• Title/Summary/Keyword: 적색 LED

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High-efficiency High-power Red PQR Laser Array (고효율 고출력 적색 광양자테 레이저 어레이)

  • Kim, Chang-Hun;Sin, Mi-Hyang;Kim, Yeong-Cheon;Jang, Yeong-Heup;Chae, Gwang-Hyeon;Gwon, O-Dae;Seong, Seung-Gi;Han, Seong-Hong
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2008.07a
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    • pp.317-318
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    • 2008
  • High-efficiency high-power red PQR (photonic Quantum Ring) lasers with low threshold currents have been fabricated for low cost and low power consumption, whose structure is based upon high-power LED epi-wafers modified for vertically dominant PQR helix resonance. Preliminary experimental results are very promising for panel-less PQR laser chip TV applications.

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High-resolution Patterning of Colloidal Quantum Dots via Non-destructive, Light-driven Ligand Crosslinking (양자점용 가교제를 이용한 고해상도 양자점 광패터닝 기술)

  • Yang, Jeehye;Kang, Moon Sung
    • Prospectives of Industrial Chemistry
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    • v.23 no.6
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    • pp.14-24
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    • 2020
  • 최근 우수한 발광 특성을 갖는 양자점을 고해상도 디스플레이의 발광 소재로 도입하고자 하는 노력이 활발하다. 양자점을 활용한 디스플레이의 실현을 위해서는 콜로이드 상태인 다색의 양자점을 고해상도로 패터닝하는 기술의 확립이 필요하다. 본 연구에서는 ethane-1,2-diyl bis(4-azido-2,3,5,6-tetrafluorobenzoate)를 양자점용 가교제로 활용하여 용액공정을 기반으로 형성된 양자점 박막을 고해상도로 패터닝한 기술을 소개하고자 한다. 위 양자점용 가교제의 양 말단에는 아지드 그룹을 포함한 작용기가 존재한다. 아지드 기는 자외선에 의해 광 활성화되어 양자점 표면의 알킬 리간드와 가교 결합을 형성함으로써, 양자점 박막에 화학적 내구성을 부여한다. 본 기술을 기반으로, 적색, 녹색, 청색의 카드뮴 기반 양자점을 고해상도로 패터닝하고 정밀하게 배열하여 인치 당 화소 수 1400 이상의 픽셀 형성에 성공하였다. 또한 가교 반응 후에도 성능 저하가 없는 양자점 박막 및 자발광 양자점 다이오드를 개발하였다.

Improvement of Seed Germination in Rosa rugosa (해당화의 종자 발아 연구)

  • Lee, Ji-Yeon;Lee, Ja-Hyun;Ki, Gwang-Yeon;Kim, Seung-Tae;Han, Tae-Ho
    • Horticultural Science & Technology
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    • v.29 no.4
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    • pp.352-357
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    • 2011
  • Rose seed shows low germination percentages (about 20%) because it has a high amount of substances that inhibit germination in the pericarp. We investigated the effect of orientation of achene, the day after pollination (DAP), and cold storage with or without half-cut in achene for the germination percentage in R. rugosa. Germination percentages of intact or half-cut achenes were investigated in a 16-hour photoperiod at $25^{\circ}C$ room on basal MS medium for two weeks. In germination percentage, maximum 100% was measured within one week when half-cut achenes were cultured on an orientation that the embryos facing to the light. Half-cut achenes at 90 DAP were germinated 100% regardless of cold storage. Various LED lights (red, blue, yellow, green, and white) were illuminated over the half-cut achenes to gain the effect of light color. Germination percentage of R. rugosa seeds under blue LED reached the greatest with 90% within one week of culture and these seedlings were the best with a steady growth rate. It is concluded that half-cut achenes would be an effective method to improve seed germination in R. rugosa without stratification or scarification. This system could be applied to breeding studies in rose cultivars.

