• Title/Summary/Keyword: 전계

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수소처리와 후성장층의 특성이 다이아몬드 박막의 전계방출 특성에 미치는 영향

  • 심재엽;송기문;이세종;백홍구
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.96-96
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    • 2000
  • 화학증착법으로 증착된 다이아몬드 박막은 우수한 전기적 특성과 뛰어난 화학적, 열적 안정성 때문에 전계방출소재로 많은 관심을 불러 일으키고 있다. 다이아몬드 박막의 전계방출은 저전계에서 일어나는 것으로 알려져 있으며, 저전계방출의 원인을 규명하려는 많은 연구가 진행되어 왔다. 한편, 다이아몬드 박막의 전계방출전류는 금속기판의 사용에 의한 기판/다이아몬드 접촉의 개선, 다이아몬드 박막내의 흑연성분의 조절에 의한 구조변화, 보론이나 인 (P), 질소의 도핑, 수소 플라즈마나 cesium 등의 금속을 이용한 표면처리 등의 여러 방법에 의하여 향상된다는 것이 입증되었다. 그 외에 메탄과 대기 분위기 처리, 암모니아 분위기에서의 레이저 조사도 전계방출특성을 향상시키는 것으로 보고되었다. 그러나, 다이아몬드 박막의 성장후 구조적 특성이 다른 박막의 후성장이나 열분해된 운자수소 처리가 다이아몬드 박막의 전계방출특성에 미치는 영향에 관한 연구는 지금까지 이루어지지 않았다. 본 연구에서는 수소처리와 후성장이 다이아몬드 박막의 전계방출특성에 미치는 영향을 고찰하고 이로부터 그 원인을 규명하고자 하였다. 다이아몬드 박막은 hot-filament 화학증착법을 이용하여 증착하였다. 후성장한 다잉아몬드 박막내의 흑연성분과 박막의 두께를 체계적으로 조절하여 후성장 박막의 구조적 특성과 그 두께의 영향을 확인할 수 있었다. 후성장층내의 흑연성분과 두께가 증가할수록 전계방출특성은 향상되다가 저하되었다. 한편, 다이아몬드 박막을 성장시킨 후 수소분위기 처리를 함에 따라 전계방출특성은 향상되었지만 수소처리시간이 5분 이상으로 증가함에 따라 그 특성은 저하되었다. 본 연구에서는 수소처리와 후성장시 나타나는 전계방출특성의 변화 원인을 규명하고자 한다.기판위에서 polymer-like Carbon 구조는 향상되는 경향을 보였다.0 mm인 백금 망을 마스크로 사용하여 실제 3차원 미세구조를 제작하여 보았다. 그림 1에서 제작된 구조물의 SEM 사진을 보여주었으며, 식각된 면의 조도가 매우 뛰어나며 모서리의 직각성도 우수함을 확인할 수 있다. 이와 같이 도출된 시험 조건을 기초로 하여 리소그래피 후에 전기 도금을 이용한 금속 몰드 제작 및 이온빔 리소그래피 장점을 최대한 살릴수 있는 미세구조 제작에 대한 연구를 계속 추진할 계획이다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터

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Developments of Low Frequency Electric Field Sensor using $Ti:LiMbO_3$ Optical Modulator ($Ti:LiMbO_3$ 광변조기를 이용한 저주파 전계센서의 개발)

  • Choi, Young-Kyu
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.10 no.4
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    • pp.214-221
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    • 2001
  • The use of an asymmetric Mach-Zehnder interferometric amplitude modulator to measure a relatively low frequency electric field strength is described. The sensitivity of an electric field sensor using a $Ti:LiMbO_3$ optical modulator is strongly affected by the shape of a electrode(probe antenna). To measure the low frequency electric field, a probe antenna of wide effective area is more useful than the usual dipole antenna. As a proof of this, the optical modulator was fabricated with a plate-type probe antenna and the usefulness of this antenna tested for measuring low frequency electric field strength. Measurements were performed in the range 0.1 V/cm to 60 V/cm at 60Hz through 100 kHz. Using a probe antenna of $10\;mm{\times}10\;mm$, the output voltage of $10^{-2}\;mV$ was measured with respect to the electric field strength of 0.1 V/cm at 60 Hz. By increasing the effective area of the probe antenna, better sensitivity is obtainable over the measured range.

