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정민경;김도현;구본원;송정근
- 대한전자공학회:학술대회논문집
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- 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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- pp.44-47
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- 2000
본 연구는 α-Si:H TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)를 대체 할 펜타센을 활성층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 제작에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터는 유기발광소자와 함께 유연한 디스플레이에 응용된다. 펜타센 박막 트랜지스터의 제작은 채널 길이 25㎛, 70㎛, 소스, 드레인, 게이트 전극으로 Au을 lift off 공정으로 제작하였으며, 펜타센은 OMBD(Organic Molecular Beam Deposition)로 기판온도를 80℃로 유지하여 증착하였다. 제작된 소자로부터 트랜지스터 전류-전압 특성곡선을 측정하였고, 게이트에 의한 채널의 전도도가 조절됨을 확인하였다. 그리고, 전달특성곡선으로부터 문턱전압과 전계효과 이동도를 추출하였다.
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제갈장
- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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- pp.52-57
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- 1995
An accurate and efficient single-integral semi-numerical model is developed and applied to analyse effects of localized electronic states in the mobility gap on the drain-current versus gale-voltage characteristics of hydrogenated amorphous field-effect transistors. It is shown that the low-density deep-gap states distributed in the midgap also sensitively and largely influence the device electronic performance as well as well as the large-density tail states distributed near the conduction band edge.
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한승우;임지순
- 한국진공학회:학술대회논문집
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- 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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- pp.208-208
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- 2000
본 연구에서는 다양한 끝 모양을 지닌 (n,n) 나노튜브에 대한 전자구조를 외부 전기장이 걸려있을 때와 없을 때에 대해 제일 원리적 (ab-initio) 방법을 써서 연구하였다. 계산한 모델들 중 비스듬히 잘린 지그재그 형태의 끝 모양을 가진 나노튜브가 가장 좋은 전계 방출 효과가 있음을 알아냈다. 이것은 페르미 레벨 근처에 존재하는 짝지어지지 못한 전자들로 인한 것이다. 다음으로 유리한 구조는 캡 모양의 끝을 가진 나노튜브로서 이것은 캡에 국소적으로 존재하는 파이 상태의 전자가 전기장 방향으로 향하고 있기 때문이다. 이외에 유도된 전기장이 튜브의 종횡비에 비례하는 법칙이 있음을 발견하였다.
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