• 한국응용과학기술학회지
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• 제24권1호
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• pp.74-78
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• 2007

A new blue phosphorescent material for organic light emitting diodes (OLEDs), Iridium(III)bis[2-(4-fIuoro-3-benzonitrile)-pyridinato-N,C2'] picolinate (Firpic-CN), was synthesized and studied. We compared characteristics of Firpic-CN and Bis(3,5-Difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl) iridium III (FIrpic) which has been used for blue dopant materials frequently. The devices structure were indium tin oxide (ITO) (1000 ${\AA}$)/N,N'-diphenyl-N,N'-(2-napthyl)-(1,1'-phenyl)-4,4'-diamine (NPB) (500 ${\AA}$)/4,4'-N,N'-dicarbazole-biphyenyl (CBP) : FIrpic and FIrpic-CN (X wt%)/4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen) (300 ${\AA}$)/lithum quinolate (Liq) (20 ${\AA}$)/Al (1000 ${\AA}$). 15 wt% FIrpic-CN doped device exhibits a luminance of $1450\;cd/m^2$ at 12.4 V, luminous efficiency of 1.31 cd/A at $3.58mA/cm^2$, and Commission Internationale d'Eclairage $(CIE_{x,y})$ coordinates of (0.15, 0.12) at 12 V which shows a very deep blue emission. We also measured lifetime of devices and was presented definite difference between devices of FIrpic and FIrpic-CN. Device with FIrpic-CN as a dopant presented lower longevity due to chemical effect of CN ligand.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.76-76
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• 2000

최근 비정질 SiC 박막은 열과 광안정도면에서 비정질 Si 박막에 비해 우수하며 공정변수들을조절함으로써 비교적 쉽고 다양하게 광학적.전기적 특성을 얻을 수 있고, 낮은 광흡수계수 및 105($\Omega$cm)1 이상의 높은 전도도를 가지고 있어 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)을 통해 가전자제어 (Valency electron control)가 가능한 비정질 SiC 박막이 제작된 이래 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 결정성이 없는 비정질 물질은 상대적으로 낮은 온도에서 성장이 가능하며, 특히 glow-sidcharge 방식으로 저온에서 성장시킬 수 있음에 따라 유리등과 같은 다른 저렴한 물질을 기판으로 이용, 넓은 면적의 비정질 SiC 박막을 성장시켜 여러 분야의 소자에 응용되고 있다. 비정질 SiC 박막이 넓은 에너지띠 간격을 갖는 물질이라는 점과 화학적 안정성 및 높은 경도, 비정질성에 기인한 대면적 성장의 용이성 등의 장점이외에, 원자의 성분비 변화에 의해 에너지띠 간격(1.7~3.1eV)을 조절할 수 있다는 점은 광전소자의 응용에 큰 잠재성이 있음을 나타낸다. PECVD 방식으로 성장된 비정질 SiC 박막은 태양전지의 Window층이나 발광다이오드, 광센서, 광트랜지스터 등에 응용되어 오고 있다. 본 연구에서는, RF-PECVD(ULVAC CPD-6018) 방법에 의하여 비정질 Si1-xCx 박막을 2.73Torr의 고정된 압력에서 RF 전력(50~300W), 증착온도(150~30$0^{\circ}C$), 주입 가스량 (SiH4:CH4)등의 조건을 다양하게 변화시켜가며 증착된 막의 특성을 평가하였다. 성장된 박막을 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS), UV-VIS spectrophotometer, Ellipsometry, Atomic Force Microscopy(AFM)등을 이용하여 광학적 밴드갭, 광흡수 계수, Tauc Plot, 그리고 파장대별 빛의 투과도의 변화를 분석하였으며 각 변수가 변화함에 따라 광학적 밴드갭의 변화를 정량적으로 조사함으로써 분자결합상태와 밴드갭과 광 흡수 계수간의상관관계를 규명하였고, 각 변수에 따른 표면의 조도를 확인하였다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권1호
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• pp.9-15
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• 2019