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유기 EL 디스플레이의 개요, 재료 및 연구 동향

  • 박준영
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.15 no.12
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    • pp.3-10
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    • 2002
  • 유기 전계발광 소자는 발광성 유기화합물을 양극과 음극사이에 형성한 후 전기적으로 여기시켜 그 발광을 이용하는 디스플레이로 1960년도에 처음 전기 적 발광현상이 안트라센 물질에서 처음 보고되었다[1]. 그 후 1987년에 코닥(Kodak)사의 Tang에 의해 적층형 유기 전계발광 소자가 처음 연구되어 소개된 후 실용화를 목표로 활발히 연구되기 시작하였으며[2], 1990년도 들어서는 유기물 재료 중에 전도성 고분자형 재료의 전기적 발광현상이 영국의 케임브리지 대학에서 보고되어 고분자형 유기 전계발광 소자연구가 진행되기 시작하였다[3]. 유기 전계발광 디스플레이는 평판 디스플레이의 한 종류로서 저전압 구동, 박형, 자체발광에 인한 고인식성 및 넓은 시야각, 빠른 응답속도 등의 많은 장점을 갖고 있어 현재 널리 사용되는 액정 디스플레이의 결점을 해결해줄 수 있는 차세대 디스플레이로 최근 들어 매우 높은 관심을 받고 있으며 연구개발 또한 가장n 활발한 분야로 알려져 있다 현재는 저분자형 유기물을 사용하는 저분자 유기 전계발광 소자와 전도성 고분자를 사용하는 고분자 유기 전계발광 소자가 전자발광 디스플레이 연구의 두 분야로 경쟁하면서 연구가 진행되고 있다. 이에 1990년도 후반부터 디스플레이로의 연구가 일본에서부터 활발히 진행되면서 수동형 (Passive Matrix) 구동의 유기 EID가 일본의 Pioneer,한국의 삼성 SDI등에 의해서 상업화되었다. 현재는 카오디오나 핸드폰 등에 이미 채용이 되고 있으며 일반인들이 쉽게 볼 수 있는 디스플레이로 바뀌어가고 있다. 또한 향후 중대형 디스플레이로 상업화하기 위하여 일본의 Sony, Sanyo, Toshiba, 한국의 삼성 SDI 등에서 능동구동 유기 EL (Active Matrix OLED (AM OLED))를 경쟁적으로 개발하고 있다. (그림 1 참조)유기 ELD는 이와 같이 빠른 속도로 발전하고 있으며, 향후 몇 년 내에 우리 주변의 일상적 인 디스플레이로 등장할 것으로 판단된다. 본 보고서에서는 현재 실용화가 급속히 진전되고 있는 유기 전계발광 디스플레이의 소자구조, 발광기구. 소자특성, 각종 재료, 풀컬러화 기술, 구동방법등에 대한 기술개요와 국내외 기술동향에 대하여 소개하고자 한다.

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Characterization of field emission behavior from vitreous carbon (유리화 비정형 탄소의 전계방출 거동)

  • 안상혁;이광렬;은광용
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.9 no.2
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    • pp.122-129
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    • 2000
  • Field emission behavior from vitreous carbon powders deposited on Mo coated glass by electro-phoretic method was investigated. Although the vitreous carbon has only $sp^2$ hybridized carbon bond, we could observe an excellent field emission behavior. Reproducible electron emission was observed without initiation process which is known to be needed in most carbon cathode materials. Critical electric field for electron emission was in the range from 3 to 4 MV/m. The effective work function was estimated to be about 0.06 eV, as obtained from the slope of Fowler-Nordheim plot. The stability of the emission behavior characterized by repeated I-V measurements, was much superior to the Si tips. We observed the possibility of full area light emission in vitreous carbon materials. This results showed that the field emission is not intimately related to the $sp^3$ hybridization of carbon, but the electrical properties of cathod/electrode interface or the conductivity of the cathode materials which required for the electron transport to the cathode surface.