Effects of Light Quality Using LEDs on Expression Patterns in Brassica rapa Seedlings (LED 광원의 다양한 광질이 배추 유묘의 유전자 발현에 미치는 영향)

  • Kim, Jin A;Lee, Yeon-Hee;Hong, Joon Ki;Hong, Sung-Chang;Lee, Soo In;Choi, Su Gil;Moon, Yi-Seul;Koo, Bon-Sung
    • Horticultural Science & Technology
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    • v.31 no.5
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    • pp.607-616
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    • 2013
  • Light with two faces, beneficial and harmful effects is an important signal for every living cell. Optimal adaptation to light environment enhances the fitness of an organism and survival in nature. Understandings of light quality and plant growth provide with the economical guides for artificial light sources like LEDs. Compared with those under white light, the 1 week seedlings of Chinese cabbage (Brassica rapa) under monochromic red and blue light showed normal development and growth. In contrast to extremely long and etiolated hypocotyls of the seedlings under dark, those under far-red etiolated were extremely short. Based on the microarray analysis, blue light induced the vigorous development and growth and two fold changes of transcripts than red light condition. To have insight of gene products under different light qualities conditions, GO term enrichments were calculated and each gene according to their GO terms were categorized. The blue and red lights affected the expressions of genes related to biological process. Especially, the genes related to metabolic process and developmental process and plastid and chloroplast in the cellular component category were induced under blue light. This study provided the molecular biological evidence for various light qualities on the growing process of B. rapa.

Luminescence characterization of $EU^{3+}$ and $Bi^{3+}$ co-doped in ${Y_2}{SiO_5}$ red emitting phosphor by solid state reaction method (고상 반응법으로 합성한 ${Y_2}{SiO_5}:\;EU^{3+}$, $Bi^{3+}$ 적색 형광체의 발광 특성)

  • Moon, J.W.;Song, Y.H.;Park, W.J.;Yoon, D.H.
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.19 no.1
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    • pp.15-18
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    • 2009
  • To enhance near UV-visible absorption region and to applied phosphor convert-white LEOs (PC-WLEDs), a red phosphor composed of ${Y_2}{SiO_5}:\;EU^{3+}$, $Bi^{3+}$ compounds was prepared by the conventional solid-state reaction. The photoluminescence (PL) shown that samples were excited by near UV light 395 nm for measurement of PL spectra. Emission spectra of samples have shown red emissions at 612 nm ($^5D_0{\to}^7F_2$). The enhanced near $UV{\sim}$ visible excitation spectrum with a broad band centered at 258 nm and 282 nm originated in the transitions toward the charge transfer state (CTS) due to the $Eu^{3+}-Bi^{3+}-O^{2-}$ interaction. The other excitation band at $350\;nm{\sim}480\;nm$, corresponding to the transitions $^7F_0{\to}^5L_9$ (364 nm), $^7F_0{\to}^5G_3$ (381 nm), $^7F_0{\to}^5L_6$ (395 nm), $^7F_0{\to}^5D_3$, (415 nm) and $^7F_0{\to}^5D_2$ (466 nm), occurred due to enhanced the f-f transition increasing $Bi^{3+}$ and $Eu^{3+}$ ions. The PL intensity increased with increased as concentration of $Bi^{3+}$ and the emission intensity becomes with a maximum at 0.125 mol.

Photobiomodulation-based Skin-care Effect of Organic Light-emitting Diodes (유기발광다이오드를 이용한 Photobiomodulation 기반 스킨케어 효과)

  • Kim, Hongbin;Jeong, Hyejung;Jin, Seokgeun;Lee, Byeongil;Ahn, Jae Sung
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.32 no.5
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    • pp.235-243
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    • 2021
  • Photobiomodulation (PBM)-based therapy, which uses a phenomenon in which a light source of a specific wavelength band promotes ATP production in mitochondria, has attracted much attention in the fields of biology and medicine because of its effects on wound healing, inflammation reduction, and pain relief. Research on PBM-based therapy has mainly used lasers and light-emitting diodes (LEDs) as light sources and, despite the advantages of organic light-emitting diodes (OLEDs), there have been only a few cases where OLEDs were used in PBM-based therapy. In this research, the skin-care effect of PBM was analyzed using red (λ = 620 nm), green (λ = 525 nm), and blue (λ = 455 nm) OLED lighting modules, and was compared to the PBM effect of LEDs. We demonstrated the PBM-based skin-care effect of the red, green, blue OLED lighting modules by measuring the increase in the amount of collagen type-1 synthesis, the inhibition of melanin synthesis, and the suppression of nitric oxide generation, respectively.