본 연구에서는 3차원 기공구조를 지닌 금속 및 고분자 소재를 이용한 수직 마찰모드의 정전기반 나노발전기(triboelectric nanogenerator, TENG) 제조기술을 소개하고 이에 관한 응용 연구를 수행하였다. 다양한 장점을 지닌 3차원 기공구조를 활용하여 설계된 간단하며 효율적인 나노발전기로, 반복적인 접촉/분리를 통해, 120 V에 이르는 순간 전압특성과 최대 출력 $0.74mW/m^2$을 획득하였다. 실제적인 응용 연구로 48개의 발광소자 구동 실험을 실시하였으며, 저전력 소비 전자소자 장치로의 응용 확장성을 확인하기 위해 회로 구성을 통한 커패시터 축적기능을 확인하였다. 본 연구에서 소개하는 정전기반 에너지 하베스팅 기술은 매우 경제적으로 제조할 수 있는 실용적인 접근방식으로, 반복적으로 가해지는 마찰에 의한 정전력을 효율적으로 획득하여 가까운 미래에 자가발전(self-powered)형 소형 전기소자 구동, 휴대형 전자기기 및 대규모의 전자 발전 장치에 적용 가능할 것으로 기대된다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1996년도 제11차 KACG 학술발표회 Crystalline Particle Symposium (CPS)
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• pp.219-222
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• 1996

수열법은 밀폐용기중에서 10$0^{\circ}C$이상의 가열, 가압된 수용액이 반응에 관여하는 것으로써, 수정, CaCO3, AlPO4, GaPO4 등과 같은 단결정의 육성 뿐만 아니라 균일분산계로부터 균일한 결정성의 미립자 합성에도 폭넓게 이용되고 있다. 세라믹분말의 합성에 있어서, 이 방법은 특히 형상, 입자크기의 제어가 용이할 뿐만 아니라 고상법, 졸-겔법, 공침법에서와 같은 열처리, 분쇄과정이 필요없기 때문에 고순도의 초미립자를 얻을 수 있는 장점이 있다. 근년 미국, 일본에서는 수열법을 이용한 유전, 압전체 등 세라믹분말의 일부가 공업적인 규모로 대량 생산되고 있다. 그러나 이에 대한 국내 기술은 아직 초기단계에 이르고 있는 실정이다. 따라서 본 연구실에서는 수열법에 의한 단결정 육성 (예; 자수정, CaCO3, AlPO4, GaPO4, KTP, Emerald 등), 박막제조 (예; GaP, PbTiO3, BaTiO3 등), 정제 (고령토, 장석, 도석 등), 원석처리 (진주, 인공 emerald, 비취 등) 그리고 각종 세라믹분말의 합성 등과 같은 다양한 기반기술의 축적과 동시에 공업화에 대응한 수열장치를 위하여 반응용기의 대형화, 엄밀한 밀폐방식, 실용적인 수열조건 등을 개발해 오고 있다. 본 발표에서는 현재까지의 연구개발 내용 중에서 결정성 미립자에 관련한 세라믹분말의 합성에 대한 일부의 결과들을 보고한다. 일반적으로 수열장치는 전기로, 반응용기, 온도 및 압력제어계 등을 기본으로 하고 있으며 시판용의 대부분이 교반기가 부착된 수직형 (vertical type)이다. 