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Calculation of Effective Receiving Electric Field Level using the Measurement Analysis from Actual Domestic DTV Environment (국내 디지털 TV방송 환경 측정결과 분석을 통한 효과적인 수신전계강도 산출)

  • Choi, Sung-Woong;Lee, Kyung-Ryang;Yang, Chung-Mo;Kim, Seong-Kweon
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.35 no.7A
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    • pp.725-730
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    • 2010
  • Preparing the conversion to the digital broadcasting system, we are deciding broadcasting network plan and interference protection area, using the measured receiving electric field level from the digital broadcasting station. However, the essential researches are needed about a receiving electric field level, because a digital TV (DTV) broadcasting receiver has been improved and an actual receiving environment should be considered. In this paper, the measured data were classified with domestic terrain of line of sight (LOS) and those of non-LOS, and effective receiving electric field level was proposed based on the LOS data. It is known that receiving electric field-level of 48 ㏈uV/m or more should be required for receiving rate of 90% and 50 ㏈uV/m for that of 95%, on the basis of the information of domestic terrain LOS.

Developments of Extremely Low Frequency Electric Field Sensor using Guided-wave Optical Modulator (광도파로형 초저주파(ELF) 전계계측 센서의 개발)

  • Choe, Yeong-Gyu;Kim, Mun-Hwan
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.39 no.6
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    • pp.1-7
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    • 2002
  • The use of an asymmetric Mach-Zehnder interferometric amplitude modulator to measure a relatively low frequency electric field strength is described. The sensitivity of an electric field sensor using a Ti:LiNbO$_3$ optical modulator is strongly affected by the shape of a electrode(probe antenna). To measure the low frequency electric field, a probe antenna of wide effective area is more useful than the usual dipole antenna. As a proof of this, the optical modulator was fabricated with a plate-type probe antenna and the usefulness of this antenna tested for measuring low frequency electric field strength. Measurements were performed in the range 0.1V/cm to 60V/cm at 60Hz through 100KHz. Using a probe antenna of 10mm$\times$10mm, the output voltage of 10㎷ was measured with respect to the electric field strength of 0.1V/cm at 60Hz. By increasing the effective area of the probe antenna, better sensitivity is obtainable over the measured range.

Si-$SiO_2$ 계면에서의 산화물 고정 전하의 위치에 따른 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성