CdTe 두께에 따른 CdTe/ZnTe 나노구조의 운반자 동역학과 열적 활성화 에너지

  • Han, Won-Il;Lee, Ju-Hyeong;Choe, Jin-Cheol;Lee, Hong-Seok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.298-299
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    • 2012
  • 현재 반도체 나노구조는 단전자 트랜지스터, 레이저, LED, 적외선 검출기 등과 같은 고효율 광전자 소자에서의 응용을 위해 활발한 연구가 진행 되고 있다. 이러한 응용 분야를 위한 다양한 종류의 나노구조 성장이 광범위하게 시도 되고 있지만 주로 III-V 족 화합물 반도체에 대한 연구가 주를 이룬 반면 II-VI 족 화합물 반도체에 대한 연구는 아직 미흡하다. 하지만 II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 CdTe 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 본 연구에서는 분자 선속 에피 성장법(molecular beam epitaxy; MBE)과 원자 층 교대 성장법(atomic layer epitaxy; ALE)으로 CdTe 두께에 따른CdTe/ZnTe 나노구조의 광학적 특성을 연구하였다. 광루미네센스(photoluminescence; PL)를 통해 CdTe/ZnTe 나노구조에서 CdTe 두께에 따른 에너지 밴드와 열적 활성화 에너지를 관찰하였다. 또한 시분해 광루미네센스(Time-resolved PL)를 통해 CdTe 두께에 따른 CdTe/ZnTe 나노구조의 운반자 동역학을 조사하였다. 저온 광루미네센스 측정 결과 CdTe 두께가 증가할수록 각 샘플의 피크는 더 낮은 에너지 영역대로 이동하는 것을 관찰할 수 있다. 1.2 에서 2.0 ML로 증가할 때 광 루미네센스의 작은 적색편이를 관찰할 수 있는데, 이는 CdTe 양자우물에서 양자점으로의 구조적인 전이가 일어남에 따라 구속효과가 증가하였기 때문이다. 또한 2.0 에서 3.6 ML까지 CdTe 두께가 증가할 때 측정된 적색편이 현상은 양자점의 사이즈 증가함에 따른 것이다. 마지막으로 3.6 에서 4.4 ML로 CdTe 두께가 증가할 때 큰 적색편이 현상을 볼 수 있는데 이는 CdTe 양자점에서 양자세선으로의 구조적 전이에 따라 구속효과가 증가하였기 때문이다. 온도 의존 광루미네센스(Temperature-dependent PL) 측정 결과 1.2 와 3.0 ML 두께의 CdTe/ZnTe 나노구조에서 구속된 전자의 열적 활성화 에너지가 18 과 35 meV로 관찰되었다. 3.0 ML CdTe/ZnTe 나노구조에서 가장 큰 열적 활성화 에너지를 갖는 것은 양자점의 균일도가 좋아지고 저차원 나노구조로의 구조적 전이가 일어나면서 운반자 구속효과에 다른 쿨롱 상호작용이 증가하였기 때문이다.

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Thermal Flow Characteristics of a Hybrid Plant Factory with Multi-layer Cultivation Shelves (다층 재배선반을 갖는 하이브리드 식물공장의 열유동 특성)

  • Yoon, Ji-Hwan;Ryu, Bong-Jo;Kim, Youngshik
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.16 no.11
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    • pp.7990-8000
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    • 2015
  • Plant factories are plant cultivation systems which produce farm products uniformly under the controlled environmental condition regardless of seasons and places. Thermal flow in the plant factory is an important parameter in cultivating plants. In this research, we study thermal flow characteristics for a hybrid plant factory with multi-layer cultivation shelves using computer simulation techniques. In order to obtain numerical solutions for thermal flow characteristics, a finite volume method was applied. We consider a low-Reynolds-number ${\kappa}-{\epsilon}$ turbulence model, incompressible viscous flows, and pressure boundary conditions for numerical simulation. Commercial software Solid Works Flow Simulation is then used to investigate characteristics of thermal flows in the plant factory applying several different inflow air velocities and arrangements of cultivation shelves. From numerical analysis results, we found that temperatures in cultivation shelves were uniformly distributed for Case 3 when the inflow air velocity was 1.6 m/s by using a blower in the plant factory. However in Case 1 lower temperature distributions were observed in test beds, TB2 and TB3, which indicated that additional temperature control efforts would be required. Average shelf temperature increased by $3^{\circ}C$ using artificial light source (DYLED47) with 50% blue and 50% red LED ratios. Korea Academia-Industrial cooperation Society.