이와 같은 방식에 있어서는 엄밀한 밀폐가 곤란, 반응온도의 한계성 (25$0^{\circ}C$ 이하), 증진율의 한계성 (소량생산) 등과 같은 점이 있기 때문에 본 연구실에서는 개폐식 전기로내에 엄밀한 밀폐가 가능한 수평식(horizontal type)의 반응용기를 채택한 뒤 이를 회전 또는 시이소(seesaw)식으로 움직일 수 있도록 하여 연속공정화, 온도구배의 자율조절 그리고 보다 저온에서도 인위적인 이온의 확산을 효율적으로 유도할 수 있도록 하였다. 이와 같은 방식은 기존의 방식과 비교하여 반응용기 내에 응집현상과 미반응물이 존재하지 않으며 또한 단분산으로 결정성 미립자를 대량적으로 얻을 수 있는 장점이 있었다. 다음은 이상과 같이 본 연구실에서 자체 개발한 수열장치를 이용하여 PbTiO3, (Pb,La)TiO3Mn, BaTiO3, ZnSiO4:Mn, CaWO4 등과 같은 세라믹분말에 대한 합성 실험의 결과이다. 압전성, 초전성이 우수한 PbTiO3 및 (Pb,La)TiO3:Mn 분말의 수열합성은 PbO, TiO2, La2O3 등의 분말을 출발원료로 하여 합성도도 25$0^{\circ}C$부근의 알카리성 용액중에서 결정성 PbTiO3 및 (Pb,La)TiO3:Mn 미립자를 단상으로 얻었으며 입자의 형상 및 크기는 합성온도와 수열용매의 종류에 의존하였다. 유전체로서 폭넓게 응용되고 있는 BaTiO3 분말은 Ba(OH)2.8H2O, TiO2와 같은 최적의 출발원료를 선택함으로써 15$0^{\circ}C$ 부근의 저온영역에서도 용이하게 합성할 수 있었다. 특히 본 연구에서는 수용성인 Ba(OH)2.8H2O를 사용함으로써 host-guest적인 반응을 유도시키는데 있어 물의 가장 실용적이고 효과적인 수열용매임도 알았다. ZnSiO4:Mn, CaWO4, MgWO4와 같은 형광체 분말은 공업적으로 고상반응 또는 습식법에 의해 얻어지고 있으나 이들 방법에 있어서는 분쇄공정으로 인한 형광특성의 저하와 같은 문제점이 있다. 따라서 본 연구에서는 수열법을 이용하여 이들 화합물의 합성을 시도하였으며 그 결과 합성온도 30$0^{\circ}C$ 부근의 알칼리성 용액중에서 수열적으로 얻어짐을 알았다. 여기서의 합성분말을 이용하여 실제 조명램프로 제조한 결과 녹색, 청색 발광용 형광체로서 우수한 형광특성을 나타내었다. 천연에서 소량 산출되고 있는 고가의 (Li,Al)MnO2(OH)2:Co 분말은 도자기의 전사지용 청색안료로써 이용되고 있다. 본 연구실에서는 LiOH.H2O, Al(OH)3, MnO2 등의 분말을 출발원료로 하고 24$0^{\circ}C$ 온도 부근 그리고 물을 수열용매로 하여 천연산에 필적하는 (Li,Al)MnO2(OH)2:Co 분말을 인공적으로 합성하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권5호
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• pp.217-224
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• 2008

