Park, So Hee;Choi, Eun Seo;Ahn, Sun Young;Shin, Yong Jin
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.28
no.6
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pp.314-326
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2017
The display, which is closely related to modern life, is being developed as a window on a network connecting individuals, devices, and even other individuals from simple display devices, as the IT industry develops. To achieve a thinner, brighter unit with less consumption for backlighting, the LED light source has applied, and the study of complex light-guiding plates to improve luminance, uniformity, and viewing angle has been initiated. In this paper, we summarize the research results for the scatterers' pattern formation of the light-guiding plate and the arrangement and composition of the light source, which have enabled remarkable development of the LED backlight unit over the last 10 years. In addition, a large-area flat-screen illumination system, applying the light-guiding-plate technology to a currently noteworthy LED light-fixture design, is outlined. Finally, we discuss the direction and way to develop the current technology more progressively.
In this study, ZnO, which is widely known as a non $TiO_2$ photocatalyst, was synthesized using coprecipitation method and Ag was added in order to improve the catalytic performance. The physicochemical characteristics of the synthesized ZnO and Ag/ZnO particles were checked using X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), photoluminescence (PL), and photocurrent measurements. The performance of catalysts was tested by $H_2$ production using the photolysis of $H_2O$ with MeOH. By adding Ag which plays a role as an electron capture on the ZnO catalyst, the performance increased due to the recombination of excited electrons and holes. In particular, $8.60{\mu}mol\;g^{-1}$$H_2$ was produced after 10 h reaction over the 0.50 mol% Ag/ZnO.
A zirconia gel/polymer hybrid nanofiber was produced in a nonwoven fabric mode by electrospinning a sol derived from hydrolysis of zirconium butoxide with a polyvinyl butyral. Results indicated that the hydroxyl groups on the vinyl alcohol units in the backbone of the polymer were involved in the hydrolysis as well as grafting the hydrolyzed zirconium butoxide. In addition, use of acetic acid as a catalyst resulted in further hydrolysis and condensation in the sol, which led to the growth of -Zr-O-Zr- networks among the polymer chains. These networks gradually transformed into a crystalline zirconia structure upon heating. The as-spun fiber was smooth but partially wrinkled on the surface. The average fiber diameter was $690{\pm}110\;nm$. The fiber exhibited a strong but broad blue photoluminescence with its maximum intensity at a wavelength of ~410 nm at room temperature. When the fiber was heat-treated at $400^{\circ}C$, the fiber diameter shrunk to $250{\pm}60\;nm$. Nanocrystals which belonged to a tetragonal zirconia phase and were ~5 nm in size appeared. A strong white photoluminescence was observed in this fiber. This suggests that oxygen or carbon defects associated with the formation of the nanocrystals play a role in generating the photoluminescence. Further heating to $800^{\circ}C$ resulted in a monoclinic phase beginning to form In the heat-treated fibers, coloring occurred but varied depending on the heating temperature. Crystallization, coloring, and phase transition to the monoclinic structure influenced the photoluminescence. At $600^{\circ}C$, the fiber appeared to be fully crystallized to a tetragonal zirconia phase.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2012.10a
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pp.15-16
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2012
General lighting will be replaced into LED due to the high efficiency, low power consumption, long life than conventional light, moreover, since it is a basically semiconductor device that can convert the electric energy to visible light at a very high speed, using these characteristics can be performed communication modulation via the high-speed ON-OFF switching. Recently, visible light communication (VLC: Visible Light Communication) technology is received attention and there have been many researches. This paper is implemented media signal transmission by combining LED with VLC, a transmitter used the LED light-emitting device and receiver used an infrared sensor. In order to increase the efficiency of the communication system to improve the existing LED visible light communication driver of power conversion efficiency and thermal issues that is applied to the visible light communication in order to improve the speed of transmission media to research a new way of LED driver.
ZnO, a wurtzite lattice structure, has attracted much attention as a promising material for light-emitting diodes (LEDs) due to highly efficient UV emission resulting from its large band gap of 3.37 eV, large exciton binding energy of 60 meV, and low power threshold for optical pumping at room temperature. For the realization of LEDs, both n-type ZnO and p-type ZnO are required. Now, n-type ZnO for practical applications is available; however, p-type ZnO still has many drawbacks. In this study, ZnO films were grown on glass substrates by using atomic layer deposition (ALD) and the ZnO films were irradiated by nitrogen ion beams (20 keV, $10^{13}{\sim}10^{15}ions/cm^2$). The effects of nitrogen-beam irradiation on the ZnO structure as well as the electrical property were investigated by using fieldemission scanning electron microscopy (FESEM) and Hall-effect measurement.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.71-71
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2011
ZnO 반도체가 넓은 에너지띠와 큰 엑시톤 결합에너지를 가지기 때문에 가진 투명 전극, 태양전지, 발광소자 및 메모리와 같은 다양한 전자 및 광전자 소자의 응용에 대한 많은 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 절연성 고분자인 폴리스티렌 박막에 분산되어 있는 ZnO 나노 입자를 기억 매체로 사용하는 write-once-read-many times (WORM) 메모리 소자를 제작하고 전기적 성질과 안정성에 대하여 관찰하였다. 화학적 방법으로 형성한 ZnO 나노입자와 폴리스티렌을 N,N-dimethylformamide 용매에 녹인 후 초음파 교반기를 사용하여 나노 복합 소재를 형성하였다. 하부 전극으로 indium-tin-oxide가 증착되어 있는 유리 기판 위에 나노 복합 소재를 스핀코팅 방법으로 도포한 후 열을 가해 잔류 용매를 제거하였다. ZnO 나노입자가 분산되어 있는 폴리스티렌 나노 복합 소재로 구성된 박막위에 상부 전극으로 Al을 열증착하여 메모리 소자를 제작하였다. 전류-전압 측정 결과에서 저전압에서는 전도도가 낮은 OFF 상태를 유지하다 약 1.5 V에서 전도도가 갑자기 증가하여 높은 전도도의 ON 상태로 전이되는 쌍안정성이 관찰되었다. 전류의 ON/OFF 비율은 약 103이며 ON 상태에서 OFF 상태로 전환되지 않는 전형적인 WORM 메모리 소자의 전류-전압 특성을 나타났다. 두 전극 사이에 폴리스티렌 박막으로만 제작된 소자를 제작하여 전류-전압 측정을 하였으나 메모리 특성이 나타나지 않았다. 그러므로 WORM 메모리 특성은 폴리스티렌 박막안의 ZnO 나노입자에 기인함을 알 수 있었다. 제작된 소자에 대해 기억 시간 측정 결과는 ON과 OFF 상태의 전류가 장시간에도 변화가 거의 없는 소자의 안정성을 보여주었다. 이 실험 결과는 ZnO 나노입자가 분산된 폴리스티렌 나노 복합 구조체를 사용하여 안정성을 가진 WORM 메모리 소자를 제작할 수 있음을 보여주고 있다.
