• Proceedings of the Speleological Society Conference
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• 한국동굴학회 2005년도 후반기 학술발표대회
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• pp.69-77
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• 2005

비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖은 PTC thermistor눈 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내어 감소하다가, 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 BaTiO$_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로, 저항-온도 특성, 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser) 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 정온발열 탐사기능 온열부츠 제작 용 PTC 부픔소재의 응용성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.240-241
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• 2005

비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• 제38권3호
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• pp.256-260
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• 2001

본 연구에서는 Sbrk 치환된 BaTiO$_3$에 그라파이트를 첨가하고 고상반응법을 이용하여 PTC 소자를 제조한 후, 저항-온도 특성을 조사하였으며 미세구조 분석을 통하여 그라파이트 첨가로 인한 PTC 특성 변화를 고찰하였다. 시편의 저항-온도 특성은 자체 제작한 저항-온도 특성 자동 측정 시스템을 사용하였으며 미세구조 고찰은 주사 전자 현미경을 사용하였다. 상온 저항값은 그라파이트를 1.5 mol% 첨가한 시편이 8.8Ω.cm로 가장 낮은 저항값을 나타내었고 저항-온도 계수는 그라파이트를 3.0 mol% 첨가한 시편이 22.4%/$^{\circ}C$로 가장 좋은 PTC 효과를 보였다. 미세구조 고찰 결과 그라파이트를 1.5 mol% 첨가한 경우 90$^{\circ}$ 및 180$^{\circ}$전계구조가 상당히 발달되었음을 볼수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.401-401
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• 2011

태양전지 제작에 있어서 에미터층의 최적화를 위해 POCl 도핑시 에미터층의 면저항 가변에 중요한 파라미터인 온도와 가스비를 변화하여 실험을 진행하였다. 본 실험에 사용될 최초 기판은 두께가 200${\pm}$5 ${\mu}m$, 비저항이 0.5~0.3 ${\Omega}{\cdot}cm$의 P-type(100) 실리콘 기판을 사용하였으며 먼저 POCl3양과 deposition 시간 그리고 산소와 질소의 양을 고정시키고 온도에 따른 에미터 면저항 변화를 알아보았다. 온도는 830, 840, 850, 860, 870, 880$^{\circ}C$로 가변시켰으며 공정온도가 높아질수록 면저항 값이 낮아짐을 알 수 있었다. 균일도는 낮은 온도에서는 다소 좋지 않았지만 온도가 높아질수록 점차 좋아졌으며 870$^{\circ}C$ 이상에서는 거의 균일한 값을 얻을 수 있었다. 한편, 이번에는 공정온도를 고정하고 산소와 POCl3 가스량의 변화에 따른 면저항 특성과 균일도를 알아보았다. 가스비와 압력 그리고 위치별 면저항 특성에 대해서 알아보았고 부분압이 증가함으로 반응로 내의 O2의 양이 증가함을 알 수 있었다. 증가한 O2는 도핑과정에서 산화막을 더 두껍게 형성하게 하며 높은 면저항 값을 가져오게 하였다. 즉, 충분한 가스량의 주입으로 도핑시 균일도를 향상시킬 수 있었다. 이와 같이 부분압이 증가함에 따라 면저항의 증가와 균일도의 향상을 가져왔다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• 제12권1호
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• pp.1-7
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• 2005

The effect of trimming process to adjust accurate resistance of a thin-film resistor was studied with respect to low temperature coefficient of resistance(TCR) and high precision. The characteristics of a thin-film resistor fabricated by sputtering were investigated depending on trimming condition and annealing temperature. Measured results showed that the characteristic of a thin-film resistor was degraded with increased trimming speed. However, an average resistance deviation and a TCR were improved to $0.26\%$ and 52.77[ppm/K], respectively, through annealing treatment. Also, thin-film resistors with 1 k$\Omega$ and 10k$\Omega$ showed better performance compared to a resistor with 100k$\Omega$. The Optimal trimming speed and annealing temperature were 20mm/sec and 539K, respectively, and under this optimal condition, a thin-film resistor with an average resistance deviation of $0.31\%$ and a TCR of below 10[ppm/K] was obtained.