수평 전기로에서 $ZnIn_2Se_4$ 단결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 $ZnIn_2Se_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 기판에 성장시켰다. $ZnIn_2Se_4$ 단결정 박막의 성장 조건을 증발원의 온도 $630^{\circ}C$, 기판의 온도 $400^{\circ}C$였고 성장 속도는 0.5 $\mu m/hr$였다. $ZnIn_2Se_4$ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 682.7nm ($1.816{\underline{1}}eV$)에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요통곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 128 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농노와 이동도는 293 K에서 각각 $9.41\times10^{16}/cm^{-3}$, $292cm^2/V{\cdot}s$였다. $ZnIn_2Se_4$/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293 K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 varshni공식에 따라 계산한 결과 $E_g(T)=1.8622\;eV-(5.23\times10^{-4}eV/K)T^2/(T+775.5K)$ 이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting energy ${\Delta}cr$값이 182.7meV이며 spin-orbit energy ${\Delta} so$값은 42.6meV임을 확인하였다. 10 K일 때 광전류 봉우리들은 n= 1, 27일때 $A_{1}-$, $B_{1}-$와 $C_{27}-exciton$ 봉우리임을 알았다.

• 센서학회지
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• 제11권5호
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• pp.309-318
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• 2002

수평 전기로에서 $CdIn_2S_4$ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 $CdIn_2S_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs (100)기판에 성장시켰다. $CdIn_2S_4$ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 $630^{\circ}C$, 기판의 온도 $420^{\circ}C$였고 성장 속도는 $0.5\;{\mu}m/hr$였다. $CdIn_2S_4$ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 463.9 nm (2.6726 eV)에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중 결정 X-선 요동 곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 127 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $9.01{\times}10^{16}/cm^3$, $219\;cm^2/V{\cdot}s$였다. $CdIn_2S_4$/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $2.7116eV-(7.74{\times}10^{-4}eV/K)T^2$/(T+434K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting ${\Delta}cr$값이 0.1291 eV이며 spin-orbit ${\Delta}so$값은 0.0248 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1일때 $A_1$-, $B_1$-와 $C_1$-exciton 봉우리임을 알았다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
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• 제49권5호
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• pp.539-544
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• 2006

목 적 : 가와사끼병의 진단 지표로서 NT-proBNP의 유용성을 살펴보고자 하였다. 방 법 : 가와사끼병을 진단 받은 환아 58명에서 발병 10일 이내 급성기에 전기화학발광면역법(Electrochemiluminescence immunoassay)를 이용하여 NT-proBNP를 측정하였고, 그 중 51명에서 회복기(발병 60에서 81일 이내)에 NT-proBNP 값을 측정하여 비교하였다. 가와사끼병과 임상적으로 구별하기 어려운 급성 열성 질환이 있는 환아 34명을 대조군으로 하여 NT-proBNP를 측정하여 가와사끼병 환자군과 비교하였다. 또한 가와사끼병 급성기에 심장 초음파검사를 시행하여 심낭삼출과 관상동맥 병변의 여부를 확인하였고 좌심실 확장기말 내경(LVIDd)과 수축기말 내경(LVIDs), 좌심실 구출율(LVEF)과 좌심실 단축율(LVSF)을 측정하여 NT-proBNP 측정치와의 상관관계를 조사하였다. 가와사끼병과 다른 질환의 감별진단을 위해 receiveroperating characteristic curve를 이용하여 NT-proBNP의 cutoff value를 구하였다. 결 과 : 가와사끼병 급성기 NT-proBNP 측정치는 대조군에 비해 유의하게 높았다($1,501.6{\pm}2,132.6$ vs. $139.0{\pm}88.8pg/mL$, P<0.0001). 51명의 가와사끼병 환자군에서 NT-proBNP 값은 급성기에 증가하고 회복기에 크게 감소하였다($1,466.0{\pm}2,173.2$ vs. $117.5{\pm}95.5pg/mL$, P<0.0001). 가와사끼병의 감별진단을 위한 NT-proBNP의 cutoff value를 260 pg/mL으로 하였을 때 민감도 93%, 특이도 88%를 보였다. NT-proBNP는 심낭삼출이 있는 환아에서 심낭삼출이 없는 환아에 비해 높았다($1,784.2{\pm}1,903.1$ vs. $1,384.4{\pm}2,232.6pg/mL$). 관상동맥 병변이 있는 환아(n=3)가 적어 NT-proBNP와의 관계를 확인할 수 없었다. NT-proBNP 측정치와 LVEF index(r=0.104, P=0.46) 및 LVIDd index(r=0.171, P=0.22)은 상관관계가 없었다. 결 론 : NT-proBNP는 가와사끼병 급성기에 크게 증가하며 회복기에 감소한다. NT-proBNP >260 pg/mL일 때 가와사끼병을 강력히 의심할 수 있으며, NT-proBNP는 가와사끼병을 진단하는 지표로 사용될 수 있을 것으로 생각된다.