  • Jin, Jun;Jang, Sang-Hyeon;Yu, Ju-Hyeong;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.215-215
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    • 2010
  • 실리콘 산화막 ($SiO_2$)의 성장 과정에서 발생하는 $SiO_2$ 층에 포획된 전자-정공, Si-$SiO_2$ 계면 영역의 산화물 고정 전하와 Si-$SiO_2$ 계면의 표면 준위에 포획된 전하와 같은 $SiO_2$ 의 결점에 의해 전계효과 트랜지스터 소자의 전기적 특성을 저하하여 신뢰성을 높이는데 한계점이 발생한다. $SiO_2$ 의 결점에 의한 전계효과 트랜지스터 소자의 전기적 특성 변화에 대한 연구는 활발히 진행되었으나, 전계효과 트랜지스터 소자에서 셀 사이즈가 감소함에 따라 전기적 특성에 대한 연구는 많이 진행되지 않았다. 본 연구에서는 산화나 산화 후 열처리 과정 동안에 생기는 Si-$SiO_2$ 계면에서의 산화물 고정 전하의 위치에 따른 전계효과 트랜지스터 소자의 전기적 특성 변화를 TCAD 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 관찰하였다. Si-$SiO_2$ 계면 근처의 실리콘 산화물내에 위치시킨 양전하를 산화물 고정 전하로 가정하여 시뮬레이션 하였다. 또한 40 nm의 전계효과 트랜지스터 소자에서 산화물 고정 전하의 위치를 실리콘 산화 막의 가장자리부터 중심으로 10 nm씩 각각 차이를 두고 비교해 본 결과, $SiO_2$의 가장 자리보다 $SiO_2$의 한 가운데에 산화물 고정 전하가 고정되었을 때 전류-전압 특성 곡선에서 문턱전압의 변화가 더 뚜렷함을 알 수 있었다. 산화물 고정 전하를 Si-$SiO_2$ 계면으로부터 1~5 nm 에 각각 위치시켜 계산한 결과 산화물 고정 전하에 의해 문턱 전압이 전류-전압 특성 곡선에서 낮은 전압쪽으로 이동하였고, 산화물 고정 전하가 Si-$SiO_2$ 계면에 가까울수록 문턱 전압의 변화가 커졌다. 이는 전계효과 트랜지스터 소자에서 Si-$SiO_2$ 계면의 산화물 고정 전하에 의해 실리콘의 전위가 영향을 받기 때문이며, 양의 계면전하는 반도체의 표면에서의 에너지 밴드를 아래로 휘게 만들어 문턱전압을 감소하였다.

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Patent Trend Report for Field Emission Display (FED) (전계 방출 디스플레이의 특허 동향 분석)

  • Jeong, In-Seong
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.467-467
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    • 2008
  • 전계 방출 디스플레이는 CRT와 FPD(평판디스플레이)의 장점을 모두 갖춘 디스플레이로서 주목을 받고 있으며, 여러 국가와 많은 연구자들이 연구개발을 활발히 진행하고 있는 차세대 디스플레이 중 하나이다. 본 연구에서는 최근 차세대 디스플레이로서 연구가 활발히 진행되고 관심이 높아지고 있는 전계 방출 디스플레이의 특허 동항에 대하여 살펴보았다. 전계 방출 디스플레이 분야의 특허는 1994년과 1995년을 전후하여 출원이 급격하게 증가하고 있고, 최근에도 출원량이 증가하는 것으로 나타났다. 국가별 분포에서는 한국이 37%로 가장 높게 나타났고, 미국이 32%, 일본이 27%, 유럽이 4%의 순으로 나타났다. 특히 한국은 최근에도 다른 나라에 비해 특허 출원량이 가장 많은 것으로 분석되었다. 이는 최근 한국이 디스플레이 전체에 대해 세계적으로 주도하고 있는 경향을 반영하고 있다. 각 기술별 출원 동향을 보면, 캐소드가 주요 출원국가 전체에서 가장 높은 비율을 차지하고 있고, 진공실장, 구동회로, 애노드의 순서로 분석되었다. 전계 방출 디스플레이 분야의 주요 출원인을 살펴보면 삼성SDI가 압도적으로 많은 비율을 차지하였고, 그 뒤를 LG전자 및 Canon, 오리온전자, 마이크론 등이 주요 출원인으로 분석되었다. 국가별 분석 결과에서와 같이, 주요 출원인에서도 디스플레이 시장을 선도하는 삼성SDI, LG전자, Canon 등이 가장 많은 출원 비율을 차지하는 것을 알 수 있었다. 국가별 주요 출원인으로, 한국에서는 삼성SDI, LG전자, 오리온전자, 일본에서는 Canon, Sony, Toshiba였고, 미국에서는 마이크론과 ITRI, 유럽에서는 삼성SDI와 Sony로 분석되었다. 따라서, 전계 방출 디스플레이를 연구 하고자 하는 연구소나 기업에는 삼성SDI, LG전자, Canon, Sony 등의 연구 개발 상황 또는 특허 출원 상태를 면밀하게 분석할 필요가 있다. 캐소드의 전자방출원의 형성 형태로는 팁형이 가장 많고, CNT형, 평면형의 순서로 나타났다. 그러나, 한국에서는 전자방출원으로 CNT헝이 가장 많게 나타나므로서 다른 나라들과는 연구 개발 형태가 조금 다른 것으로 분석되었다. 전계 방출 디스플레이의 특허 동향을 분석한 결과, 한국이 일본, 미국, 유럽보다 더 활발하게 특허 출원하고 있는 것으로 분석되었고, 최근에도 다른 나라에 비해 활발하게 특허를 출원하고 있어 향후에도 디스플레이 시장은 한국에서 주도해 나갈 것으로 판단되었다. 주요 출원인으로는 삼성SDI, LG전자, Canon, Sony로 분석되었으며, 위와 같은 선진 기업 및 주요 출원인은 연구개발 및 특허 출원 상황을 면밀하게 검토할 필요가 있다.

