• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.1 no.1
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• pp.51-60
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• 1994

RuO2 계 후막저항체에 사용된 유리의 입도 및 연화점이 후막저항체의 전기적 특성 에 미치는 영향을 시험하기 위하여 연화점이 서로 다른 두 종류의 유리를 제조하고 이들을 미분쇄하여 각각 세 조류의 평균입도로 분급하였다. 이 유리분말들을 이용하여 여섯 종류의 후막저항체를 제조하고 그 저항체들의 전기적 특성을 평가하고 고찰하였다. 연화점이 높은 유리로 만든 후막저항체들보다 높은 쉬트 저항을 나타냈다. 또한 후막저항체들의 쉬트 저항 및 저항온도계수는 저항체들의 미세조직과 밀접한 관계가 있음을 확인하였다.

• Korean Journal Plant Pathology
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• v.12 no.4
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• pp.415-421
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• 1996

대전, 공주, 논산, 부여와 김해 등에서 병든 딸기, 토마토, 오이에서 총 992균주의 잿빛곰팡이병균을 분리하여 이들 균주로부터 dichlofluanid 저항성 5균주, 감수성 5균주를 임의로 선발하였다. 분리된 균의 dichlofluanid 저항성을 조사한 결과 105균주(10.6%)가 저항성이었다. 저항성균 균사의 최소 억제 농도(minimum inhibitory concentration)는 100~500$\mu\textrm{g}$/ml 이상이었으나 감수성균은 10 $\mu\textrm{g}$/ml 미만이었다. Dichlofluanid 저항성의 안정성 조사를 위하여 35$^{\circ}C$고온 처리 및 계대 배양할 때 조사된 저항성 5균주 중 3균주는 저항성이 감소하거나 상실되었다. 저온 저장 및 온실에 장기 보관할 때는 조사된 저항성 균주 모두가 저항성이 감소하거나 완전히 상실되는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 이 약제에 대한 저항성이 불안정하다는 것을 나타낸다. 오이에 감수성균 및 저항성균을 혼합 접종한 후 재분리할 때 시간이 지날수록 감수성균이 더 많이 분리되어 저항성균의 경합 능력이 감수성 균주에 비하여 열등하였다.

• Korean journal of applied entomology
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• v.33 no.4
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• pp.242-249
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• 1994

These studles were conducted to investigate the development of chem~cal resistance and cross.resista. nce m dlarnondback moth (Piuteiia xylostella L). The resistance development of diamondback moth greatly vaned under single selection of five insectlades. The tnflumuron and lambda cyhalothnn strains at 8th selected generation showed 374- and 29.l.fold resistant levels. respectively, as compared with the susceptible strain. However, the Baciilus thuringiensis-seleded at 8th selected generatLon exhibited 240-fold resistant level. and the prothiophos-selected at 8th generation revealed 14.3-fold resistant !eve1 while the cartap hydrochloride-selected at 8th generailon showed 9.1-fold resistant level Prothiophos- selected strain showed low cross-resistance level to cartap hydrochloride, while this strain exhibited no cross-resistance of 1.3 to 2.8-fold to other msectlcides. Cartap hydrochlonde- seleded strain showed 19.9-fold. a high cross-resistance to lambda cyhalothrin, but this strain showed 2.2-34 fold, no cross resistance to other insecticide. Lambda cyhalothnn-selected strain exhibited cross-resistance to cartap hydrochlolide and prothiophas. Triflumuron-seleded strain showed 1.3-4.9 fold. no cross-resistance to other ~nsectic~dTe he B. ihuring~ensis-selededs train showed no cross-resistance to other insecticides.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.407-407
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• 2011

태양전지에서 Fill Factor를 저하시키는 직렬저항의 성분들은 베이스저항, 에미터 저항, contact 저항, finger 저항, busbar 저항 등이 있다. 각각의 저항 성분은 전극의 width및 height, 그리고 전극과 전극 사이의 spacing을 가변함에 따라 각기 다른 값을 나타내는데, 낮은 직렬저항 값을 달성하기 위해 전극의 면적을 크게 하는 것이 바람직하지만, 이는 cell의 shading loss를 증가시켜 cell의 JSC를 저하시킨다. 그러므로 cell의 면적과 전면 에미터의 면저항을 고려하여 shading loss와 직렬저항을 최소화 하는 최적의 전면 전극의 설계가 중요하다. 본 논문에서는 시뮬레이션을 통해 전면 전극의 height, spacing 및 width를 가변하여 1 by 1, 2 by 2, 3 by 3의 cell 면적에서의 전면 전극의 설계를 최적화 하였다. 시뮬레이션 결과 각각의 cell면적에서 단위면적당 저항 값이 500 $m{\Omega}$ 이하, shading loss가 4% 미만인 전극을 설계하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.5 no.3
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• pp.222-232
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• 1995

