• 전기의세계
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• v.14 no.6
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• pp.1-7
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• 1965

This paper provides the analysis of the differential amplifier using the insulated gate, metala-oxide-semiconductor type field-effect-transistor(MOS FET), for its active element and the power drift of the amplifer. From these analytical considerations some design standardsn were found for the MOS FET differential amplifier available for the measurement of the very small current (pico-ampare range). A differential amplifier was designed and built in the view of above considerations. Its equivalent input gate voltages of the thermal drift and the power drift were 0.57mV/.deg. C in the range 25.deg. C-60.deg. C and 8.8mV/V in the range of 20% drift of its orginal value, respectively.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.14 no.1
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• pp.58-63
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• 2001

We have investigated the photoinduced birefrinence by the electric field effects in chalcogenide thin films. The electric field effects have investigated the various applied bias voltages(forward and reverse) in chalcogenide thin films. A pumping (inducing) and a probing bean were using a linearly polarized He-Ne laser light (633nm) and semiconductor laser light (780nm), respectively. The result was shown that the birefringence had a higher value in DC +2V than the others, Also, we obtained the birefringence in the electric field effects by various voltages. In addition, we have discussed the anisotropy property of chalcogenide thin films by the electric field effects.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.20 no.5 s.95
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• pp.28-45
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• 2005

무어의 법칙을 근간으로 하는 전계효과 트랜지스터는 매 18개월마다 0.7배씩의 성공적인 소형화를 거듭하여 최근에는 50nm 크기로 구성된 약 1억 개의 트랜지스터가 집적된 칩을 생산하고 있다. 그러나 트랜지스터의 크기가 50nm 이하로 줄어들면서는 단순한 소형화 과정은 근본적인 물리적인 한계에 접근하게 되었다. 특히 게이트 절연막의최소 두께는 트랜지스터의 소형화에 가장 직접적인 중요한 요소이나, 실리콘 산화막의 두께가 2nm 이하가 되면서 게이트 절연막을 집적 터널링하는 전자에 의한 누설전류의 급격한 증가로 인하여 그 사용이 어려워지고 있는 추세이다. 따라서 본 논문에서는 트랜지스터의 소형화에 악영향을 미치는 물리적인 한계요소에 대하여 살펴보고, 이러한 소형화의 한계를 뛰어넘기 위한 노력의 일환으로 연구되고 있는 이중게이트 구조의 트랜지스터, 쇼트키 트랜지스터, 나노선을 이용한 트랜지스터 및 분자소자 등의 새로운 소자구도에 대하여 살펴보고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.20 no.5 s.95
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• pp.56-69
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• 2005

유기물이 반도체 성질을 가질 수 있다는 것이 밝혀지면서 많은 여러 가지 응용분야에 많은 연구가 진행되어 왔다. 유기 반도체는 무기 반도체와 다르게 적절한 용매에 녹는다는 장점이 있다. 이 장점을 활용해 소자 제작에 직접 인쇄법인 그래픽 인쇄 방식을 사용할 수 있다. 본 기고문에서는 유기 반도체의 여러 응용 분야 중 직접 인쇄법으로 제작한 유기 전계효과 트랜지스터(OTFT)를 중심으로 기술 발전 방향과 연구 동향, 대표적 벤처 기업 등에 관하여 기술하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1448-1450
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• 2001

본 연구에서는 알루미늄 마스크를 이용하여 다결정 실리콘 결정립의 수평성장을 유도하는 새로운 엑시머 레이저 어닐링 방법을 제안한다. 제안된 방법은 비정질 실리콘 박막 위에 알루미늄 패턴을 형성하여 선택적으로 레이저 빔을 차단시키고, 액상 실리콘의 열을 금속박막을 통해 방출시킴으로써 다결정 실리콘 결정립의 수평성장을 유도할 수 있다. 제안된 레이저 결정화 방법을 이용하여 최대 1.6${\mu}m$의 수평성장 결정립을 형성하였고, 알루미늄 패턴의 경계로부터 결정립을 성장시킴으로써 결정립 경계의 위치를 제어하였다. 제안된 방법을 이용하여 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 기존의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 전계효과 이동도 및 온/오프 전류비 등의 전기적 특성이 우수하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07d
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• pp.1318-1320
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• 1998

We have investigated the electrical characteristics of a MOSFET-structured silicon field emitter by employing Maxwell 2D and Silvaco simulators. The potential distribution is obtained by Maxwell 2D simulator and the field emission current is calculated by Fowler-Nordheim equations. The characteristics of MOSFET is simulated by Silvaco simulator. Simulated results are almost identical to the experimental results. Also, we have studied the emission characteristics as funtions of several geometric parameters.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.30 no.1 s.244
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• pp.41-47
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• 2006

High resolution dopant profiling in semiconductor devices has been an intense research topic because of its practical importance in semiconductor industry. Although several techniques have already been developed. it still requires very expensive tools to achieve nanometer scale resolution. In this study we demonstrated a novel dopant profiling technique with nanometer resolution using very simple setup. The newly developed technique measures the thermoelectric voltage generated in the contact point of the SPM probe tip and MOSFET surface instead of electrical signals widely adopted in previous techniques like Scanning Capacitance Microscopy. The spatial resolution of our measurement technique is limited by the size of contact size between SPM probe tip and MOSFET surface and is estimated to be about 10 nm in this experiment.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.4
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• pp.77-83
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• 1994

In this paper we numerically approximated the field-effect mobility of a-Si:H TFT. Field-effect mobility, based on the charge-trapping model and new effective capacitance model in our study, used Chebyshev approximation was approximated as the function of gate potential(gate-to-channel voltage). Even though various external factors are changed, this formula can be applied by choosing the characteristic coefficients without any change of the approximation formula corresponding to each operation region. Using new approximated field-effect mobility formula, the dependences of field-effect mobility on materials and thickness of gate insulator, thickness of a-Si bulk, and operation temperature in inverted staggered-electrode a-Si:H TFT were estimated. By this was the usefulness of new approximated mobility formula proved.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.9 no.4
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• pp.833-838
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• 2005

In this paper, we propose SAR(Specific absorption rate) reduction methods based on surface electric field distribution relation for mobile handsets. Proposed the new method that is able to consider improvement of the SAR from the very beginning step of developing the mobile handsets. Analysis of mobile handset with human body(head) using finite element method(FEM). Results of this method, SAR reduced about $50\;\%$.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1400-1402
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• 2002

금속유도 측면 결정화 (Metal Induced Lateral Crystallization; MILC)를 통하여 형성한 다결정 실리콘 박막에 엑시머 (excimer) 레이저를 조사하여 우수한 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제작하였다. MILC 공정 중에 형성되는 금속 유도 결정화 (Metal Induced Crystallization; MIC) 실리콘 박막은 다량의 Ni을 함유하고 있기 때문에, 이에 인접한 MILC 실리콘 박막 내에는 니켈 농도의 점진적인 차이가 발생한다. MILC 다결정 실리콘 박막 내의 Ni 농도 차이는 실리콘 박막의 용융점 차이를 유발하여 레이저 결정화 시에 매우 큰 실리콘 결정립의 성장을 유도한다. 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 기존의 레이저 결정화 방식으로 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 비하여 40% 향상된 전계효과 이동도를 나타내었다.