• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.646-651
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• 1998

In this present study, the luminescence characteristics and mechanism of energy $CaTiO_3$:Pr phosphor were studied using disk specimens sintered at various temperatures and envirenment. A single-phase $CaTiO_3$:Pr was synthesized by sintering above 140$0^{\circ}C$ and its crystal structure was found to be perovskite orthorhombic. A dominant peak around 360 nm and a broad peak around 395 nm were observed in the PLE(Photoluminescence Excitation) spectrum of $CaTiO_3$:Pr with fixed emission wavelength at 612 nm, the decay time of 360 nm excitation was found to be longer than that of 395 nm excitation. From this result, it is assumed that the free carrier excited to 360 nm is transferred to 395 nm energy level. Therefore, the decrease in 395 nm intensity observed in CaTiO$_3$:Pr specimens sintered in Ar gas environment induced shorter decay time and improved CL luminescence.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.132-133
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• 2007

$In_xGa_{1-x}N/In_yGa_{1-y}N$ 다중 양자우물 녹색 발광 다이오드에 2차원 광자 결정을 이용하여 음극선 발광의 향상을 관찰 하였다. 정사각형 배열의 2차원 광자 결정의 주기와 격자 상수는 200/500 nm 이고 전자빔 리소그래피로 광자결정 패턴을 제작한 후, 플라즈마 건식 식각법으로 패턴을 구현하였다. 식각 시간의 차이를 둔 구현된 패턴의 홀 깊이는, 각각 ${\sim}69nm,\;{\sim}99nm,\;{\sim}173nm$ 이었다. 전계 방사 주사 현미경 측정 결과, 형성된 홀은 끝이 잘린 역전된 원뿔 모양으로 식각 되었다. 식각 된 홀의 깊이에 따라 광자 결정이 있는 부분이 없는 부분보다 최대 ${\sim}30$배 많은 광자가 검출 됨을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.157-159
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• 2005

본 연구에서는 저온 액상반응법을 이용하여 활성제 Eu의 농도를 10wt%로 도핑하고 열처리를 각각 450, 700, $900^{\circ}C$로 1h 유지하여 $Gd_2O_3:Eu^{3+}$ 나노형광체를 합성하였다. 제조된 형광체의 결정화, 입자크기를 XRD, BET로 분석하였고, 이들이 발광 휘도에 미치는 영향을 확인하였다. 또한 합성된 형광체의 PL(photoluminescence) 특성을 알아보기 위해 여기파장 254nm 의한 발광스펙트럼, 611nm에 의한 여기스펙트럼을 조사하였다. 발광 특성은 611nm에서 주 peak을 갖는 $Eu^{3+}$ 이온에 의한 $^5D_0-^7F_{J(J=0,1,2)}$ 전이에 기인된 전형적인 Red 형광체의 특성을 나타냈고, 입자크기는 평균 20-60nm 정도이고, 발광강도는 열처리 온도가 증가함에 따라 향상되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.483-484
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• 2006

$Eu^{3+}$와 $Pr^{3+}$이 첨가된 $SrTiO_3$형광체를 고상반응법으로 제조하였다. $SrTiO_3:Pr$형광체는 $^3P_J(J=0,1,2){\rightarrow}^3H_4$에 의한 490nm 부근의 녹색발광과 $^1D_2{\rightarrow}^3H_4$에 의한 618nm 의 적색발광이 동시에 나타났다. $SrTiO_3:Eu$형광체는 $SrTiO_3:Pr$형광체와 달리 $^5D_0{\rightarrow}^7F_1$에 의한 583nm와 $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$에 의한 610nm의 적색발광만 각각 관찰되었다. $SrTiO_3$의 모체에서 $Eu^{3+}$는 inversion sysmmetry를 가짐으로써 610nm의 electric dipole transition 보다는 583nm의 magnetic dipole transition이 강하게 일어났다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.142-146
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• 2005

패턴화된 ITO (indium tin oxide)/Glass 기판 위에 정공수송층인 PEDOT:PSS [poly(3,4-othylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]와 발광층인 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)]를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/AI 구조를 갖는 고분자 유기 발광다이오드 (polymer light emitting diode: PLED)를 제작하였다. PLED 제작시 MEH-PPV 의 농도를 ($0.1\;wt\%\;{\~}\;0.9\;wt\%$) 변수로 하여 박막의 표면 거칠기와 박막 층의 마찰재수(friction coefficient) 측정을 통하여 농도에 따른 특성 변화를 조사하였다. MEH-PP 의 농도를 $0.1\;wt\%$ 에서 $0.9\;wt\%$ 로 증가함에 따라 발광 층의 RMS (root mean square)같은 1.72 nm 에서 1.00 nm 로 감소하여 거칠기가 개선되는 경향을 보여 주었다. 그러나 박막간의 마찰계수는 0.048 에서 0.035 로 감소하여 박막간의 접합상태가 나빠지는 현상을 나타내었다. 소자의 전기, 광학적 특성의 경우 MEH-PPV 농도가 $0.5\;{\~}\;0.9\;wt\%$ 범위에서 약 0.35 mA (at 9V)의 전류밀도를 나타내었으며, 최대 휘도는 $0.5\;wt\%$ 농도에서 $409\;cd/m^2$의 값을 나타내었다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제24권3호
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• pp.12-16
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• 2010

• 인포메이션 디스플레이
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• 제4권1호
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• pp.3-14
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• 2003

• 제품안전
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• 통권39호
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• pp.48-49
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• 1995

• 대한화학회지
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• 제55권3호
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• pp.354-363
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• 2011

3개의 적색 발광 Ir(III) 착물들인 $(fpmqx)_2Ir$(L) {fpmqx=2-(4-fluorophenyl)-3-methyl-quinoxaline; L=triazolylpyridine (trz) (1); L=picolinate (pic) (2) and L=acetylacetonate (acac) (3)}의 전자 구조, 흡수 및 인광 메커니즘, 전기 발광(EL) 특성을 양자화학적으로 연구하였다. 계산 결과에 따르면, 1의 HOMO는 강한 ${\eth}$-전자 받개 능력을 갖는 trz 부분에 편재되어 있으며, 2와 3의 HOMO는 Ir d-오비탈 과 페닐 고리 ${\pi}$-오비탈의 결합이라는 것을 나타내었다. 이 논문에서는 1-3사이의 인광 수득률과 차이에 대하여 연구하였으며, 1과 3보다 2의 EL 효율이 더 큰 이유를 합리적으로 설명하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.121-124
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• 2000

Achieving red light-emitting diodes with high quantum and luminous efficiency is required to fabricate the full-color organic electroluminescence display. In this work, we report that devices with 2.3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphine palladium (II) (PdOEP), doped into tris(8-Hydroxyquinolinato)-aluminum (III) (Alq3) show a narrow deep red emission (670nm). In addition, PdOEP has been used as host material in which red dyes such as 4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran (DCM) doped in order to fabricate efficient red-emitting diodes.