자기저항이란 외부 자기장에 의해 재료의 전기저항이 변화되는 현상을 일컫는다. Au와 같은 비자성도체 및 반도체 재료의 경우 외부에서 자기장이 가해지면 전도 전자가 Lorentz 힘을 받아 궤적이 변하므로 저항이 변화한다. 이러한 저항 변화 를 정상 자기저항(Ordinary Magnetoresistance, OMR)이라 하며 일반적으로 상당히 작은 저항의 변화를 나타낸다. 강자성도체 재료에서는 정상 자기저항 효과 외에도 부가적인 효과가 생긴다. 이는 스핀-궤도 결합에 기인한 효과로써 자기 저항은 강자성체의 자화용이축, 외부자계와 잔류간의 각도에 의존하며 이방성 자기저항(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)이라 한다. AMR 비(%)는 일반적 으로 다음과 같이 정의된다. 즉 ${\Delta}{\rho}_{AMR}/{\rho}_{ave}=(\rho_{\|}-\rho_{T})/{\rho}_{ave}$로 여기서 $\rho_{\|}$는 자기장의 방향이 전류의 방향과 같을 때의 비저항 이고 $\rho_{T}$는 서로 수직일 때이며 ${\rho}_{ave}=(\rho_{\|}-\rho_{T})/3$이다. 기존의 MR 센서나 자기재생헤드(magnetic read head)에 사용되는 퍼머로이계 합금의 AMR 비는 상온에서 약 2% 정도의 저항변화를 보인다.

• The Magazine of the IEIE
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• v.21 no.8
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• pp.1-9
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• 1994

고정저항기의 개발에 있어서 고려해야 할 주요 특성인 저항온도계수, 잡음, 주파수특성, 전압계수 등을 고찰하였으며, 나아가서 박막저항기, 칩저항기, 다련칩저항기의 개발동향 등을 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.379-379
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• 2011

차세대 저항메모리(resistive switching random access memory; ReRAM)의 개발을 위해 다양한 산화 물질들의 저항 변화 특성이 연구되고 있다. 본 연구에서는 저항 변화 물질로 잘 알려진 ZnO 박막을 이용하여 저항 변화 특성을 평가하였다. ZnO 박막은 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 스퍼터링 시스템을 이용하여 약 50 nm 두께로 증착되었다. 증착된 박막 위에 전극을 evaporator를 이용하여 패턴닝함으로써 전극-반도체-전극 구조의 소자를 만들고 이의 전기적 특성을 평가하였다. Compliance current를 설정하여 저항 변화 특성을 측정한 결과 가해진 전압의 극성에 관계 없이 저항이 변화하는, dielectric breakdown에 의해 박막내 전도성 필라멘트라 불리는 전도성 길이 생성되었다가 joule-heating에 의해 필라멘트가 파열되는, 전형적인 unipolar 저항 변화특성이 나타났다. 다기능성 소자 개발을 위해 위 소자 구조를 투명한 고분자 기판위에 형성하고 표면에 초발수성 ZnO 나노막대 구조를 합성하였다. 그 결과 투명하면서 유연하고, 수분에도 안정적인 다기능성 저항 변화 소자 특성을 평가할 수 있었다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.519-520
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• 2008

교류에서의 전기저항값은 저항 elements 사이에서 나타나는 stray 전기용량과 elements의 길이에서 유도되는 인덕턴스의 영향으로 직류에서의 저항값과 차이를 보이게 된다. 이러한 직류와 교류에서의 저항값 차이가 대단히 작게 나면서 직류에서와 측정하는 교류에서의 저항값의 차이를 계산에 의해서 산출할 수 교류저항 표준기가 개발되었다. 개발된 교류저항표준기는 bi-filar 구조의 1 $k\Omega$로서, 1.6 kHz에서 직류/교류 저항값의 차이는 0.02 ${\mu}{\Omega}/{\Omega}$ 보다 작으며, 시정수는 1 kHz에서 $(8{\pm}2)\times10^{-10}$으로 측정되었다. 개발된 교류저항 표준기는 교류저항 국가표준에 최상급 표준기로 사용이 되어질 것이다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.103-104
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• 2012

기존의 저항 전류측정 방법의 경우 샘플링이 되지 않는 시간에도 전류가 센서 저항에 흐르게 되어 전력낭비가 있었다. 본 논문에서는 센서저항에 병렬로 바이패스 MOSFET를 달아줌으로써 샘플링이 되는 시간에서는 MOSFET off동작을 통해 저항에 전류를 흐르게 하여 전류를 측정하고 샘플링이 되지 않는 시간에서는 MOSFET on동작을 통해 전류가 센서저항에 흐르지 않게 하여 전력낭비를 막고, 센서저항이 감당하는 정격전력도 낮추는 이점이 있는 저항 전류 측정방법을 제안하고자 한다.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2009.05a
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• pp.914-918
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• 2009

권 등(2008)은 수면보다 높은 정방형 다열기둥을 이용한 수리실험을 수행하여 수심과 이격거리에 따른 상당저항계수를 측정하였으며 이를 바탕으로 Manning 계수형태의 상당저항계수 이론식을 제안하였다. 본 연구는 수면보다 높은 원형 다열기둥을 이용한 수리실험을 수행하여 이격거리와 수심에 따른 상당저항계수를 측정하였다. 실험결과로부터 이격거리만의 함수로 가정한 항력상 호작용계수를 추정하여 이를 권 등(2008)의 이론식에 적용하여 실험결과와 비교하고 분석하였다. 정방형 다열기둥의 실험결과와 원형 다열기둥의 실험결과를 비교하여 흐름방향 이격거리가 큰 범위에서는 원형기둥의 저항계수가 정방형기둥의 저항계수보다 작게 측정되지만 흐름방향 이격거리가 감소할수록 원형기둥의 저항계수가 정방형기둥의 저항계수보다 증가하면서 원형기둥이 정방형 기둥보다 저항정도가 큰 상태가 되는 것을 알 수 있었다.