• The Magazine of the IEIE
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• 제21권8호
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• pp.1-9
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• 1994

고정저항기의 개발에 있어서 고려해야 할 주요 특성인 저항온도계수, 잡음, 주파수특성, 전압계수 등을 고찰하였으며, 나아가서 박막저항기, 칩저항기, 다련칩저항기의 개발동향 등을 알아보았다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.804-806
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• 2000

동일한 임계전류 특성을 갖는 Bi-2223 테이프에 전력기기의 실제 응용에서 발생되는 큰 사고전류를 고려한 임계전류보다 큰 과임계전류를 흘렸을 때 테이프의 온도상승 및 저항 특성을 중요한 인자에 대해 조사하였다. 냉각이 좋은 즉 비절연 테이프의 경우 온도상승은 없고, 표피효과에 의한 저항의 증가도 없고, 특히 비절연 테이프의 경우 과도 및 정상 상태 저항이 동일한 반면 절연 테이프의 경우 매우 상이하고, 전기절연 길이를 전압탭보다 길게만 해주면 길이에 무관하게 온도상승 및 저항이 동일하였으며 마지막으로 모재의 저항율이 상이하여도 임계전류만 동일하면 온도상승 및 저항은 유사함을 알 수 있었다.

• Journal of Power System Engineering
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• 제16권6호
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• pp.11-18
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• 2012

대형 상용 엔진에서 발생하는 유효 도시 마력의 약 4~15%는 마찰 손실을 통해서 사라지며 마찰 손실 중 약 40~55%는 엔진 실린더와 피스톤 사이의 마찰에 의하여 발생하여, 엔진 전체에서 발생하는 마찰 손실 중 가장 많은 부분을 차지하고 있다. 이 연구에서는 엔진 실린더 라이너의 온도 분포 개선을 통해 라이너를 따라 유막을 형성하고 있는 윤활유의 적정 점성을 유지시키는 방법을 제시하고자 한다. 피스톤-라이너에서 발생하는 마찰 특성은 피스톤의 행정 위치에 따라서 접촉 마찰과 유막에 의한 마찰로 구분되며 이에 따라 요구되는 윤활유의 점성 특성 또한 달라진다. 먼저 해석 모델을 통하여 실린더 라이너 내부 온도 분포 특성을 확인한 후 피스톤 마찰 특성을 고려한 적정 온도 분포를 고찰하며 실린더 라이너에 열저항 코팅을 통해서 이를 구현하였다. 또한 실린더-피스톤 간의 마찰/윤활 해석을 통하여 열저항 코팅의 마찰 개선효과를 확인하였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• 제13권5호
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• pp.484-491
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• 2002

This paper presents the results of a study of voltage-controlled PIN diode attenuators for Ku-band satellite payload and suggests the temperature-compensation method of these attenuators. The PIN diode attenuators are designed using thin-film hybrid techniques. The load resistance for maximum linear characteristics is determined by simulation and measurements. In the case of APD0805, load resistance of 150 $\Omega$ gives attenuator up to 10 dB linear attenuation range per a PIN diode. Also, measurements over temperature of these PIN diode attenuators were performed. From these measurements, designed PIN diode attenuators shows the severe temperature dependency due to forward voltage variation. A temperature compensation method using thermistor is now suggested to compensate the temperature variation of these PIN diode attenuators. This circuit shows good linear characteristics over wide temperature range

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.208-209
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• 2005

바나듐 산화물은 반도성-금속성으로 상전이 하는 CTR특성의 대표적인 산화물로 상전이 온도인 68$^{\circ}C$에서 저항의 급변 특성을 보인다. 여기에 Fe, Ni, Mo, Ti, W과 같은 금속성 산화물을 첨가함에 따라 상전이온도를 움직일 수 있다. 그중 $WO_3$를 첨가함으로써 상전이온도를 상온까지 낮출 수 있다. Inorgnic sol-gel 법에 의해 바나듐-텅스텐 sol을 제조 하였으며, 제조된 sol을 기판에 코팅한 후 환원분위기에서 열처리 하여 막을 얻었다. 온도-저항 특성 측정 결과 순수 바나듐 막은 상전이 온도는 68$^{\circ}C$ 전기저항 감소폭은 $10^4$order 이였으나 바나듐-텅스텐막의 상전이 온도는 38$^{\circ}C$, 전기저항 감소폭은 $10_{15}$order 로 감소함을 확인 하였다.