에 정공수송층으로 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythi-ophene)poly (styerne sulfolnate))를 발광층으로 MEH-PPV (poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4-phenylenvinylene))을 사용하여 스핀코팅법으로 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조의 고분자 유기전계 발광소자 (polymer light emitting diode, PLED)를 제작하였다. MEH-PPV 용액의 농도(0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 0.9, 1.5 wt$\%$)변화를 변수로 하여 제작된 PLED소자의 전기$\cdot$광학적 특성 변화를 조사하였다. MEH-PPV의 농도가 $0.5{\~}0.9 wt\%$에서 가장 양호한 전기-광학 특성을 보여 주었다. 한편 $1.5 wt\%$의 고동도의 MEH-PPV를 갖는 PLED 소자에서는 전류와 휘도 값이 크게 감소하였다. 즉, MEH-PPV의 농도가 $0.5 wt\%$일 때 9V 전압 인가시 최고 발광 휘도와 효율은 $409 cd/m^2$와 4.90 lm/W를 각각 나타내었다. PLED 소자의 발광 스펙트럼은 $560{\~}585 nm$ 파장을 갖는 오렌지 계열의 발광을 나타내었다.
기체분자는 보통상태에서는 전기적으로 중성이다. 그러나 기체 분자가 운동에너지를 가지고 있는 다른 원자나 전자 등과 충돌하게 되면 기체 분자내의 전자가 에너지를 흡수하여 여기나 전리하게 된다. 여기나 전리의 상태는 불안정한 상태이므로 순간적으로 안정상태로 복귀하는데 이 때의 에너지차가 빛으로 방출된다. 이와 같이 온도방사와는 달리 냉광으로 발광하는 현상을 루우미네슨스라고 한다
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[게시일 2004년 10월 1일]
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