• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2005년도 제28회 학술발표회 초록집
• /
• pp.116-116
• /
• 2005

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.124-124
• /
• 1997

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.125-125
• /
• 1997

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2002년도 제22회 학술발표회 초록집
• /
• pp.142-142
• /
• 2002

• Applied Microscopy
• /
• 제25권3호
• /
• pp.75-81
• /
• 1995

이상과 같은 실험에서 다음과 같은 사실을 요약할 수 있다. 1) ZnSSe/GaAs 에피층에는 많은 양의 적층결함과 전위 등의 결정결함이 존재하고 이들은 표면부 보다는 계면부에 더 많이 존재한다. 그러나 에피층은 기판과 pseudomorphic 성장을 이루고 있다. 2) ZnSSe/GaAs 계면에는 5nm 크기의 높이차가 나는 굴곡이 존재하며 ZnSe 버퍼 층에 관계없이 적층결함이 존재하고, 에피층 결정이 약간 기울어져서 므와레 줄무늬 패턴도 존재한다. 3) ZnSSe/GaAs 계면에는 성장 중에 S의 침투로 인한 <111>방향으로 피트가 형성되었음이 관찰되었고 이는 결함 생성 소스로 작용한다 4) 15nm 높이차가 나는 계면이 발견되었으나 기판과 정합을 이루고 있고 주변에는 적층결함도 존재하지 않는다. 그러나 미세한 므와레 줄무의형태가 존재하였다.

• Applied Microscopy
• /
• 제25권3호
• /
• pp.82-89
• /
• 1995

지금까지의 실험결과에서 다음과 같은 요약할 수 있다. 1) 사원계 $Zn_{1-x}Mg_{x}S_y$ $S_{1-y}$(x=0.13, y=0.16) 에피층은 다소 불규칙한 성장을 나타내어 역삼각형의 결함과 길고 직선인 적층결함으로 형성된 수지상 형태가 발견되었다. 2)역삼각형 결함은 {111}면에 형성된 적층결함으로 둘러싸여 있고 내부에는 결함이 없으나 계면과 수직인 방향인 <001>방향으로 콘트라스트 차이를 이루는 밴드가 형성되었다. 3) 기판과 정합을 이루고 있고 결함이 없는 ZnSe 버퍼 층이 관찰되었으며 결함 및 므와레 줄무늬는 버퍼층과 4원계 에피층과의 계면에서 형성된다. 4) 4원계 에피층에 형성된 적층결함은 Mg 원소의 효과로 길이가 60nm 이상 폭이 40nm 이상의 넓은 간격을 이루고 있다. 5) 긴 적층결함으로 둘러쌓인 수지상 구조에는 국부적으로 주기를 이루며 강한 콘트라스트 차이를 나타내는 줄무늬가 관찰되는데, 이는 Mg 및 S의 국부적인 화학적 조성차이에 기인한 탄성 변형 효과로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
• /
• pp.357-357
• /
• 2008

에피성장된 Fe/GaAs 적층구조에서의 스핀 주입 실험을 하였다. Fe와 GaAs 사이에 Schottky tunnel barrier를 형성시키기 위하여 높게 도핑된 GaAs 층을 channel 층 위에 성장하였다. 스핀전달에 의한 chemical potential 차이만을 검출하기 위해서 전압 측정 단자 사이에 전류 흐름이 포함되지 않는 non-local 측정방법을 사용하였다. 그 결과 두 강자성 전극이 반평행한 구간에서 dip이 나타나는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제33권6호
• /
• pp.288-293
• /
• 2023

STS316L 합금의 Laser powder bed fusion 공정 최적화를 위하여 Laser power, Scan speed 및 Hatching distance의 공정조건을 제어하면서 투입 레이저 에너지 밀도와 조형체의 상대밀도와의 상관관계를 연구했고, 최적조건으로 제작된 조형체의 적층 방향에 따른 인장특성 변화를 분석했다. STS316L 분말을 에너지밀도가 55.6 J/mm³, 83.3 J/mm³ 및 111.1 J/mm³인 조건에서 적층 성형한 결과, 투입 레이저 에너지밀도가 83.3 J/mm³이며, Power 및 Scan speed 각각 225 W, 1000 mm/s인 조건에서 가장 안정적으로 고밀도 STS316L 샘플을 제작할 수 있었다. 최적공정조건을 이용해 적층 방향과 인장방향이 각각 0°, 45°, 90°인 인장시험편을 제작하여 인장특성을 비교한 결과 적층 방향과 인장방향이 수직인 시험편의 항복강도, 인장강도 및 연신율이 가장 우수한 것이 확인되었다. 적층 방향과 수직 방향으로의 이방성을 가지는 기공 및 Lack of fusion 결함이 응력집중을 야기하여 인장특성을 열화 시키기 때문인 것으로 추정된다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2012년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.473-474
• /
• 2012

• 한국결정성장학회지
• /
• 제11권3호
• /
• pp.96-101
• /
• 2001

본 연구에서는 열벽 적층 성장법으로 GaAs(100) 기판 위에 $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층을 성장하여 그 특성을 조사하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 Mn 조성비는 x = 0.97까지 얻을 수 있었으며 성장된 시료의 결정구조는 징크브랜드이었다. 성장된 면은 GaAs (100) 기판과 동일한 방향으로 성장되었다. 성장시 기판 온도가 $350^{\circ}C$에서 $400^{\circ}C$로 증가함에 따라 Mn 조성비 x는 0.02에서 0.23으로 증가하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 격자상수는 Mn 조성비 x가 증가할수록 선형으로 증가하였고 띠 간격 에너지는 x에 대하여 비선형으로 증가하였다.