Double layered BaTiO3 thin films with high dielectric constant as well as good insulating property were prepared for the application to low voltage driving thin film electroluminescent (TFEL) device. BaTiO3 thin films were formed by rf-magnetron sputtering technique. Amorphous and polycrystalline BaTiO3 thin films were deposited at the substrate temperatures of room temperature and 55$0^{\circ}C$, respectively. Two kinds of films prepared under these conditions showed high resistivity and high dielectric constant. The figure of merit (=$\varepsilon$r$\times$Eb.d) of polycrystalline BaTiO3 thin film was very high (8.43$\mu$C/$\textrm{cm}^2$). The polycrystalline BaTiO3 showed a substantial amount of leakage current (I), under the high electric field above 0.5 MV/cm. The double layered BaTiO3 thin film, i.e., amorphous BaTiO3 layer coated polycrystalline BaTiO3 thin film, was prepared by the new stacking method and showed very good dielectric and insulating properties. It showed a high dielectric constant fo 95 and leakage current density of 25 nA/$\textrm{cm}^2$ (0.3MV/cm) with the figure of merit of 20$\mu$C/$\textrm{cm}^2$. The leakage current density in the double layered BaTiO3 was much smaller than that in polycrystalline BaTiO3 under the high electric field. The saturated brightness of the devices using double layered BaTiO3 was about 220cd/$m^2$. Threshold voltage of TFEL devices fabricated on double layered BaTiO3 decreased by 50V compared to the EL devices fabricated on amorphous BaTiO3.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.1
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pp.5-12
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2000
As a semiconductor material for electronic devices operated under extreme environmental conditions, silicon carbides (SiCs) have been intensively studied because of their excellent electrical, thermal and other physical properties. The growth characteristics of single- crystalline 6H-SiC homoepitaxial layers grown by a thermal chemical vapor deposition (CVD) were investigated. Especially, the successful growth condition of 6H-SiC homoepitaxial layers using a SiC-uncoated graphite susceptor that utilized Mo-plates was obtained. The CVD growth was performed in an RF-induction heated atmospheric pressure chamber and carried out using off-oriented ($3.5^{\circ}$tilt) substrates from the (0001) basal plane in the <110> direction with the Si-face side of the wafer. In order to investigate the crystallinity of grown epilayers, Nomarski optical microscopy, transmittance spectra, Raman spectroscopy, XRD, Photoluninescence (PL) and transmission electron microscopy (TEM) were utilized. The best quality of 6H-SiC homoepitaxial layers was observed in conditions of growth temperature $1500^{\circ}C$ and C/Si flow ratio 2.0 of $C_3H_8$ 0.2 sccm & $SiH_4$ 0.3 sccm.
For effectively photochemical hydrogen production, Ti ions (0.01, 0.10, 0.50 mol%) impregnated $WO_3$ ($Ti/WO_3$) nanometer sized particles were prepared using a impregnation method as a photocatalyst. The characteristics of the synthesized $Ti/WO_3$ photocatalysts were analyzed by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), photoluminescence spectra (PL), atomic force microscope (AFM), and electrostatic force microscope (EFM). The evolution of $H_2$ from methanol/water (1/1) photo-splitting over $Ti/WO_3$ photocatalysts was enhanced compared to those over pure $TiO_2$ and $WO_3$ photocatalysts; 3.02 mL of $H_2$ gas was evolved after 8 h when 0.5 g of a 0.10 mol% $Ti/WO_3$ catalyst was used.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.18
no.2
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pp.401-407
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2014
There are increasing interests in COB (Chip On Board) that densely arranged many LED chips on one board in order to solve the heat issue. There are many problems being on the rise: the lifespan decreases as the temperature of LED devices increases; Red Shift phenomenon, in which wave length of spectral line moves from original wave length to long wave length, occurs; and optical power decreases as $T_j$ increases. In order to resolve such problems, this study selected the optimum thickness and length of Fin, planned the second Heat sink that is optimum for COB LED with 15W, and analyzed thermal mode by Solid Works Flow Simulation through 15W COB packaging with the planned Heat sink. 15W COB down-light Heat sink that is produced based on this analysis was utilized to analyze thermal mode through contact thermometer and electrical properties through Kelthley 2430.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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