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Simulataneous X-ray Diffraction Measurements of the Antiferroelectric-ferroelectric Phase Transition of PLZT under Electric Field (전장하에서 PLZTd의 반강유전-강유전 상전이의 동시적 X-선 회절 측정)

  • 고태경;조동수;강현구
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.33 no.11
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    • pp.1292-1300
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    • 1996
  • In-site X-ray diffraction measurements under electric field up to 20kV/ cm were carried out on PLZT (x/70/30) with x=7.5, 8.0, 8.5, and 10.5 All of PLZT belonged to cubic phases. At x=7.5, 8.0 and 8.5 PLZT behaved as an antiferroelectric under low electric fields up to 4-8 kV/cm. PLZT became ferroelectric at the higher electric fields. The high-temperature measurements on the dielectric constants of PLZT with x=7.5, 8.0 and 8.5 showed that they were similar to relaxor ferroelectrics and underwent a diffuse phase transition from antiferroelectrics to paraelectrics at 50-7$0^{\circ}C$. Their P-E hysteresis curves confirmed that they were antifer-roelectrics. The broad distribution of Curie points suggests that there is a significant disorder of cations and vacances in the crystal structure of those PLZT due to La-substitution. The variation of the lattice strain of PLZT(10.5/70/30) with electic field was very small and did not show any hysteresis confirming that it was paraelectric. The degree of the electric-induced strain variation decreased as La doping increased. In PLZT(7.5/70/30) the intensity of 110 reflection changes sensitively by applying electric field. Some domains with polarization parallel to [110] appeared to be developed in the field-induced ferroelectric phase of the PLZT.

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Two-dimensional Simulation Study on Optimization of Gate Field Plate Structure for High Breakdown Voltage AlGaN/GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors (고내압 전력 스위칭용 AlGaN/GaN-on-Si HEMT의 게이트 전계판 구조 최적화에 대한 이차원 시뮬레이션 연구)

  • Lee, Ho-Jung;Cho, Chun-Hyung;Cha, Ho-Young
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.48 no.12
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    • pp.8-14
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    • 2011
  • The optimal geometry of the gate field plate in AlGaN/GaN-on-Si HEMT has been proposed using two-dimensional device simulation to achieve a high breakdown voltage for a given gate-to-drain distance. It was found that the breakdown voltage was drastically enhanced due to the reduced electric field at the gate corner when a gate field plate was employed. The electric field distribution at the gate corner and the field plate edge was investigated as functions of field plate length and insulator thickness. According to the simulation results, the electric field at the gate corner can be successfully reduced even with the field plate length of 1 ${\mu}m$. On the other hand, when the field plate length is too long, the distance between field plate and drain electrode is reduced below a critical level, which eventually lowers the breakdown voltage. The highest breakdown voltage was achieved with the field plate length of 1 ${\mu}m$. According to the simulation results varying the $SiN_x$ film thickness for the fixed field plate length of 1 ${\mu}m$, the optimum thickness range of the $SiN_x$ film was 200 - 300 nm where the electric field strength at the field plate edge counterbalances that of the gate corner.