Synthesis of K2TiF6:Mn4+ Red Phosphors by a Simple Method and Their Photoluminescence Properties (Mn4+ 이온 활성 K2TiF6 불화물 적색형광체의 합성과 발광특성)

  • Kim, Yeon;Wu, Mihye;Choi, Sungho;Shim, Kwang Bo;Jung, Ha-Kyun
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.26 no.9
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    • pp.504-511
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    • 2016
  • To prepare $Mn^{4+}$-activated $K_2TiF_6$ phosphor, a precipitation method without using hydrofluoric acid (HF) was designed. In the synthetic reaction, to prevent the decomposition of $K_2MnF_6$, which is used as a source of $Mn^{4+}$ activator, $NH_5F_2$ solution was adopted in place of the HF solution. Single phase $K_2TiF_6$:$Mn^{4+}$ phosphors were successfully synthesized through the designed reaction at room temperature. To acquire high luminance of the phosphor, the reaction conditions such as the type and concentration of the reactants were optimized. Also, the optimum content of $Mn^{4+}$ activator was evaluator based on the emission intensity. Photoluminescence properties such as excitation and emission spectrum, decay curve, and temperature dependence of PL intensity were investigated. In order to examine the applicability of this material to a white LED, the electroluminescence property of a pc-WLED fabricated by combining the $K_2TiF_6$:$Mn^{4+}$ phosphor with a 450 nm blue-LED chip was measured.

열처리된 off-axis angle r-plane 사파이어를 이용한 비극성 GaN 성장

  • Yu, Deok-Jae;Park, Seong-Hyeon;Sin, In-Su;Kim, Beom-Ho;Kim, Jeong-Hwan;Gang, Jin-Gi;Park, Jin-Seop;Yun, Ui-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.150-150
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    • 2010
  • 질화물 기반의 LED의 경우 c-plane 사파이어에 GaN을 성장 하는 방법이 많이 연구되어 왔다. 그러나 c-plane 위에 성장시킨 LED는 분극현상이 발생하여 양자효율의 저하와 발광파장의 적색 편이를 야기한다[1]. 이런 문제를 해결하기 위하여 a-plane (11-20), m-plane (10-10) 등의 비극성면을 갖는 GaN을 성장을 통해 분극문제를 해결하고자 하는 방법이 제안되었다 [2] 하지만, 현재 비극성 면을 갖는 고품질의 박막을 성장시키기 어렵다는 단점이 존재한다. 고품질의 박막을 성장시키는 방법으로는 ELO와 다중 버퍼층의 사용처럼 여러가지 방법이 연구되고 있다. 하지만 사파이어의 tilt와 열처리에 따른 표면 개질에 대한 연구는 많이 진행되어지고 있지 않다. 본 연구에서는 사파이어에 열처리를 통하여 표면의 특성 변화를 관찰하고 이를 이용하여 고품위 GaN 박막의 품질을 높이려 하였다. r-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 a-plane GaN을 성장하였다. 이 공정에서 사용한 pre-treatment는off-axis angle을 가진 기판의 표면 열처리이다A-plane GaN 성장전에 m-direction으로 off-axis angle을 가진 r-plane 사파이어 기판을 1300도로 가열한 후 각각의 다른 시간에서 열처리를 진행하였다. Off-axis angle을 가진 사파이어는 표면에 step구조를 가지고 있으며, 이 step의 width를 비롯한 표면의 morphology는 off-axis angle에 따라 달라진다. Off-axis angle을 변화시킨 사파이어를 1300도에서 1시간, 3시간, 5시간 annealing하여 표면을 AFM을 사용하여 관측한 결과 step width가 증가하고 step의 형태가 뚜렷해지며 rms-roughness가 변화한 것을 관찰할 수 있었다. 그리고 이 각각의 기판을 동일한 조건으로 a-plane GaN을 성장하여 박막의 특성을 측정하였다. 본 발표에서는 사파이어 기판의 표면 처리에 따른 비극성 GaN의 특성 변화에 대한 분석 결과를 논의할 것이다.

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