• Pediatric Infection and Vaccine
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• 제12권1호
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• pp.61-66
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• 2005

목 적 : A형 간염 바이러스는 주로 대변에서 경구로 전파되기 때문에 개인과 공중위생이 A형 간염의 연령과 유병률에 영향을 준다. 저자들은 포항에서 비 현증 A형 간염과 A형 간염 예방접종 계획을 위한 기초 자료를 얻고자 A형 간염 항체 양성률을 조사하였다. 방 법 : 포항시에 거주하고 2004년 1월부터 2005년 2월까지 포항 한동대학교 선린병원, 포항 동국대학교병원, 포항 기독병원에, A형 간염 예방 접종을 하지 않았고, 간질환 이외의 다른 질환으로 입원한 총 603명의 환자를 대상으로 혈액 3 mL을 채혈하여 원심분리하여 전기 화학 발광 면역 측정법(electrochemiluminescence immunoassay, ECLIA)으로 A형 간염 바이러스 IgG 항체 양성률을 측정하였다. 결 과 : 총 603명의 검사 대상자들 중 소아군(15세 미만) 523명, 15세 이상 80명이었다. A형 간염항체 양성률은 소아군에서는 0~5개월 71명, 6~11개월 74명, 12~17개월 79명, 18~23개월 82명, 2~3세 72명, 4~8세 74명, 9~14세 71명이었고, 15~29세 40명, 30대 이상 40명이었고, A형 간염항체 양성률은 소아군에서는 523명 중 101명이 항체 검출되어 19.3%이었고, 15세 이상에서는 80명중 56명이 항체 검출되어 70.0%의 항체 양성률을 보였다. 연령별로는 소아군에서 0~5개월 73.2%, 6~11개월 14.9%, 12~17개월 8.9%, 18~23개월 7.3%, 2~3세 5.5%, 4~8세 12.1%, 9~14세 16.9%, 15~29세 52.5%, 30대 이상 92.5%의 급격히 높은 항체 양성률를 보였다. 대상자의 성별 항체 양성률은 남/녀 각각 0~5개월 73.7/70.0%, 6~11개월 15.8/13.9%, 12~17개월 9.5/8.1%, 18~23개월 7.0/7.7%, 2~3세 5.5%, 4~8세 12.1%, 9~14세 16.9%, 15~29세 52.5%, 30대 이상 92.5%로 남녀 두 군간의 항체 양성률에는 의미 있는 차이가 없었다. 결 론 : 한국에서 다른 도시의 과거의 조사와 비교하여 포항시에서 실시한 4~8세와 9~14세의 연령층에서 A형 간염의 항체 유병률이 낮았다. 이에 저자들은 포항이 다른 도시와 비교하여 위생 상태가 적어도 나쁘지 않는 것으로 추정할 수가 있다. 그리고 3세 후에 A형 간염 유병률이 증가하기 때문에 3세 까지 A형 간염 예방접종을 마칠 것을 추천하는 바이다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제56권1호
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• pp.67-76
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• 2004

연구배경 : 만성호흡기질환 환자에서 폐동맥고혈압은 불량한 예후를 나타낸다. 접근성이 용이하고 비침습적인 방법으로서 혈청 NT-proBNP농도 측정이 폐동맥고혈압 진단에 유용성이 있는지 알아보기 위하여 본 연구를 진행하였다. 방 법 : 임상적으로 수축기 폐동맥고혈압이 의심되는 환자 29명을 대상으로 전기화학발광 면역분석법을 이용하여 혈청 NT-proBNP농도를 측정하였고, 동맥혈가스검사, 혈청 생화학검사, 폐기능검사, 그리고 도플러 심초음파검사를 실시하여 우심실 수축기압을 통해 수축기 폐동맥압을 예측하였다. 결 과 : 로그 값으로 치환한 혈청 NT-proBNP농도와 수축기 폐동맥압과는 양성 선형 상관관계를 갖고 있었다(Correlation coefficiency: 0.783, p-value < 0.001). 혈청 NT-proBNP 농도는 우심실 수축기압, 우심실 비대, 심실간 중격의 편평화, 우심실 확장과 유의한 관련이 있었다. 결 론 : 임상적으로 폐동맥고혈압을 의심하는 환자에서 혈청 NT-proBNP 농도 측정은 간단하게 폐동맥고혈압 유무를 알 수 있는 유용한 표지자로서 사용이 가능할 것으로 보이며, 이에 대한 추가 연구가 필요하리라 생각된다.